Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 96. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант 96
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Составной фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: GaHeAs
Квантовая эффективность: 0,4
Ширина запрещенной зоны W, эВ: 1,5
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности. Таблица 3 – Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Входной код: 0110
Состояние выходов дешифратора: 1100000
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Тип светодиода: АЛ307Г
Напряжение питания Uпит,В: 12
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 1000
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Составной фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: GaHeAs
Квантовая эффективность: 0,4
Ширина запрещенной зоны W, эВ: 1,5
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности. Таблица 3 – Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Входной код: 0110
Состояние выходов дешифратора: 1100000
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Тип светодиода: АЛ307Г
Напряжение питания Uпит,В: 12
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 1000
Дополнительная информация
Работа получила оценку зачет. Если вас интересуют другие работы, то вы можете посмотреть их нажав "Посмотреть другие работы этого продавца".
Похожие материалы
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 09
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Фоторезистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность: 0,2
Ширин
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 97. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 97
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: GaHeAs
Квантовая эффективность: 0,4
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 07
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность: 0,2
Шир
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 06
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Составной фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективност
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 37. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 37
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: PbS
Квантовая эффективность: 0,2
Ши
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 36. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 36
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Составной фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: PbS
Квантовая эффективнос
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 99. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 99
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Фоторезистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: GaHeAs
Квантовая эффективность: 0,4
Ш
50 руб.
Устройства и системы оптической связи. Устройство оптоэлектроники (Оптоэлектроника). Вариант 39. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 12 августа 2017
Вариант 39
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Тип фотоприемника (ФП) - Фоторезистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Тип ПП материала: PbS
Квантовая эффективность: 0,2
Шири
50 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №3 по дисциплине: «Компьютерное моделирование». Вариант 6
Shadoww
: 24 октября 2024
Тема работы: «Универсальный квадратурный модулятор. Формирование QPSK, 8-PSK и KAM-16 сигналов».
Цель работы: Программная реализация и исследование модуляторов QPSK, 8-PSK и KAM-16 в среде Mathcad -15.
300 руб.
Технология изготовления брикетов
Aronitue9
: 7 сентября 2012
Техническая характеристика топливных брикетов, Основные технические параметры сушилки РБ 1,8-12НУ-01, Технические характеристики агрегатов АВМ, Основные характеристики линии. приведена схема потока и рисунок.
60 руб.
Опора. Графическая работа №3. часть 2-я. Вариант №15.
lepris
: 17 февраля 2022
Опора. Вариант 15
Опора. Вариант 15 Графическая работа 3 часть 2
Вычертить по заданным размерам контуры опоры. Линии построения лекальной кривой сохранить.
Чертеж выполнен на формате А4 (все на скриншотах изображено и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
80 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Радиопередающие устройства систем радиосвязи и радиодоступа». Тест №14.
freelancer
: 18 апреля 2016
Экзамен по курсу «Радиопередающие устройства»
Тест No14
1. Для увеличения к.п.д. генератора необходимо:
- увеличить угол отсечки;
- уменьшить угол отсечки;
- увеличить коэффициент усиления;
- снизить напряженность режима.
2. Мощность двух идентичных генераторов складывается с помощью мостовой схемы, отдавая в нагрузку 100 Вт. Балластное сопротивление моста должно быть рассчитано на мощность (ватт): (50; 25; 12,5; 0).
3. К.п.д.
150 руб.