"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
14.01.2018
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
b1nom
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
3C5D9E47-3B25-41A2-B401-72A3CC63C2C8.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Техническое задание. 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы. 5
2. Разработка принципиальной схемы. 6
3. Разработка интегральной микросхемы. 12
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных
элементов. 12
3.2 Разработка топологии. 14
3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной 16
интегральной микросхемы.
Заключение. 18
Список литературы. 19
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Техническое задание. 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы. 5
2. Разработка принципиальной схемы. 6
3. Разработка интегральной микросхемы. 12
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных
элементов. 12
3.2 Разработка топологии. 14
3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной 16
интегральной микросхемы.
Заключение. 18
Список литературы. 19
Дополнительная информация
Год сдачи: 2017
Оценка: Отлично.
Оценка: Отлично.
Похожие материалы
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант 45
Apollo
: 13 января 2017
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 45
Техническое задание:
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
Исходные данные
Uпит,В +15
Кu 8
Rвх, МОм 5,1
RH,к0м 10
Uном, В 3
fн, кГц 100
fв, кГц 6,3
Мв дБ 3
Мн дБ 2
Тип входа Н
Тип выхода Н
Содержание:
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной схемы
2. Разработка при
Apollo
: 13 января 2017
600 руб.
Разработка интегрального устройства
KPanda
: 5 декабря 2019
Вариант №2
Техническое задание:
1. Напряжение источника питания Uп = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, ти
KPanda
: 5 декабря 2019
1000 руб.
Электроника. Разработка интегрального устройства
7059520
: 10 марта 2015
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
7059520
: 10 марта 2015
50 руб.
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Виктория30
: 30 ноября 2022
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
Виктория30
: 30 ноября 2022
250 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №26
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение………………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
xtrail
: 17 марта 2013
250 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант 00
ДО Сибгути
: 27 января 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
ДО Сибгути
: 27 января 2013
150 руб.
Другие работы
Радиатор пластинчатый. Вариант №8
lepris
: 25 февраля 2022
Радиатор пластинчатый. Вариант 8
1. По заданной аксонометрической проекции выполнить трехмерную модель радиатора пластинчатого.
2. По модели создать и оформить трехпроекционный ассоциативный чертеж и дополнить его аксонометрией.
3d модели и чертеж (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмот
lepris
: 25 февраля 2022
80 руб.
Место и роль конкуренции в рыночной экономике
Qiwir
: 2 марта 2014
Оглавление 3
Введение 3
Конкуренция 4
Содержание рыночной конкуренции 6
Место и роль конкуренции 7
Внутриотраслевая и межотраслевая конкуренция 8
Ценовая и неценовая конкуренция 9
Формы конкуренции и соответствующие им типы рыночных структур 10
Заключение 13
Список литературы 14
Введение
Конкуренция в переводе с латинского языка значит "сталкиваться" и может быть определена, как соперничество между отдельными лицами и хозяйствующими единицами, заинтересованными в достижении одной и той же цели.
Qiwir
: 2 марта 2014
10 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 2 Вариант 23
Z24
: 21 января 2026
1 кг водяного пара с начальным давлением р1 и степенью сухости х1 изотермически расширяется; при этом к нему подводится теплота q. Определить, пользуясь hs — диаграммой, параметры конечного состояния пара, работу расширения, изменение внутренней энергии, энтальпии, энтропии. Решить также задачу, если расширение происходит изобарно. Изобразить процессы в pυ-, Ts- и hs — диаграммах. Исходные данные, необходимые для решения задачи, выбрать из таблицы 27.
Ответить на вопросы: в каком процессе (t=
Z24
: 21 января 2026
250 руб.
Нанесение размеров на плоских деталях. Вариант 27
.Инженер.
: 17 апреля 2026
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Практикум. Задание 8. Нанесение размеров на плоских деталях. Вариант 27
Задание:
Для вариантов 1...6 изображений плоских деталей нанесите размеры.
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
.Инженер.
: 17 апреля 2026
150 руб.
