Электроника. Экзамен.

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon A5CCDCD1-6F5D-44CD-B503-F9D299434B3B.rar [ 636 KB ]
material.view.file_icon Эл.Экзамен.ЖильцовАВ.docx [ 695 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).

Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка- отлично.

Похожие материалы

Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике

Другие работы

Механика, электростатика, электромагнетизм. Контрольная работа №1
112. С тележки, свободно движущейся по горизонтальному пути со скоростью v1 = 3 м/с, в сторону, противоположную движению тележки, прыгает человек, после чего скорость тележки изменилась и стала равной u1=4 м/с. Определить горизонтальную составляющую скорости u2X человека при прыжке относительно тележки. Масcа тележки m1 = 210 кг, масса человека m2=70 кг. 122. По небольшому куску мягкого железа, лежащему на наковальне массой m1 = 300 кг, ударяет молот массой m2 = 8 кг. Определить КПД h удара, есл
Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User СибирскийГУТИ : 7 сентября 2013
300 руб.
Безопасность технологических процессов и производств - Отчет по производственная практика (Техносферная безопасность). Общий вариант
Тип практики: по получению профессиональных умений и опыта профессиональной деятельности Наименование профильной организации/структурного подразделения СибГУТИ: в/на кафедру РТУиТБ СибГУТИ Направление: 20.03.01. Техносферная безопасность Профиль: Безопасность технологических процессов и производств Задание на производственную практику Согласно приказа № 2023 г Вы направляетесь на производственную практику на кафедру РТУиТБ. Во время прохождения производственной практики студент должен
Отчеты по производственной практике ДО СИБГУТИ Практические занятия и отчеты
User Roma967 : 28 декабря 2023
1300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Теория вероятностей и математическая статистика
Задание 1. 1. Формула полной вероятности. Формулы Бейеса. Повторение независимых испытаний. Формула Бернулли Задание 2. 2. Из урны, где находятся 8 белых и 4 черных шара, случайно вытащены 6 шаров. Какова вероятность того, что среди них будет 3 черных шара? Задание 3. Дискретная случайная величина имеет следующий ряд распределения Х -2 -1 0 5 10 р 0,11 0,22 0,11 а 0,04 Найти величину a, математическое ожидание и среднее квадратическое отклонение этой случайной величины. Задание 4. Непрерыв
Теория вероятностей и математическая статистика СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Кошка : 8 апреля 2016
180 руб.
ТЕСТЫ+Зачетная работа по дисциплине: " Русский язык и культура речи ".Сочинение Тема: Модное слово ХХI века. Харизма
Тест 1 к лекции: Логика, риторика, этика в системе культуры речи. 1. Какой элемент системы: логика, риторика, этика,- является системообразующим? • Логика, • Риторика, • Этика 2. Какие определения риторики являются полярными? • Элоквенция, • Агональная коммуникация, • Красноречие ..... Тест 2 к лекции: Язык и речь. Отличительные признаки. и тд.
СибГУТИ Русский язык и культура речи (Риторика) Работа Зачетная
User loly1414 : 26 февраля 2014
100 руб.
up Наверх