Задача №3 из контрольной работы №1 (вариант 9)
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Решение.
ПТ с встроенным p-каналом. Режим обеднения.
Схема включения полевого транзистора (с встроенным p-каналом) с общим истоком в динамическом режиме.
К затвору транзистора с встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, подключается +Eз.
2.
Стоковая (а) и стоко-затворная (б) характеристики транзистора.
3.
Стоковая характеристика транзистора.
(при UCИ=const) – крутизна.
Крутизна характеризует эффективность управляющего действия затвора. Определяется по стоковой характеристике следующим образом: при постоянном значении напряжения UCИ задается изменение напряжения UЗИ и при этом определяется изменение тока Iс.
Внутреннее сопротивление определяется следующим образом: при неизменном напряжении UЗИ изменяют значение UСИ и определяют изменение значения тока Iс.
, при UЗИ=const.
Помимо высокого входного сопротивления полевой транзистор обладает более высокой термостабильностью по сравнению с биполярным транзистором. Создает меньшие шумы, более стоек к радиационному и ионизирующему воздействию. Недостаток полевого транзистора – недостаточно высокая крутизна.
ПТ с встроенным p-каналом. Режим обеднения.
Схема включения полевого транзистора (с встроенным p-каналом) с общим истоком в динамическом режиме.
К затвору транзистора с встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, подключается +Eз.
2.
Стоковая (а) и стоко-затворная (б) характеристики транзистора.
3.
Стоковая характеристика транзистора.
(при UCИ=const) – крутизна.
Крутизна характеризует эффективность управляющего действия затвора. Определяется по стоковой характеристике следующим образом: при постоянном значении напряжения UCИ задается изменение напряжения UЗИ и при этом определяется изменение тока Iс.
Внутреннее сопротивление определяется следующим образом: при неизменном напряжении UЗИ изменяют значение UСИ и определяют изменение значения тока Iс.
, при UЗИ=const.
Помимо высокого входного сопротивления полевой транзистор обладает более высокой термостабильностью по сравнению с биполярным транзистором. Создает меньшие шумы, более стоек к радиационному и ионизирующему воздействию. Недостаток полевого транзистора – недостаточно высокая крутизна.
Похожие материалы
Задача №3 из контрольной работы №1 (вариант 4)
ilya01071980
: 2 сентября 2017
Задача 3
1. Начертить схему включения полевого транзистора с общим исто-ком в динамическом режиме.
2. Приведите стоковую и стоко-затворную характеристику транзи-стора.
3. Приведите статические параметры полевого транзистора.
Решение.
1.
ПТ с управляющим p-n переходом и n каналом
В таком транзисторе на затвор необходимо подавать отрицательное напряжение а на сток положительное.
2.
Стоко-затворная характеристика транзистора.
Стоковая характеристика транзистора.
3. (при
50 руб.
Задача №3 из контрольной работы №1 (вариант 10)
ilya01071980
: 27 августа 2017
Контрольная работа 1
Вариант 10
Задача 3
1. Начертить схему включения полевого транзистора с управляющим p-n переходом и p-каналом.
2. Приведите стоковую и стоко-затворную характеристику транзистора.
3. Приведите статические параметры полевого транзистора.
Решение.
1. ПТ с управляющим p-n переходом и p-каналом.
Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n переходом и p-каналом.
Чтобы основные носители (в данном случае дырки) двигались к стоку, к нему (к стоку) следует пр
50 руб.
Задача №3 из контрольной работы №1 (вариант 5)
ilya01071980
: 25 августа 2017
Контрольная работа 1
Вариант 5
Задача 3
1. Начертить схему включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме.
2. Приведите стоковую и стоко-затворную характеристику транзистора.
3. Приведите статические параметры полевого транзистора.
50 руб.
Задача №3 из контрольной работы №1 по дисциплине Электродинамика и РРВ
ilya01071980
: 17 июня 2016
Задача No3
Вариант No10
В воздушной среде помещен элементарный электрический излучатель (диполь Герца) длиной l, который возбужден током амплитудой Jm и частотой f (табл. 2).
1. Определить амплитуды векторов напряженности электрического и магнитного полей на расстоянии 20λ и под углом 60o к оси диполя.
2. Определить полную мощность излучения PΣ.
3. Определить сопротивление излучения RΣ диполя Герца.
4. Изобразить на рисунке в полярной системе координат нормированные диаграммы направленност
100 руб.
Штуцер Вариант 9
Laguz
: 13 октября 2025
Чертеж сделан компасе 21 + дополнительно сохранён в джпг, пдф
Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
150 руб.
Разрезы. Вариант 9
Laguz
: 28 января 2025
Лист 4 Разрезы
По двум видам детали построить третий. Выполнить разрезы. Проставить размеры. Изобразить деталь в изометрии с вырезом четверти
Сделано в компас 21, дополнительно чертеж и 3д модель сохранены в 19 компас и джпг
100 руб.
Вариант 9. Кривошип
Чертежи сборочные и деталировки 2D/3D
: 14 ноября 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d, *.a3d, *.spw
Пьянкова Ж.А. Компьютерная графика. Построение трехмерных сборочных единиц в системе КОМПАС 3D.
Вариант 9. Кривошип
Деталь шатунно-кривошипного механизма, представляющая собой эксцентрично расположенный палец (или цапфу) (1) кривошипа, соединенный с вращающимся валом (3) посредством плеча (2). С пальцем кривошипа шарнирно со
150 руб.
Вариант 9. Кривошип
Чертежи СибГУ, СФУ
: 4 июля 2023
Чертежи и 3D-модели деталей:
1. Палец
2. Плечо
3. Вал
Сборочный чертеж, спецификация и сборка.
Описание сборки.
125 руб.
Другие работы
Сети радиодоступа (часть 2) (ДВ 1.1). Вариант №4
Garrrik
: 11 декабря 2020
Исходные данные курсовой работы
Таблица 1 – Технические параметры и потери сигнала в элементах аппаратуры WiMAX
Наименование параметра
Значение параметра
Потери при работе с портативной АС, , дБ
3
Потери при работе с портативной АС в здании, ,дБ
15
Потери при работе с портативной АС в автомобиле, , дБ
8
Потери в дуплексере, , дБ
1
Потери в комбайнере, , дБ
3
Таблица 2 - Отношения hтреб = Рс/Рш, дБ для разной позиционности модуляции М
М
2
4
16
32
64
128
256
512
рош = 10-6
800 руб.
Дисциплина: Архитектура вычислительных систем. Расчетно-графическое задание. Вариант №15
ДО Сибгути
: 8 февраля 2013
Задание
1. Произвести анализ архитектуры ЭВМ II поколения. Описать архитектуру и функциональную структуру одной из отечественных ЭВМ II поколения.
2. Построить блок-схему -алгоритма умножения двух матриц:
применив методику крупноблочного распараллеливания.
Отыскать максимум коэффициента накладных расходов при реализации -алгоритма на вычислительной системе, имеющей следующие параметры:
– разрядность
– полосу пропускания канала между машинами Гигабод;
– время в
71 руб.
Проекционное черчение БГТУ.010114.003. Вариант 10
coolns
: 9 сентября 2024
Проекционное черчение БГТУ.010114.003. Вариант 10
Сложный ступенчатый разрез
Задача 3. Условие задания
Построить три вида детали по двум данным. Выполнить необходимые сложные ступенчатые разрезы А-А и Б-Б.
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пиши
150 руб.
Россия в системе Международного разделения труда
elementpio
: 9 сентября 2013
Россия в системе Международного разделения труда
Место и роль любой страны в мировом хозяйстве, международном разделении труда и в интернационализации хозяйственной жизни зависят от многих факторов. Однако, основными из них являются следующие:
* уровень и динамика движения национальной экономики,
* степень ее открытости и вовлеченности в МРТ,
* прогрессивность и развитость ВЭС,
* умение национальной экономики адаптироваться к условиям международной хозяйственной жизни и одновременно воздейс