Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
-
Категории:
СибГУТИ, Оптоэлектроника и нанофотоника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
15.03.2018
-
Размер:
139 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Галилео
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
кр03.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Дополнительная информация
2018 г.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. 01вариант
ev-kazanceva
: 18 февраля 2012
Вариант 01.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Фотодиод со структурой р-i-n
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней лямдагр.
Тип материала Германий
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать пр
ev-kazanceva
: 18 февраля 2012
200 руб.
СибГУТИ. Устройства Оптоэлектроники. Контрольная Работа.
Art55555
: 17 августа 2009
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную сх
Art55555
: 17 августа 2009
150 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эфф
Sibur54
: 16 марта 2019
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Gila
: 17 января 2019
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
seka
: 11 ноября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему вк
seka
: 11 ноября 2018
70 руб.
Устройство оптоэлектроники. контрольная работа 3 семестр
xadmin
: 22 октября 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Фотодиоды с p–i–n структурой
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежнос
xadmin
: 22 октября 2018
85 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №9
Rufus
: 11 октября 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-
Rufus
: 11 октября 2017
90 руб.
Другие работы
Курсовая работа по дисциплине «Базы данных». Вариант №07.
teacher-sib
: 27 августа 2020
Постановка задания
В рамках выполнения курсовой работы для заданной предметной области необходимо:
• сформулировать цель проектирования базы данных;
• описать возможного пользователя базы данных;
• определить круг запросов и задач, которые предполагается решать с использованием созданной базы данных;
• построить реляционную модель и выполнить ее нормализацию;
• создать спроектированную базу данных в среде выбранной СУБД;
• разработать приложение для реализации запросов и решения задач;
• оценит
teacher-sib
: 27 августа 2020
500 руб.
Лабораторная работа №2. Теория электрических цепей. Вариант №9
Tatiana2
: 12 декабря 2018
3. Теоретическое исследование
3.1. Исследование работы последовательной RL – цепи (рисунок 2.1)
Рисунок 2.1
3.2. Задать значения
сопротивления резистора R =100+Nx10 (Ом), где N – 9 индуктивности L=2 мГн.
3.3. Задать напряжение источника E=10 В и частоту f=5 кГц
3.4. Определить (рассчитать) показания (расчетные значения) вольтмера при измерении напряжения на резисторе UR и катушке индуктивности, добавить вольтметры в исследуемую схему. Записать показания вольтметров в таблицу 2.1.
Таблица 2.1
Tatiana2
: 12 декабря 2018
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Программное обеспечение инфокоммуникационных систем. Вариант 5
xtrail
: 22 августа 2025
Цель работы
Построить структурную и функциональную модели телекоммуникационной системы в пакете PragmaDev Studio по заданному сценарию взаимодействия элементов этой системы, используя навыки, полученные при выполнении лабораторных работ.
Задание
1. Средствами языка SDL построить структурную и функциональную модели телекоммуникационной системы, для которой в виде MSC-диаграммы задан сценарий взаимодействия элементов системы (см. варианты сценариев). Вариант сценария определяется по последней ц
xtrail
: 22 августа 2025
1500 руб.
ГОСТ 12645.4-77 Индий. Химико-спектральный метод определения алюминия, висмута, кадмия, меди, магния, марганца, никеля, свинца, серебра и цинка
Slolka
: 7 мая 2013
Настоящий стандарт устанавливает химико-спектральный метод определения алюминия, висмута, кадмия, меди, магния, марганца, никеля, свинца, серебра и цинка в индии при массовых долях в процентах: алюминия от 0,00001 до 0,0001, висмута от 0,000002 до 0,0001, кадмия от 0,000002 до 0,0001, меди от 0,000005 до 0,0001, магния от 0,00002 до 0,0001, марганца от 0,0000008 до 0,00001, никеля от 0,00001 до 0,0001, свинца от 0,00001 до 0,0001, серебра от 0,0000008 до 0,00001, цинка от 0,00001 до 0,0005.
Slolka
: 7 мая 2013
5 руб.
