Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен

Цена:
29 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 0B4FAF51-CAF6-4255-BBF2-093D3B0578BB.rar [ 492 KB ]
material.view.file_icon ЭКЗ.docx [ 502 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 14.11.2017
Рецензия:Схемы и характеристики ЛЭ,полярности напряжений на характеристиках ПТ усилительного каскада не соответствуют ТЗ

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» БИЛЕТ №4 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User SOKOLOV : 2 марта 2025
250 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля. Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User gnv1979 : 13 июня 2016
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника Экзамен. Билет №6
1. Импульсная характеристика цепи h(t). Ее применение. Импульсной характеристикой цепи называется реакция цепи на воздействие единичной импульсной функции . Обозначается импульсная характеристика h(t). Импульсная характеристика цепи определяется как производная от переходной характеристики цепи g(t) (это реакция цепи на воздействие в виде единичной ступенчатой функции). Если переходная характеристика имеет скачок при t = 0, то есть , то при дифференцировании появляется дополнительное слагаемо
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Legeoner13 : 6 марта 2015
50 руб.

Другие работы

Сущность и содержание бизнес планирования в коммерческой деятельности предприятия
Большое значение для действующих предприятий, в том числе предприятий торговли играет возможность оптимизации производства, улучшения финансово-хозяйственной деятельности, оптимизация процессов управления. Сформулировать подходы к повышению конкурентоспособности предприятий и повышению эффективности бизнеса позволит анализ деятельности. Для обоснования управленческих решений необходимо выявлять и прогнозировать существующие и потенциальные проблемы, производственные и финансовые риски, определят
Менеджмент Работа
User alfFRED : 31 марта 2014
5 руб.
Приватизация государственных предприятий в России этапы и первые результаты
Введение. 3 1. Сущность приватизации. 4 а) пути разгосударствления. 4 б) формы и методы приватизации 7 2. Этапы приватизации в России. 11 а) акционирование и ваучерная приватизация. 11 б) денежная приватизация. 12 в) итоги и перспективы приватизации 13 3. Анализ опыта зарубежных стран. 17 а) опыт ваучерной приватизации 17 б) опыт платной приватизации 19 Заключение. 22 Список литературы 23 Введение Реформы отношений собственности являются важнейшим элементом перехода к рыночной экон
Эргономика Работа
User alfFRED : 25 февраля 2014
10 руб.
Лабораторная работа №4. Вариант №10
10. Дана последовательность 10 чисел a1, …, a10. Вывести на экран символы данной последовательности в обратном порядке: a10, …, a1
ДО СИБГУТИ Информатика Работа Лабораторная
User ВитОс : 20 марта 2016
50 руб.
Контрольная работа №1. Вариант 07. Устройства оптоэлектроники
1.Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор 2.Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . 3.Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходо
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Lanisto : 12 марта 2015
150 руб.
up Наверх