Устройства оптоэлектроники, контрольная работа, 16 вариант, 2 семестр, 2017

Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами. Составные фототранзисторы содержат несколько транзисторов. Структура составного фототранзистора приведена на рисунке 1.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, - 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12. Дано:Δ W = 1,12 эВ
Тип ПП материала: Si
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) - 6. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб. 3).
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дано:Тип светодиода - АЛ316А.
Напряжение питания Uпит, В - 9.
Номинал ограничительного сопротивления, Ом - 680.

2017, СибГУТИ, зачет