Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07

Цена:
400 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E96B7AFC-783E-429D-BC7B-ACE77E623ED2.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор

Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
№ варианта: 7

Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1 – Исходные данные
№ варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510

Список использованной литературы

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: сентябрь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.

Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Устройства оптоэлектроники. Зачет. Вариант 07.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Излучатели на основе гетероструктур. Раздел Излучатели. 2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия кремникона. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
User mirsan : 15 мая 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Фототранзистор) Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1. Таблица 1 Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны 0 Ge 0,2 0,6 Задача №3 Изобразить принципиальную схему вк
User seka : 11 ноября 2018
70 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр Тип ПП материала – Ge; Квантовая эффективность,y-0,2; Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6 3 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
User Алексей1222 : 12 февраля 2018
50 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 5
Лабораторная работа №2 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом Задание на выполнение лабораторной работы Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и характеристику полевого транзистора. Выполнение исследований Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом 1. Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуциров
User Учеба "Под ключ" : 24 декабря 2024
500 руб.
promo
Особенности развития ребенка с ранним детским аутизмом
Введение I. Понятие аутизм II. Состояние проблемы в современной психолого-педагогической литературе III. Психологическое развитие детей IV. Причины возникновения, особенности речевой сферы и восприятия 1. Причины возникновения 2. Особенности речевой сферы 3. Особенности восприятия V. Рекомендации родителям в оказании помощи детям с аутизмом Заключение Список литературы Введение В настоящее время аутичные люди часто страдают от самого разнообразного спектра проблем: аллергии на пищу,
User alfFRED : 18 октября 2013
10 руб.
Роль отца в развитии и социализации ребенка
. Влияние отца на психическое развитие ребенка 2. Последствия невыраженной роли отца в семье 3. Роль отца в социализации детей 1. Влияние отца на психическое развитие ребенка Особенности отцовской роли в семье и воспитании детей определяются такими факторами, как: - доступность для ребенка, - включенность в совместную деятельность с ним, - ответственность за материальное обеспечение, - ответственность за организацию образовательно-воспитательной сферы ребенка. Сравнение «включенных о
User alfFRED : 12 октября 2013
Моделирование бизнес-процессов. Готовый тест для сдачи в МФПУ «Синергия», МТИ, МОИ, МОСАП
В тесте представлено 38 вопросов. Правильные варианты выделены цветным маркером. Сдавался в 2025 г. Формат файла – pdf. 1. В группе экспертов три человека с компетентностью (весами) 0,5; 0,3 и 0,2. Они оценили проект следующим образом: эксперт 1–8 баллов; эксперт 2–6 баллов; эксперт 3–7 баллов. Какова средневзвешенная оценка проекта? Средневзвешенная оценка проекта = 7 балла Средневзвешенная оценка проекта = 7,2 балла Средневзвешенная оценка проекта = 7,4 балла 2. В компании хотят оценить,
User kolonokus1 : 5 октября 2025
220 руб.
up Наверх