Физические основы электроники. Билет №8
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 27.02.2018
Рецензия:Уважаемый
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 27.02.2018
Рецензия:Уважаемый
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
300 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
Другие работы
Курсовая работа по предмету "Технологии разработки программного обеспечения". Вариант № 1
xtrail
: 19 апреля 2013
Содержание
Содержание 1
1. Формирование требований 2
2. Проектирование 3
2.1. Программное и аппаратное обеспечение 3
2.2. Объектно-ориентированная часть программы 3
2.3. Модульная структура программы 6
3. Реализация 8
3.1. Программирование 8
3.2. Документирование – разработка модели 14
3.3. Документирование 15
4. Оценка производительности 21
650 руб.
Ротор в сборе насоса НПС 65-35-500-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 6 июня 2016
Ротор в сборе насоса НПС 65-35-500-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.
Теория вероятностей, математическая статистика и случайные процессы. Контрольная работа. Вариант 8. СибГУТИ
Shamrock
: 2 февраля 2015
Задача № 1.
Вероятность соединения при телефонном вызове равна p. Какова вероятность, что соединение произойдёт только при k - ом вызове? При p=0,6 k=3
Задача № 2.
В одной урне K белых шаров и L чёрных шаров, а в другой – M белых и N чёрных. Из первой урны случайным образом вынимают P шаров и опускают во вторую урну. После этого из второй урны также случайно вынимают R шаров. Найти вероятность того, что все шары, вынутые из второй урны, белые.
При K=4 L=6 M=5 N=6 P=3 R=3
Задача № 3.
В типографии
250 руб.
Формирование рыночной стратегии и ее значение в деятельности организации
Elfa254
: 31 марта 2014
Процесс создания и внедрения стратегий обсуждается уже много лет. Стратегическое планирование сконцентрировано на рыночной среде, в которой осуществляет свою деятельность организация.
Для успешного функционирования организации в условиях постоянно изменяющейся окружающей ее среды, имеет смысл вести деятельность по заранее спланированной стратегии. Только при соблюдении этого условия у компании есть вероятность, что она выживет и будет процветать.
Стратегическое мышление и стратегическое управлен
5 руб.