Курсовая работа. Разработка интегрального устройства. Вариант №1

Цена:
500 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 41FEFA91-03BC-4A8E-8971-D87D77BA27C1.zip [ 841 KB ]
material.view.file_icon Курсовая электроника.docx [ 969 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

UПИТ, 12В
Кu 8
RВХ, 2 МОм 
RH,0.6 к0м 
UНОМ, 2 В 
FН,20 Гц 
FВ, 15 кГц 
МН 1 дБ 
МВ 1 дБ 
Тип входа несимметричный
Тип выхода симметричный

Дополнительная информация

Работа сдана в 2017г. Фадеевой Н.Е. на отлично. Никаких недочетов по работе нету.

Похожие материалы

Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Содержание Техническое задание ................................................................................................3 Введение ...................................................................................................................4 1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5 2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8 2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Виктория30 : 30 ноября 2022
250 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
Содержание Техническое задание…………………………………………………………….3 Введение………………………………………………………………………….4 1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5 2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12 4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………….……....12
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User xtrail : 17 марта 2013
250 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника Разработка интегрального устройства
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. РАЗРАБОТКА СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ 2. РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ 3. РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ 3.1 ВЫБОР НАВЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАСЧЕТ КОНФИГУРАЦИИ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 4. РАСЧЁТ ПЕРВОГО КАСКАДА НА VT1 5. РАСЧЁТ ЁМКОСТЕЙ СР1, СК, СР2, СР3. 6. РАСЧЕТ АЧХ 7. ВЫБОР НАВЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАСЧЁТ КОНФИГУРАЦИИ ПЛЁНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛИТЕРАТУРА
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User kirillSidGUTI : 10 декабря 2016
260 руб.
Разработка интегрального устройства
Вариант №2 Техническое задание: 1. Напряжение источника питания Uп = +9 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6. 3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм. 4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм. 5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В. 6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц 7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ. 10. Тип входа – несимметричный, ти
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User KPanda : 5 декабря 2019
1000 руб.
Разработка интегрального устройства
Курсовая работа Электроника РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА Вариант 68
Цель курсовой работы Научиться: - осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых тран-зисторов; - производить электрический расчет схем простейших устройств; - приобрести навыки в составлении топологии интегральных микросхем. Выбор варианта Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля, либо номер варианта задает преподаватель. Варианты заданий приведены в приложении П.1. Содержание курсовой работы Техническое задание Введение 1. Разработка структурной и принци
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Lezvix : 20 апреля 2021
200 руб.
Курсовая работа Электроника РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА Вариант 68
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант 45
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 45 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +15 Кu 8 Rвх, МОм 5,1 RH,к0м 10 Uном, В 3 fн, кГц 100 fв, кГц 6,3 Мв дБ 3 Мн дБ 2 Тип входа Н Тип выхода Н Содержание: Техническое задание Введение 1. Разработка структурной схемы 2. Разработка при
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант №49
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 49 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +15 Кu 10 Rвх, МОм 10 RH,к0м 2 Uном, В 3 fн, Гц 15 fв, кГц 20 Мв дБ 1 Мн дБ 1 Тип входа Н Тип выхода С Содержание: Техническое задание Введение 1. Разработка структурной схемы 2. Разработка принципиа
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант 59
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 59 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В -12 Кu 8 Rвх, МОм 0,33 RH,к0м 2 Uном, В 2 fн, Гц 50 fв, кГц 10 Мв дБ 1 Мн дБ 1 Тип входа Н Тип выхода Н Содержание: Техническое задание Введение 1. Разработка структурной схемы 2. Разработка принципиа
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.

Другие работы

Английский язык. Часть 2. Экзаменационная работа Билет 9.
Задание 1. Выберите правильный ответ. 1. Today polymers ______ to as materials of vital importance. a. refers b. are referred c. is referring 2. Much attention______now to the use of polymers because they have many desirable properties. a. is being paid b. is paid c. was paid 3. I _____ never_____to London. a. had visited b. was gone c. have been Задание 2. Прочтите текст и выполните задания к тексту MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) 1. Interest in cre
Английский язык ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Vladimir54 : 2 декабря 2022
350 руб.
Куасовая работа По дисциплине: Физические основы электроники Вариант №1
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, в полученной задаче1 Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки
ДО СИБГУТИ Работа Курсовая Физические основы электроники
User opa154 : 22 октября 2019
250 руб.
Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели. Задание №35. Вариант №11
Задание 35 вариант 11 фигуры 1,2,3 Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели построить три проекции и нанести размеры. 3d модели и чертежи (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21 и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
БГПК Инженерная и компьютерная графика Работа Контрольная
User lepris : 7 февраля 2022
150 руб.
Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели. Задание №35. Вариант №11
Реферат Пассивные методы защиты металлических сооружений от коррозии
Реферат на тему Пассивные методы защиты металлических сооружений от коррозии
РГУ нефти и газа (НИУ) имени И.М. Губкина Рефераты Коррозия и защита от коррозии
User Kalisha : 3 июня 2022
260 руб.
up Наверх