Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №8

Цена:
350 руб.

Состав работы

material.view.file_icon AB9535BC-9EFB-417B-8510-96F5D3FD8AB4.doc [ 219 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1. Структурные схемы и поколения ОУ.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка - отлично!
Дата сдачи: июнь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru

Похожие материалы

Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет: № 8.
1. Структурные схемы и поколения ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Доцент : 27 января 2015
130 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User snrudenko : 31 января 2017
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиал
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User natin83 : 31 января 2015
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»
1. Свойства р-n перехода при прямом включении. 2. Сумматор на основе ОУ.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 2 апреля 2013
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель 3 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики 6 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристи
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User kisa7 : 21 июля 2012
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине "Электроника"
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом р-типа. составьте таблицу истинности. приведите пример передаточной характеристики. объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общ
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User levis434 : 17 января 2012
50 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Информатика. Билет №8
Билет № 8 1. Найти a+b, a=11101,01(2); b=1100,11(2), не переходя в десятичную систему счисления. 2. Записать число 95 в троичной уравновешенной системе счисления. 3. Пусть для записи вещественного числа в компьютере выделяется под мантиссу 10 разрядов, под порядок со сдвигом также 10 разрядов. Старшая единица в мантиссу не пишется, как в типе REAL. Чему равно в этом случае минимальное по модулю число, представимое в данном типе?
ДО СИБГУТИ Информатика Работа Экзаменационная
User Roma967 : 18 июля 2024
300 руб.
promo
Экзаменационная работа По дисциплине: Статистика. билет 8
ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ: 1. Корреляционно-регрессионный анализ используется: 1. при анализе тенденции развития ряда 2. при изучении взаимосвязей 3. при распределении единиц по какому-либо признаку 4. при проведении выборочного наблюдения 2. Какая формула соответствует средней гармонической: 3. Прогнозирование показателей проводится с помощью: 1. фналитического выравнивания 2. укрупнения периодов ряда 3. скользящей средней 4. индексного метода 4. Средний стаж работы работников составляет 18 лет, средн
ДО СИБГУТИ Статистика Работа Экзаменационная
User Samolyanova : 18 декабря 2017
400 руб.

Другие работы

Экзаменационная работа по дисциплине: Производственный менеджмент и маркетинг в отрасли инфокоммуникаций. Билет №13
Билет №13 5. Какие из характеристик относятся к характеристикам описания экспертов с точки зрения качества решения проблемы: - объективность - компетентность - присутствие на экспертизе - работа в группе 9. Запас времени, на который можно сдвинуть начало выполнения работы, при этом ранние начала последующих работ не меняются - частный резерв времени - полный резерв времени - критический путь 10. При ранжировании в методе экспертных оценок наиболее значимому фактору (объекту, параметру, показ
ДО СИБГУТИ Производственный менеджмент Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 23 мая 2019
600 руб.
promo
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 2 Вариант 3
Определить скорость θ равномерного скольжения прямоугольной пластины a×b×c (рис. 1) по наклонной плоскости под углом α = 12°, если между пластиной и плоскостью находится слой масла толщиной δ. Температура масла 30°С, плотность материала пластины ρ.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 1 декабря 2025
150 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 2 Вариант 3
Зачет. Финансовые рынки и институты. Вариант №3
1 Произведение курсовой стоимости акций АО на количество обращающихся акций этого АО показывает: 1 К ценным бумагам по Российскому законодательству относятся: 2 В РФ облигации могут выпускаться: 3 Доходность конвертируемых облигаций по сравнению с обыкновенными облигациями, как правило: 4 Вексель может быть выдан лицами: 5 Коммерческие банки в РФ на РЦБ в качестве профессиональных участников выступать 6 Найдите в правой колонке определение терминов, указанны
СибГУТИ Финансы Работа
User helen1105 : 9 марта 2015
170 руб.
Разработка технологического процесса изготовления втулки. анализ конструкции станины зубофрезерного полуавтомата модели 53Е20
Работа состоит из: Пояснительной записки: Аннотация Введение 1 Анализ конструкции изделия 1.1 Служебное назначение станка. Техническая характеристика 1.2 Техническая характеристика 1.3 Формообразование на станке 1.3.1 Определение кинематической группы станка. 1.4 Анализ уравнений кинематических цепей и кинематического баланса 1.4.1 Расчет предельных режимов обработки 1.4.1.1 Цепь главного движения 1.4.1.2 Определение величины подачи. 1.4.2 Принцип работы станка 1.4.3 Анализ кинематической
Дипломные проекты Работа Выпускная МГТУ "СТАНКИН"
User Boris7979 : 10 августа 2012
1500 руб.
Разработка технологического процесса изготовления втулки. анализ конструкции станины зубофрезерного полуавтомата модели 53Е20
up Наверх