Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 36. СибГути. Заочно ускоренное обучение

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon z1_v6.docx
material.view.file_icon z2_v3.doc
material.view.file_icon z3_v6.docx
material.view.file_icon z4_v3.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 36

Задача № 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Составной фототранзистор)


Задача № 2

Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: PbS
Квантовая эффективность: 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ: 0,29


Задача №3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности. Таблица 3 – Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Входной код: 0110
Состояние выходов дешифратора: 1100000


Задача № 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Тип светодиода: АЛ102Д
Напряжение питания Uпит,В: 15
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 1200

Дополнительная информация

Работа получила оценку зачет. Если вас интересуют другие работы, то вы можете посмотреть их нажав "Посмотреть другие работы этого продавца".
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 39. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 39 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Фоторезистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: PbS Квантовая эффективность: 0,2 Шири
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 99. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 99 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Фоторезистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: GaHeAs Квантовая эффективность: 0,4 Ш
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 06 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Составной фототранзистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: Ge Квантовая эффективност
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 37. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 37 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Фототранзистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: PbS Квантовая эффективность: 0,2 Ши
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 96. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 96 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Составной фототранзистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: GaHeAs Квантовая эффектив
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 09 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Фоторезистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: Ge Квантовая эффективность: 0,2 Ширин
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 97. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 97 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Фототранзистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: GaHeAs Квантовая эффективность: 0,4
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 07 Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Тип фотоприемника (ФП) - Фототранзистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Тип ПП материала: Ge Квантовая эффективность: 0,2 Шир
User TheMrAlexey : 12 августа 2017
50 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 2 Вариант 50
Расход газа в поршневом одноступенчатом компрессоре составляет V1 при давлении р1 = 0,1 МПа и температуре t1. При сжатии температура газа повышается на 200ºС. Сжатие происходит по политропе с показателем n. Определить конечное давление, работу сжатия и работу привода компрессора. Ответить на вопросы. 1. Как влияет показатель политропы на конечное давление при фиксированных значениях p1, t2 и t1? 2. Чем ограничивается р2 в реальном компрессоре кроме ограничения по максимально допустимой ко
User Z24 : 30 декабря 2026
200 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 2 Вариант 50
Культуры изолированных клеток и тканей как новый источник для получения лекарственного сырья
Содержание Введение 1. История создания культуры клеток и тканей 2. Культивирование растительных клеток и тканей 2.1 Понятие культуры клеток и тканей 2.2 Синтез вторичных метаболитов 2.3 Влияние генетических, физических и химических факторов на рост и развитие культур и синтез вторичных метаболитов 3. Культура ткани растений и синтез вторичных метаболитов 3.1 Образование полифенолов в культуре ткани чайного растения 3.2 Образование b-карболиновых алкалоидов в культуре ткани гармалы обыкновенной
User elementpio : 31 января 2013
Расчет и конструирование несущих металлических конструкций рабочей площадки промышленного здания (настила, вспомогательной балки, главной балки, колонны, базы колонны).
Исходные данные для проектирования Расчет плоского настила Вариант первый Вариант второй Расчет вспомогательной балки Расчётная нагрузка на единицу длинны балки Расчет главной балки Расчет изменения сечения балки по длине Расчет поясных листов Проверка общей устойчивости Расчет установки поперечных ребер жесткости Расчет опорного ребра Расчет крепления вспомогательных балок к главным Расчет сквозной колонны Конструирование и расчет базы колонны Расчет и конструирования оголовка колонны Расчет це
User OstVER : 16 сентября 2011
40 руб.
Расчет и конструирование несущих металлических конструкций рабочей площадки промышленного здания (настила, вспомогательной балки, главной балки, колонны, базы колонны).
Буровые вертлюги: Патент AC № 52076, Патент АС № 64677, Патент RU № 2244089(13), Патент AC № 1509507, Патент АС № 696143-Чертеж-Патент-Патентно-информационный обзор-Курсовая работа-Дипломная работа
Буровые вертлюги: Патент AC № 52076, Патент АС № 64677, Патент RU № 2244089(13), Патент AC № 1509507, Патент АС № 696143-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Нефтегазопромысловое оборудование-Патент-Патентно-информационный обзор-Курсовая работа-Дипломная работа
596 руб.
Буровые вертлюги: Патент AC № 52076, Патент АС № 64677, Патент RU № 2244089(13), Патент AC № 1509507, Патент АС № 696143-Чертеж-Патент-Патентно-информационный обзор-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх