Контрольная работа. Вариант №07. Оптоэлектроника
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
27.10.2017
-
Размер:
81 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
DEKABR1973
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
оптоэлектроника-kr.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант-7 Тип фотоприемника (ФП)- Фототранзистор
2.Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант-0 Тип ПП материала-Ge
Квантовая эффектив-ность, -0.2
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ-0.6
3.Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля)-7. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
4.Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
No 0 варианта Тип светодиода -АЛ102В
Напряжение питания Uпит, 5В Номинал ограничительного сопротивления, 510Ом
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант-7 Тип фотоприемника (ФП)- Фототранзистор
2.Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант-0 Тип ПП материала-Ge
Квантовая эффектив-ность, -0.2
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ-0.6
3.Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля)-7. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
4.Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
No 0 варианта Тип светодиода -АЛ102В
Напряжение питания Uпит, 5В Номинал ограничительного сопротивления, 510Ом
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.10.2017
неверно определили силу света
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.10.2017
неверно определили силу света
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
seka
: 11 ноября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему вк
seka
: 11 ноября 2018
70 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Алексей1222
: 12 февраля 2018
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
SibGOODy
: 14 сентября 2018
400 руб.
Контрольная работа №1. Вариант 07. Устройства оптоэлектроники
Lanisto
: 12 марта 2015
1.Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
2.Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
3.Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходо
Lanisto
: 12 марта 2015
150 руб.
Контрольная работа по Основам оптоэлектроники, вариант 07, 4 семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Контрольная работа по Основам оптоэлектроники, вариант 07, 4 семестр.
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 - Фототранзистор
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать пр
SybNet
: 14 ноября 2012
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. Вариант 07.
mirsan
: 15 мая 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
mirsan
: 15 мая 2015
150 руб.
Оптоэлектроника ( устройства оптоэлектроники ) Контрольная работа вариант №19
andreyan
: 2 февраля 2017
Вариант No19
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Варианты и данные фотоприемников
andreyan
: 2 февраля 2017
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Другие работы
Утечка умов как важнейший фактор развития экономики знаний
Волчёнок
: 14 сентября 2009
Проблеме утечки умов было посвящено очень много статей в периодической печати.
В данной работе:
-Рассматриваются особенности, масштабы и направления потоков интеллектуальной миграции в мире.
-Рассматриваются попытки привлечь квалифицированную рабочую силу в разных странах мира.
- Анализируются масштабы и черты интеллектуальной эмиграции в России. -Характеризуется наличие ситуации, причины возникновения утечки умов в РФ.
Волчёнок
: 14 сентября 2009
Лабораторная работа № 1 по дисциплине «Телекоммуникационные Системы СЦИ и ПЦИ» вариант-09
gudrich
: 8 октября 2011
Лабораторная работа № 1.
Вариант № 09
“Цифровые системы передачи плезиохроной и синхронной иерархии”
Цель работы:
Изучение принципов формирования STM-1
Содержание работы:
1. Изучение принципов формирования контейнера С12
2. Изучение принципов формирования виртуального контейнера VС12
3. Изучение принципов формирования TU12
4. Изучение принципов формирования TUG2
5. Изучение принципов формирования TUG3
6. Изучение принципов формирования VС4
7. Изучение принципов формирования AU4
8. Изучение при
gudrich
: 8 октября 2011
300 руб.
Свободные экономические зоны сущность, возможности, сложившаяся практика
alfFRED
: 19 ноября 2013
Содержание
Введение………………………………………………………………………….. 3
Глава 1. Теоретические основы свободных экономических зон и их роль в современной экономике…………………………………………………………. 5
1.1 Понятие ОЭЗ, их виды и значение…………………………………… 5
1.2 Нормативно-правовая база создания и функционирования ОЭЗ в России……………………………………………………………………… 8
1.3 Система управления ОЭЗ в Российской Федерации………………... 11
Глава 2. Современное состояние и перспективы развития свободных экономических зон в России…………………………………………………….
alfFRED
: 19 ноября 2013
10 руб.
«Аудит». Контрольная работа. 1-й вариант
каруселька
: 10 апреля 2015
Ситуация 1
Фирма "Аудит" проводит проверки организации на протяжении длительного времени и назначает ответственным аудитором этой организации на протяжении пяти лет Леонова С.А. Каждый год при этом, он имел разных ассистентов. Имеет ли место конфликт интересов? Если да, то как его преодолеть?
Так как Леонов С.А на протяжении длительного времени проверял одну и ту же фирму, можно сделать вывод, что по истечении такого длительного периода он не может беспристрастно, независимо и объективно провод
каруселька
: 10 апреля 2015
200 руб.
