Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
№ варианта: 7
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1 – Исходные данные
№ варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510
Список использованной литературы
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
№ варианта: 7
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1 – Исходные данные
№ варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510
Список использованной литературы
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: сентябрь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: сентябрь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Зачет. Вариант 07.
mirsan
: 15 мая 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
seka
: 11 ноября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему вк
70 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
50 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 5
Учеба "Под ключ"
: 24 декабря 2024
Лабораторная работа №2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом
Задание на выполнение лабораторной работы
Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и характеристику полевого транзистора.
Выполнение исследований
Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом
1. Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуциров
500 руб.
Особенности развития ребенка с ранним детским аутизмом
alfFRED
: 18 октября 2013
Введение
I. Понятие аутизм
II. Состояние проблемы в современной психолого-педагогической литературе
III. Психологическое развитие детей
IV. Причины возникновения, особенности речевой сферы и восприятия
1. Причины возникновения
2. Особенности речевой сферы
3. Особенности восприятия
V. Рекомендации родителям в оказании помощи детям с аутизмом
Заключение
Список литературы
Введение
В настоящее время аутичные люди часто страдают от самого разнообразного спектра проблем: аллергии на пищу,
10 руб.
Роль отца в развитии и социализации ребенка
alfFRED
: 12 октября 2013
. Влияние отца на психическое развитие ребенка
2. Последствия невыраженной роли отца в семье
3. Роль отца в социализации детей
1. Влияние отца на психическое развитие ребенка
Особенности отцовской роли в семье и воспитании детей определяются такими факторами, как:
- доступность для ребенка,
- включенность в совместную деятельность с ним,
- ответственность за материальное обеспечение,
- ответственность за организацию образовательно-воспитательной сферы ребенка.
Сравнение «включенных о
Моделирование бизнес-процессов. Готовый тест для сдачи в МФПУ «Синергия», МТИ, МОИ, МОСАП
kolonokus1
: 5 октября 2025
В тесте представлено 38 вопросов. Правильные варианты выделены цветным маркером. Сдавался в 2025 г. Формат файла – pdf.
1. В группе экспертов три человека с компетентностью (весами) 0,5; 0,3 и 0,2. Они оценили проект следующим образом: эксперт 1–8 баллов; эксперт 2–6 баллов; эксперт 3–7 баллов. Какова средневзвешенная оценка проекта?
Средневзвешенная оценка проекта = 7 балла
Средневзвешенная оценка проекта = 7,2 балла
Средневзвешенная оценка проекта = 7,4 балла
2. В компании хотят оценить,
220 руб.