Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути до, вариант 1, экзамен)

Цена:
450 руб.

Состав работы

material.view.file_icon C4430115-37C5-47CD-9748-3DE49922039D.rar [ 142 KB ]
material.view.file_icon 0806_1.doc [ 222 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 03.05.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы изобразили схему усилительного каскада на БТ

Игнатов Александр Николаевич

Дополнительная информация

2018, Сибгути до, Игнатов Александр Николаевич, хорошо

Похожие материалы

Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Билет 1: 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Леший : 18 января 2021
500 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.

Другие работы

Курсовая работа по дисциплине: Программирование (Часть 2). Вариант 7. СИБГУТИ
ЗАДАНИЕ: Разработать программу на языке программирования C для создания и работы с двусвязным списком, состоящим из структур. Для работы со списком создать меню со следующими пунктами: 1. Создание списка. 2. Просмотр списка. 3. Добавление в список новой записи. 4. Поиск и корректировка записи в списке. 5. Удаление записи из списка. 6. Сохранение списка в файле. 7. Загрузка списка из файла. 8. Выход. Структура Пользователя содержит: фамилию, имя, отчество, адрес, год рождения. Изменять адрес по
ДО СИБГУТИ Программирование Работа Курсовая
User Kuki : 23 июня 2023
85 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Программирование (Часть 2). Вариант 7. СИБГУТИ
Иностранный язык (английский) (часть 2). Билет №1 (магистратура)
COPING WITH PROMOTION ENGINEERS FACE SPECIAL CHALLENGESIN ADAPTING TO A MANAGEMENT ROLE Being offered a promotion is typically cause for celebration. Apart from higher pay and maybe a better parking spot, it is a recognition of one’s skill and dedication. But a promotion can bring its own headaches—especially for engineers. In addition to universal challenges, such as when you become the boss of friends (or rivals), the very skills that land an engineer the promotion may become a stumbling bloc
Английский язык ДО СИБГУТИ Работа Зачетная
User SibGOODy : 23 октября 2018
150 руб.
promo
Місце та роль кредитних спілок на фінансовому ринку України
Об’єкт дипломного дослідження – система кредитних спілок України. Предмет дипломного дослідження – структурні та фінансові показники діяльності кредитних спілок на фінансовому ринку України за 2005 -2008 роки. Мета дипломного дослідження – оцінка місця, ролі, поточного стану та основних проблем діяльності кредитних спілок на ринку фінансових послуг України, розробка рекомендацій по перспективним напрямкам розвитку системи кредитних спілок України. Основні завдання дипломного дослідження: 1)
Финансы Работа
User evelin : 25 октября 2013
5 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 3 Вариант 5
Определить газовую постоянную, среднюю (кажущуюся) молекулярную массу смеси идеальных газов, если ее массовый состав следующий, %: СО2 18; О2 12; N2 70. Определить также удельный объем и плотность смеси при абсолютном давлении р1=0,1 МПа и температуре t1. Найти среднюю массовую теплоемкость смеси при постоянном давлении в интервале температур t1 и t2.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 7 ноября 2025
180 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 3 Вариант 5
up Наверх