Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №15

Цена:
400 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 183CC3E7-17A1-40A1-A035-285DA3CCB541.doc [ 487 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант: 5 (последняя цифра пароля)
Тип фотоприемника: Фотодиод-транзистор

Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Номер варианта: 1 (предпоследняя цифра пароля)
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность n: 0,7
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 1,12

Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
Номер варианта: 5 (последняя цифра пароля)

Задача No4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Вариант: 1 (предпоследняя цифра пароля)
Тип светодиода: АЛ316А
Напряжение питания Uпит, В: 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 680

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: сентябрь 2017 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Зачет По дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №15
Билет № 15 Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Типы световодов. Ответ: а. Планарный световод - представляет собой тонкую стеклянную пленку (плоскую). В увеличенном виде выглядит следующем образом:
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User 1309nikola : 12 марта 2017
100 руб.
Зачет По дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №15
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 14 сентября 2018
400 руб.
promo

Другие работы

PR-кампания в туристическом агентстве как инструмент продвижения нового торгового предложения
Оглавление Введение Глава 1. Теоретические основы организации и проведения PR-компании. 1.1 Понятие PR-кампании 1.2 Формирование позитивного имиджа как задача PR-кампании 1.3 Место PR-мероприятий в маркетинговой деятельности 1.4 Структура PR-кампании 1.5 Специфика PR в сфере туризма 1.6 Понятие турпродукта 1.7 Имиджевые характеристики турпродукта 1.8 Специфика целевой аудитории туристических услуг Глава 2. Реклама и PR в отрасли социально-культурного сервиса и туризма 2.1 Рекламная д
Маркетинг Работа
User Elfa254 : 12 октября 2013
10 руб.
Проект РАТС на базе цифровой АТС типа EWSD 08й вариант
№ вар 8 N кварт 6200 Nнх 4900 РАТС-1 10000 РАТС-2 9500 РАТС-3 7800
СибГУТИ Работа Курсовая Телекоммуникации
User vANcRY : 2 июня 2015
100 руб.
Курсовая работа по информатике
Создание базы данных, для хранения данных о работе фирмы, сдающей в аренду объекты недвижимости. В таблицах базы данных должны быть следующие поля: Код объекта, Наименование объекта, Тип объекта, Адрес объекта, Цена аренды за один месяц, Код клиента, ФИО клиента, Дата начала аренды, Срок аренды.
СибГУТИ Информатика Работа Курсовая
User fybhfv : 27 февраля 2009
Теория электрических цепей. Лабораторная работа № 1
«Переходные процессы в цепях с одним реактивным элементом» Цель работы Изучение и компьютерное моделирование переходных процессов, возникающих при коммутациях в цепях первого порядка, содержащих сопротивление и емкость либо сопротивление и индуктивность. В лабораторной работе исследуются зависимости напряжения uC(t) и тока iC(t) в емкости в RC-цепи при заряде и разряде конденсатора, а также зависимости тока iL(t) и напряжения uL(t) на индуктивности при подключении и отключении источника постоянн
Основы теории цепей СибГУТИ Работа Лабораторная
User kisa7 : 21 июля 2012
100 руб.
up Наверх