"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
14.01.2018
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
b1nom
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
3C5D9E47-3B25-41A2-B401-72A3CC63C2C8.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Техническое задание. 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы. 5
2. Разработка принципиальной схемы. 6
3. Разработка интегральной микросхемы. 12
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных
элементов. 12
3.2 Разработка топологии. 14
3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной 16
интегральной микросхемы.
Заключение. 18
Список литературы. 19
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Техническое задание. 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы. 5
2. Разработка принципиальной схемы. 6
3. Разработка интегральной микросхемы. 12
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных
элементов. 12
3.2 Разработка топологии. 14
3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной 16
интегральной микросхемы.
Заключение. 18
Список литературы. 19
Дополнительная информация
Год сдачи: 2017
Оценка: Отлично.
Оценка: Отлично.
Похожие материалы
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант 45
Apollo
: 13 января 2017
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 45
Техническое задание:
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
Исходные данные
Uпит,В +15
Кu 8
Rвх, МОм 5,1
RH,к0м 10
Uном, В 3
fн, кГц 100
fв, кГц 6,3
Мв дБ 3
Мн дБ 2
Тип входа Н
Тип выхода Н
Содержание:
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной схемы
2. Разработка при
Apollo
: 13 января 2017
600 руб.
Разработка интегрального устройства
KPanda
: 5 декабря 2019
Вариант №2
Техническое задание:
1. Напряжение источника питания Uп = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, ти
KPanda
: 5 декабря 2019
1000 руб.
Электроника. Разработка интегрального устройства
7059520
: 10 марта 2015
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
7059520
: 10 марта 2015
50 руб.
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Виктория30
: 30 ноября 2022
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
Виктория30
: 30 ноября 2022
250 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №26
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение………………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
xtrail
: 17 марта 2013
250 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант 00
ДО Сибгути
: 27 января 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
ДО Сибгути
: 27 января 2013
150 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Теория электрических цепей (часть 1). Вариант №16
Учеба "Под ключ"
: 30 декабря 2016
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo.
4. Рассчитайте классическим мет
Учеба "Под ключ"
: 30 декабря 2016
700 руб.
Политическая идеология
vov70
: 30 сентября 2011
Содержание
Введение……………………………………………………………………… 3
1. Сущность политической идеологии……………………………………… 5
2. Функции политической идеологии……………………………………….. 9
3. Роль политической идеологии в жизни общества………………………. 11
4. Основные идеологические течения в современном мире …………….... 14
Заключение……………………………………………………………………. 19
Список литературы…………………………………………………………….21
Введение
Политическая идеология – это система идей, представлений, понятий, выраженная в различных формах общественного созна
vov70
: 30 сентября 2011
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Методы машинного обучения. Цифры 21
IT-STUDHELP
: 14 ноября 2022
Контрольная работа по методам классификации
Выбор варианта:
N = 21
Вариант выборки для метода ближайших соседей определяется по формуле:
N_в=((N+13)mod11)+1=2
Вариант весовой функции определяется по формуле:
N_вф=((N+7)mod4)+1=1
Вариант выборки для метода построения решающего дерева определяется по формуле:
N_вд=((N*N+2)mod11)+1=4
Обучающая последовательность и тестовый объект для метода ближайших соседей:
2) (X,Y)={(2,7,1), (6,6,1), (8,6,1), (7,5,1), (5,9,1), (9,9,2), (11,2,2), (6,4,2), (10,9,
IT-STUDHELP
: 14 ноября 2022
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства генерирования и преобразования сигналов в системах подвижной радиосвязи»
ART1800
: 28 февраля 2014
Исходные данные
В контрольной работе требуется исследовать зависимость режима генератора с внешним возбуждением (ГВВ) от сопротивления нагрузки (Rс).
Заданы (см. табл. 1 и табл. 2):
тип активного элемента (АЭ) – полевого транзистора,
мощность генератора в критическом режиме (Р1),
питающее напряжение (Ес), эквивалентные расчетные параметры транзистора,
угол отсечки коллекторного тока в критическом режиме (θкр).
Вариант No 14: параметры варианта - m=4, n=1.
Одним из основных параметров ре
ART1800
: 28 февраля 2014
300 руб.
