Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
№ варианта: 7
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1 – Исходные данные
№ варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510
Список использованной литературы
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
№ варианта: 7
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1 – Исходные данные
№ варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510
Список использованной литературы
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: сентябрь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: сентябрь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Зачет. Вариант 07.
mirsan
: 15 мая 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
seka
: 11 ноября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему вк
70 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
50 руб.
Другие работы
Контрольная работа №4 по дисциплине: "Физика" вариант №2
shpion1987
: 5 октября 2011
702. Яркость В) светящегося куба одинакова, во всех направлениях и равна 500 Kд/м2, ребро куба равно 20 см. Определить максимальную силу света ( Imax ) куба.
712. Черное тело имеет температуру Т1 = 500 К. Какова будет температура Т2 тела, если в результате нагревания поток излучения увеличится в n = 5 раз?
722. На поверхность калия падает свет с длиной волны λ = 150 нм. Опреде-лить максимальную кинетическую энергию Тmax фотоэлектронов.
732. Фототок, возникающий в цепи вакуумного фотоэлемента при
50 руб.
Статический и динамический анализ (Вариант № 16)
Решатель
: 20 января 2025
По схеме ниже необходимо выполнить статический и динамический анализ. Сигналы на входах указаны.
Статический анализ:
1. По первому такту определить реакцию схемы.
2. Провести анализ количества элементов.
Динамический анализ:
1. Построить диаграммы выходных сигналов элементов по двум тактам.
2. Рассчитать время задержки 3t.
1000 руб.
"Проект участка цеха с детальной разработкой единичного технологического процесса изготовления детали "Картер"
Schweppes
: 1 декабря 2008
В данной работе на основании чертежа детали и годовой программы проводится конструктивно-технологический анализ детали. Производится классификация и кодирование, а также отработка детали на технологичность. Выбирается вид исходной заготовки. Определяется тип производства.
Также мы проводим анализ схем базирования, составляем технологический маршрут и рассчитываем режимы резания и проводим нормирование данной операции.
В конструкторской части мы проектируем приспособление на одну из операций и пр
10 руб.
Приборы СВЧ и оптического диапазона. Контрольная работа №2. Вариант 05.
student90s
: 17 июля 2015
Тема: Выбор диодов СВЧ для конкретного применения
Задание:
1. Указать выбранные типы, обеспечивающие лучшее качество работы, и указать название, автора и страницы справочника.
2. Указать функциональное назначение выбранных типов диодов.
3. Привести параметры:
а) характеризующие качество работы;
б) номинальные электрические;
в) предельные эксплуатационные данные;
г) параметры эквивалентной схемы.
4. Привести вид и размеры корпуса.
Вариант выбрать из таблицы 1 по номеру пароля:
n - последняя циф
90 руб.