Физические основы электроники

Цена:
175 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon зчт 5.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Билет № 5

1. Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2. Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.

Дополнительная информация

2017 Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики.
проверил:Савиных
Валерий Леонидович
Зачтено.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники Выполнил: Титова Ю.В. Группа: Т-61в Вариант: №01 Проверил: Савиных Валерий Леонидович Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы электроники » . 1. Содержание задач комплексного задания Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора ________ тип транзистора ___________ напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В; активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом; постоянн
User Фрося : 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА; амплитудное значение переменной составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
User Фрося : 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы 1,2,3 лабораторные работы,2019 год 1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 3
User kombatowoz : 7 декабря 2019
200 руб.
Математические основы ЦОС. Экзамен. Билет №11
Вопрос 1. Характеристики нерекурсивных ЦФ, амплитудная и фазовая характеристика. Вопрос 2. Z – преобразование.Изображение по Лапласу дискретных сигналов X(p) является функцией трансцендентной, что значительно затрудняет частотный анализ дискретных сигналов. Переменную p, находящуюся в показателе экспоненты, заменяют: Задача 3 Для того чтоб рассчитать мощность собственных шумов ЦФ сначала необходимо построить разностное уравнение: На основании передаточной функции определяем выходной
User ннааттаа : 15 февраля 2011
250 руб.
Теплотехника Задача 5.1
Какое количество теплоты необходимо затратить, чтобы нагреть 2 м³ воздуха от 100ºС до 500ºС при избыточном постоянном давлении 0,2 МПа? Какую работу совершит при этом воздух? Давление атмосферы принять равным 101235 Па. Объемная средняя изобарная теплоемкость равна 1,3 кДж/(м³·К).
User Z24 : 9 февраля 2026
150 руб.
Теплотехника Задача 5.1
Виды и принципы создания совместных предприятий в России
Введение..................................3 1.1 Формы предприятий с иностранными инвестициями......................................................4 1.2 Причины прямых зарубежных инвестиций.......................................................................4 2.1 Организационно правовые формы СП ...............................................................................7 2.2 Создание совместного предприятия................................................................................
User GnobYTEL : 25 июля 2013
5 руб.
Лабораторная работа № 3.2 по дисциплине: Физика. Тема: “Изучение характеристик электростатического поля”. Вариант 08
Изучение характеристик электростатического поля 1. Цель работы: Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля. 2. Основные теоретические сведения: 3. Экспериментальные результаты. 4. Контрольные вопросы 1. Дайте определение электростатического поля и его характеристик. 2. Оцените величину силы, действующей на электрон, помещенный в некоторую точку исследуемого поля. 3. Рассчитайте работу по п
User Jack : 22 сентября 2014
200 руб.
promo
up Наверх