Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Контрольная работа.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора КП307В построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора КТ819А определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Задача 3.
Принципиальная схема логического элемента приведена на рис. 3.1
Дано:
• напряжение питания – 9В;
• пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 – 1В;
• уровень входного напряжения = 0,5В.

Дополнительная информация

Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Проверил: Игнатов Александр Николаевич
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).10-й Вариант
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр
User Petr1 : 9 февраля 2019
130 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вариант 6 Контрольная работа
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вариант 6 Контрольная работа Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. UСИ0 = 5В; UЗИ0 = -3,2В Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора опр
User SOKOLOV : 2 марта 2025
322 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вариант 6 Контрольная работа
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №3. Контрольная работа.
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User holm4enko87 : 17 января 2025
300 руб.
promo
Теплотехника СибАДИ 2009 Задача 1 Вариант 13
Задан объемный состав газовой смеси: rCH4, rCO2, rCO. Определить массовый и мольный составы смеси, кажущуюся молекулярную массу, газовую постоянную, удельный объем и плотность смеси при давлении смеси p и температуре смеси t. Определить также массовую, объемную и мольную теплоемкость смеси. При этом считать теплоемкость не зависящей от температуры, а мольные теплоемкости компонентов соответственно равны: (μср)СН4=37,7 кДж/(кмоль·К); (μср)СО2=37,7 кДж/(кмоль·К); (μср)СО=29,3 кДж/(кмоль·К
User Z24 : 14 декабря 2025
180 руб.
Теплотехника СибАДИ 2009 Задача 1 Вариант 13
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 7 Вариант 32
Для теоретического цикла ГТУ с подводом теплоты при постоянном давлении определить: — параметры (р, υ, Т) рабочего тела (воздуха) в характерных точках цикла 1, 2, 3 и 4; — подведенную и отведенную теплоту; — работу и термический КПД цикла; — теоретическую мощность ГТУ при заданном расходе воздуха G. Начальное давление р1=0,1 МПа, начальная температура t1=27 ºC, степень повышения давления в компрессоре π, температура газа перед турбиной t3. Дать схему и цикл установки в p-υ и T-
User Z24 : 19 декабря 2025
240 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 7 Вариант 32
Курсовая работа по дисциплине: Вычислительная математика. Вариант №1
Фамилия на согласную Имя на согласную Задание к работе: Напряжение в электрической цепи описывается дифференциальным уравнением с начальным условием. 1. Найти аналитически интервал изоляции положительного корня заданного нелинейного уравнения, вычислив производную левой части уравнения и составив таблицу знаков левой части уравнения на всей числовой оси. 2. Написать программу, которая: а) находит k – наименьший положительный корень заданного нелинейного уравнения из найденного в пункте 1 инте
User IT-STUDHELP : 2 июля 2019
350 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Вычислительная математика. Вариант №1 promo
Курсовая работа по дисциплине: Сети связи. Тема: “Проект ГТС на базе SDH(СЦИ)”
ЗАДАНИЕ К курсовому проекту по дисциплине “Сети связи” Тема: “Проект ГТС на базе SDH(СЦИ)” Исходные данные: 1. Назначение станций: городские РАТС типа S-12, EWSD и АТСК 2. Структурный состав абонентов станций: • Аппараты квартирного сектора: 54% • Аппараты делового сектора: 45% • Количество таксофонов: 0,6% от емкости АТС • Кабины переговорных пунктов: 0,1% от емкости АТС • Количество м/г таксофонов: 0,3% от емкости АТС • Доли ТА с тастатурными номеронабирателями: δК=0,4; δД=0,5 3. Да
User ss011msv : 13 ноября 2012
250 руб.
up Наверх