Лабораторная работа №2, 7-й вариант, 7-й семестр
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Тема: Классы Object Pascal, С++
Цель: Сформировать практические навыки: реализации абстрактного типа данных с помощью классов Object Pascal, С++.
Задание
1. В соответствии с приведенной ниже спецификацией реализовать абстрактный тип данных «р-ичная память», используя класс
• Object Pascal,
• C++.
2. Протестировать каждую операцию, определенную на типе данных одним из методов тестирования.
Спецификация типа данных «р-ичная память».
ADT TMemory
Данные
Р-ичная память (тип TMemory, в дальнейшем - память) - это память для хранения объекта «р-ичное число» (тип TPNumber) и значения «состояние памяти». Объект «р-ичная память» - изменяемый. Он имеет два состояния, обозначаемых значениями: «Включена» (_On), «Выключена» (_Off). Её изменяют операции: Записать (Store), Добавить (Add), Очистить (Clear).
Операции
Конструктор
Начальные значения: Основание системы счисления (b), точность представления числа (c).
Процесс: Создаёт объект «память» типа TMemory. Создаёт и записывает в поле «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) объект «р-ичное число» (тип TPNumber), инициализированный значениями: р-ичное число – 0, основание системы счисления - b, точность представления числа – c. Память устанавливается в состояние «Выключена», в поле «состояние памяти» заносится значение (_Off).
Записать
Вход: E – объект «р-ичное число» (тип TPNumber).
Предусловия: Нет.
Процесс: В объект «память» (тип TMemory) в поле «р-ичное число» записывается копия объекта Е. Память устанавливается в состояние «Включена», в поле «состояние памяти» заносится значение (_On).
Выход: Нет.
Постусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Взять
Вход: Нет.
Предусловия: Нет.
Процесс: Создаёт и возвращает копию объекта хранящегося в объекте «память» (тип TMemory) в поле «р-ичное число» (тип TPNumber).
Выход: Объект типа TPNumber.
Постусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Добавить
Вход: Е – р-ичное число (объект типа TPNumber).
Предусловия: Нет.
Процесс: В поле «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) записывается объект «р-ичное число» (тип TPNumber), полученный в результате сложения числа (Е) и числа, хранящегося в памяти в поле «р-ичное число».
Выход: Нет.
Постусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Очистить Основание системы счисления (b), точность представления числа (c).
Вход: Нет.
Предусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Процесс: В поле «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) записывается объект «р-ичное число» (тип TPNumber), инициализированный значениями: р-ичное число – 0, основание системы счисления - b, точность представления числа – c.. Память устанавливается в состояние «Выключена» (_Off).
Выход: Нет.
Постусловия: Состояние памяти – «Выключена» (_Off).
ЧитатьСостояниеПамяти
Вход: Нет.
Предусловия: Нет.
Процесс: Копирует и возвращает значение поля «состояние памяти» объекта «память» (тип TMemory) в формате строки.
Выход: Значение поля «состояния памяти» (типа String).
Постусловия: Нет.
ЧитатьЧисло
Вход: Нет.
Предусловия: Нет.
Процесс: Копирует и возвращает значение поля «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) в формате строки.
Выход: Значение объекта «р-ичное число» (тип String).
Постусловия: Нет.
end TCMemory
Цель: Сформировать практические навыки: реализации абстрактного типа данных с помощью классов Object Pascal, С++.
Задание
1. В соответствии с приведенной ниже спецификацией реализовать абстрактный тип данных «р-ичная память», используя класс
• Object Pascal,
• C++.
2. Протестировать каждую операцию, определенную на типе данных одним из методов тестирования.
Спецификация типа данных «р-ичная память».
ADT TMemory
Данные
Р-ичная память (тип TMemory, в дальнейшем - память) - это память для хранения объекта «р-ичное число» (тип TPNumber) и значения «состояние памяти». Объект «р-ичная память» - изменяемый. Он имеет два состояния, обозначаемых значениями: «Включена» (_On), «Выключена» (_Off). Её изменяют операции: Записать (Store), Добавить (Add), Очистить (Clear).
Операции
Конструктор
Начальные значения: Основание системы счисления (b), точность представления числа (c).
Процесс: Создаёт объект «память» типа TMemory. Создаёт и записывает в поле «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) объект «р-ичное число» (тип TPNumber), инициализированный значениями: р-ичное число – 0, основание системы счисления - b, точность представления числа – c. Память устанавливается в состояние «Выключена», в поле «состояние памяти» заносится значение (_Off).
Записать
Вход: E – объект «р-ичное число» (тип TPNumber).
Предусловия: Нет.
Процесс: В объект «память» (тип TMemory) в поле «р-ичное число» записывается копия объекта Е. Память устанавливается в состояние «Включена», в поле «состояние памяти» заносится значение (_On).
Выход: Нет.
Постусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Взять
Вход: Нет.
Предусловия: Нет.
Процесс: Создаёт и возвращает копию объекта хранящегося в объекте «память» (тип TMemory) в поле «р-ичное число» (тип TPNumber).
Выход: Объект типа TPNumber.
Постусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Добавить
Вход: Е – р-ичное число (объект типа TPNumber).
Предусловия: Нет.
Процесс: В поле «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) записывается объект «р-ичное число» (тип TPNumber), полученный в результате сложения числа (Е) и числа, хранящегося в памяти в поле «р-ичное число».
Выход: Нет.
Постусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Очистить Основание системы счисления (b), точность представления числа (c).
Вход: Нет.
Предусловия: Состояние памяти – «Включена» (_On).
Процесс: В поле «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) записывается объект «р-ичное число» (тип TPNumber), инициализированный значениями: р-ичное число – 0, основание системы счисления - b, точность представления числа – c.. Память устанавливается в состояние «Выключена» (_Off).
Выход: Нет.
Постусловия: Состояние памяти – «Выключена» (_Off).
ЧитатьСостояниеПамяти
Вход: Нет.
Предусловия: Нет.
Процесс: Копирует и возвращает значение поля «состояние памяти» объекта «память» (тип TMemory) в формате строки.
Выход: Значение поля «состояния памяти» (типа String).
Постусловия: Нет.
ЧитатьЧисло
Вход: Нет.
Предусловия: Нет.
Процесс: Копирует и возвращает значение поля «р-ичное число» объекта «память» (тип TMemory) в формате строки.
Выход: Значение объекта «р-ичное число» (тип String).
Постусловия: Нет.
end TCMemory
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Современные технологии программирования
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.03.2017
Рецензия:Уважаемый
Зайцев Михаил Георгиевич
Оценена Ваша работа по предмету: Современные технологии программирования
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.03.2017
Рецензия:Уважаемый
Зайцев Михаил Георгиевич
Похожие материалы
Информатика. Лабораторная работа № 2. 4-й вариант. 2-й семестр
rukand
: 26 февраля 2013
Лабораторная работа № 2
Программирование простых циклических процессов
Цель работы: Получить навыки программирования циклических процессов на алгоритмическом языке.
Задание к лабораторной работе
1. Напечатать таблицу перевода расстояний в дюймах в сантиметры (1 дюйм = 2,54 см) для значений от 1 до 10 дюймов с шагом 0,5.
80 руб.
Лабораторная работа №2 по информатике. 3-й семестр. 8-й вариант
Nikolay80
: 24 января 2015
Лабораторная работа №2
Оптимальный код Хаффмана
Порядок выполнения работы
Изучить теоретический материал гл. 3 и гл.4.
Реализовать процедуру построения оптимального кода Хаффмана.
Построить код Хаффмана для текста на английском языке (использовать файл не менее 1 Кб). Распечатать полученную кодовую таблицу в виде:
Символ
Частота
Кодовое слово
Длина кодового слова
Проверить выполнение неравенства Крафта-МакМиллана для полученного кода
Вычислить энтропию исходного файла и сравнить со сре
70 руб.
Лабораторная работа №2 по физике. 1-й семестр. 5-й вариант
Vitaly1972
: 24 февраля 2014
Работа 4.1.
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
1. Цель работы
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
2. Основные теоретические сведения
Магнетроном называется электровакуумное устройство, в котором движение электронов происходит во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитном полях. Магнетрон является источником электромагнитного излучения СВЧ диа
50 руб.
Лабораторная работа №2. 1-й семестр. Вариант №7.
Eva
: 16 апреля 2015
«Программирование простых циклических процессов»
Вариант №7.
Банк выплачивает 3% годовым. Напечатать таблицу изменения суммы вклада по годам, если (условие на картинке.)
Задание к лабораторной работе.
Схема алгоритма решения задачи.
Программа на алгоритмическом языке.
Результаты выполнения программы.
60 руб.
Вычислительная математика. Лабораторная работа №2. 3-й семестр. 8-й вариант
Nikolay80
: 24 января 2015
Вычислительная математика
Лабораторная работа No2.Решение систем линейных уравнений.
Привести систему к виду, подходящему для метода простой итерации. Рассчитать аналитически количество итераций для решения системы линейных уравнений методом простой итерации с точностью до 0.0001 для каждой переменной.
Написать программу решения системы линейных уравнений методом простой итерации с точностью до 0.0001 для каждой переменной. Точность достигнута, если (k – номер итерации, k = 0,1,1⁄4 ). Вывест
70 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физика.1-й семестр. 8-й вариант
Nikolay80
: 14 апреля 2014
Работа 2
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
1.Цель работы
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
2.Основные теоретические сведения
Магнетроном называется электровакуумное устройство, в котором движение электронов происходит во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитном полях. Магнетрон является источником электромагнитного излучения СВЧ диапазо
100 руб.
Основы схемотехники. Лабораторная работа № 2. 5-й семестр. 6-й вариант
qqq21
: 28 октября 2012
“Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе”
1. Цель работы
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Исходные данные:
полевой транзистор 2П303Б с p-n - переходом и каналом n – типа
55 руб.
Лабораторные работы информатика. 2-й семестр. 4-й вариант
kolganov91
: 3 сентября 2014
Лабораторная работа No 1
Программирование разветвляющихся процессов
Цель работы: Получить навыки программирования разветвляющихся процессов на алгоритмическом языке.
Порядок выполнения лабораторной работы
1. Изучить следующие элементы алгоритмического языка: алфавит, идентификаторы, структура программы, константы, переменные, оператор присваивания, условный оператор.
2. Разработать схему алгоритма.
3. На основании схемы алгоритма разработать программу на алгоритмическом языке, ввести ее текст,
95 руб.
Другие работы
Привод вращателя Бурильной головки НБ-1МТ
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 23 апреля 2020
Привод вращателя Бурильной головки НБ-1МТ-Чертеж-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа-Добыча полезных ископаемых-Геология-Геологоразведка
398 руб.
Инженерная графика. Задание №35. Вариант №26. Деталь №2
Чертежи
: 5 ноября 2019
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения
Задание №35. Вариант №26. Деталь №2
Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели (построить три проекции и нанести размеры).
В состав работы входят 4 файла:
- 3D модель детали;
- ассоциативный чертеж;
- чертеж формата А4 в трёх видах комплексного оформления;
- чертеж формата А3 в трёх видах комплексного оформления.
Помогу с другими вариантами, пишите в ЛС.
60 руб.
Физико-математические основы электромагнитной совместимости. (Контрольная работа). Вариант 07
StudMaster
: 5 января 2015
Задача No1
Плоская электромагнитная волна распространяется в безграничной немагнитной среде с относительной диэлектрической проницаемостью и удельной проводимостью . Частота колебаний f ,амплитуда напряженности магнитного поля Нm.
Определить:
1. Модуль и фазу волнового сопротивления среды.
2. Сдвиг фаз между составляющими поля Е и Н
3. Коэффициент затухания и фазовую постоянную.
4. Длину волны в среде и расстояние, на котором амплитуда волны затухает на 100 дБ.
5. Отношение плотностей тока про
250 руб.
Чертёж Деталь Крышка узла адсорбционной доочистки оборудования для очистки буровых сточных вод БСВ
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 11 июня 2025
Чертёж Деталь Крышка узла адсорбционной доочистки оборудования для очистки буровых сточных вод БСВ-Деталь-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас 3D -CDW, Autocad Autodesk-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
167 руб.