Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
250 Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе . 4-й семестр. Лабораторная работа № 1. Вариант №04ID: 190745Дата закачки: 02 Апреля 2018 Продавец: Ирина (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Office Сдано в учебном заведении: ******* Не известно Описание: Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные Транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э = 1,5 МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 18.6 мА. Таблица 1 – Варианты значений емкостей № 4 С1, мкФ 3 С2, мкФ 4.0 С3, пФ 500 С5, мкФ 400 Комментарии: Работа сдана в марте 2018г. Зачтено с незначительными замечаниями. Архипов С.Н. Размер файла: 283,2 Кбайт Фаил: (.zip) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 5 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:К сожалению, точных предложений нет. Рекомендуем воспользоваться поиском по базе. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Схемотехника телекоммуникационных устройств / Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе . 4-й семестр. Лабораторная работа № 1. Вариант №04
Вход в аккаунт: