Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №5
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 5
Тип фотоприемника: Фотодиод-транзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Последняя цифра пароля: 5
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номина ограничительного сопротивления, Ом: 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 5
Тип фотоприемника: Фотодиод-транзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Последняя цифра пароля: 5
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номина ограничительного сопротивления, Ом: 510
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: май 2017 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: май 2017 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №5.
teacher-sib
: 20 октября 2016
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприёмника (ФП): фотодиод-транзистор.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные.
Тип ПП материала: Ge.
Квантовая эффективность: h = 0,2.
Ширина запрещённой зоны: DW = 0,6 эВ.
Задача 3.
И
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5.
freelancer
: 23 апреля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3.
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
50 руб.
Другие работы
Алгоритмы и вычислительные методы оптимизации. Лабораторные работы 1, 2, 3. Вариант 7.
Dmitry17
: 19 июня 2022
Вариант 7
!!Важно: перед покупкой проверяйте соответствие заданий на скриншотах у лота с теми, что выдал преподаватель.
Язык реализации программ: Dart.
В архиве:
- исходный код программ c комментариями
- инструкция по запуску
- отчёты
Лабораторная работа 1 - Метод Жордана-Гаусса
Лабораторная работа 2 - Моделирование матричной игры 2×2
Лабораторная работа 3 - Решение задачи нелинейного программирования методом Эрроу-Гурвица
150 руб.
Алгебра и геометрия. 1-й семестр. Вариант №5
Efimenko250793
: 11 октября 2013
Задача 1. Дана система трех линейных уравнений. Найти решение ее двумя способами: методом Крамера и методом Гаусса
Задача 2. Даны координаты вершин пирамиды А1А2А3А4. Найти:
1. длину ребра А1А2;
2. угол между ребрами А1А2 и А1А4;
3. площадь грани А1А2А3;
4. уравнение плоскости А1А2А3.
5. объём пирамиды А1А2А3А4.
А1(4; 2; 5), А2 (0; 7; 2), А3 (0; 2; 7), А4 (1; 5; 0)
50 руб.
Лабораторная работа №3 По дисциплине: «Пакетная телефония" Вариант 3
tusur
: 31 марта 2017
Лабораторная работа №3
На тему «Изучение протоколов передачи речи в IP-телефонии»
150 руб.
Экзаменационная работа по математическому анализу.билет№8.
merkuchev
: 1 февраля 2011
Экзамен билет№8.
По дисциплине: Математический анализ .билет№8.вариант№8.
1. Основные теоремы о пределах.
2. Дифференциал функции. Геометрический смысл дифференциала.
3. Исследовать и построить график функции
4. Найти и , если и ,
5. Найти интеграл
6. Вычислить интеграл
7. Исследовать сходимость интеграла
8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями и
100 руб.