«Электроника». Вариант №1. 4-й семестр
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ
КУРСОВОЙ РАБОТЫ
Целью контрольной работы является закрепление теоретического материала курса Электроника и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Содержание курсовой работы
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения.
Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:
- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме ( А, В, С и т. д.);
- рассчитать все токи схемы и указать их направления;
- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемой всей схемой.
Результаты расчетов свести в таблицы. Примеры расчетов и таблиц будут даны ниже.
Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы.
Разработка топологии включает в себя следующие операции:
-выбор материала для пленочных резисторов согласно варианта;
-расчет размеров всех резисторов;
-выбор материала для проводников и контактных площадок;
-расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;
-определение и выбор размеров подложки;
-составление топологического чертежа .
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
В заключении привести краткие выводы о проделанной работе.
КУРСОВОЙ РАБОТЫ
Целью контрольной работы является закрепление теоретического материала курса Электроника и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Содержание курсовой работы
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения.
Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:
- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме ( А, В, С и т. д.);
- рассчитать все токи схемы и указать их направления;
- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемой всей схемой.
Результаты расчетов свести в таблицы. Примеры расчетов и таблиц будут даны ниже.
Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы.
Разработка топологии включает в себя следующие операции:
-выбор материала для пленочных резисторов согласно варианта;
-расчет размеров всех резисторов;
-выбор материала для проводников и контактных площадок;
-расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;
-определение и выбор размеров подложки;
-составление топологического чертежа .
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
В заключении привести краткие выводы о проделанной работе.
Дополнительная информация
2018г.
Похожие материалы
Электроника. Вариант №1. 2-й курс, 3-й семестр
ritabokk
: 15 сентября 2016
В данном пункте необходимо для трёх заданных комбинаций входных сигналов определить состояния элементов схемы и произвести их электрический расчёт.
Заданные комбинации:
0111
1101
0110
500 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
Ирина16
: 19 декабря 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
CDT-1
: 17 марта 2015
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные х
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
xadmin
: 25 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и ка
85 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Электротехника и электроника". Вариант №1. (5-й семестр)
xtrail
: 18 сентября 2013
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры , , полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи: транзистор КП302А, 12 В, -8 В.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и
180 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Zalevsky
: 11 сентября 2018
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
300 руб.
«Электроника». Вариант №3. 4-й семестр
Mental
: 1 апреля 2018
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ
КУРСОВОЙ РАБОТЫ
Целью контрольной работы является закрепление теоретического материала курса Электроника и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Содержание курсовой работы
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения.
Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрически
150 руб.
Другие работы
Экономика труда. 4 вариант. КР.
studypro3
: 5 ноября 2018
Теоретический вопрос. Как рост производительности труда в одной из отраслей экономики повлияет на заработную плату в этой отрасли? В других отраслях?
Задача 1. За год на деревообрабатывающем предприятии выработано 4675 тонн древесины. Средняя цена одной тонны древесины - 108 тыс.руб. Среднесписочная численность промышленно-производственного персонала составила 745 человек. Определить годовую производительность труда одного работника.
Задача 2. Товарная продукция предприятия в отчетном году сос
300 руб.
Ответы на экзамен Сети и системы передачи информации
LanaTol
: 7 июня 2023
Свежие ответы на экзамен по СиСПИ 2023 год.
Через поиск по тексту можно легко найти нужный ответ.
100 руб.
Современные технологии программирования (часть 1). Экзамен. Билет №11
growlist
: 1 октября 2019
Билет №11
Экзаменационный тест
1.Критичность определяется последствиями, вызываемыми дефектами в ПО, и может иметь один из четырех уровней. Установите соответствие между уровнем критичности и последствиями дефектов ПО.
C 1. Дефекты создают угрозу человеческой жизни
D 2. Дефекты вызывают потерю возместимых средств (материальных или финансовых)
E 3. Дефекты вызывают потерю удобства
L 4. Дефекты вызывают потерю невозместимых средств
2.Установите соответствие
1.Программный продукт 1. Исполь
30 руб.
Новые требования к построению организаций будущего
Qiwir
: 23 октября 2013
Борис Захарович Мильнер, доктор экономических наук, профессор, главный научный сотрудник Института экономики РАН, заведующий кафедрой организации и управления Государственного университета управления.
Главным свойством организации будущего станет постоянное приспособление к динамичной внешней среде. На первый план выйдут такие черты, как большая гибкость, приверженность личностям, использование команд, стремление к диверсификации и конкурентоспособность.
Если попытаться обобщить основные требо
10 руб.