Курсовая работа По дисциплине: Электроника. вариант №9
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
11.03.2019
-
Размер:
579 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Андрей124
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
F2EDC18B-9358-4469-9692-DAC05892552D.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы:
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов.
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Задание:
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Таблица 1
№ вар. Uпит, В Кu RВХ, МОм RH, к0м UНОМ, В fн. Гц fв, кГц Мн дБ Мв дБ Тип входа Тип выхода
09 -15 9 1.0 10 3 20 15 3 3 Н С
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов.
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Задание:
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Таблица 1
№ вар. Uпит, В Кu RВХ, МОм RH, к0м UНОМ, В fн. Гц fв, кГц Мн дБ Мв дБ Тип входа Тип выхода
09 -15 9 1.0 10 3 20 15 3 3 Н С
Похожие материалы
Курсовая работа По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Андрей124
: 31 августа 2019
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства
Таблица 1
№ вар. Uпит, В Кu RВХ, МОм RH, к0м UНОМ, В fн. Гц fв, кГц Мн дБ Мв дБ Тип входа Тип выхода
09 -15 9 1.0 10 3 20 15 3 3 Н С
Андрей124
: 31 августа 2019
20 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант №9.
Rufus
: 26 мая 2016
Техническое задание
Цель работы:
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов.
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Задание:
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Раз
Rufus
: 26 мая 2016
50 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант №9.
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Техническое задание
Цель работы:
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов.
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Задание:
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Раз
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
70 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант: № 9
alexkrt
: 19 января 2012
Задание:
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Техническое задание _____________________________________________3
Введение_______________________________________________________4
1. Разработка структурной схемы___________________________________5
2. Разработка принципиальной схемы
alexkrt
: 19 января 2012
100 руб.
Курсовая работа По дисциплине: Электроника
ннааттаа
: 1 сентября 2017
Содержание.
Техническое задание.
Введение.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Разработка интегральной микросхемы.
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
3.2. Разработка топологии.
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Заключение.
Список литературы.
Техническое задание.
Напряжение питания, В +9
Кu 4
Rвх, Мом 0,82
Rn, кОм 0,2
Uном, В 1
Fн, Гц 20
Fв, кГц 15
Мн, дБ 1
Мв, дБ 1
Тип входа не
ннааттаа
: 1 сентября 2017
300 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
karimoverkin
: 11 июня 2017
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики
Определим значения емкостей разделительных конденсаторов учитывая, что в приведенных ниже формулах коэффициент частотных искажений выбирается в разах ( , значение в разах ):
karimoverkin
: 11 июня 2017
250 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
Лесник
: 5 апреля 2017
1 часть. Электрический расчет цифровой схемы.
Задана схема ЛЭ на ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика).
Необходимо для 3-х комбинаций входных сигналов провести электрический расчет схемы.
Значения входных
сигналов
Входы
1 2 3 4
0 1 1 1
0 0 1 0
1 1 0 0
II часть. Разработка топологии ИМС.
Лесник
: 5 апреля 2017
70 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
BuKToP89
: 31 марта 2016
Задание
Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса ЭТП и МЭ и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Содержание курсовой работы:
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения.
Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов
BuKToP89
: 31 марта 2016
90 руб.
Другие работы
Внутренняя среда предприятия, её устойчивость в условиях конкурентного рынка
Aronitue9
: 3 марта 2013
Содержание
Введение
Общая характеристика внутренней среды организации
Понятие организации
Внутренняя среда организации и ее основные переменные
Цели и задачи
Структура
Технология
Персонал
Взаимосвязь переменных внутренней среды организации
Методы анализа ВС организации
Анализ внутренней среды организации на примере ОАО «Орский
машиностроительный завод»
Организационно-экономичесая характеристика ОАО «ОМЗ»
Анализ внутренней среды ОАО «ОМЗ»
Заключение
Список использованной литературы
Aronitue9
: 3 марта 2013
5 руб.
Узел снижения частоты двойных ходов станка качалки UP12T Сборочный чертеж: Вал, корпус с опорами, Корпус верхний, Спецификация-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.se92@mail.ru
: 22 мая 2018
Узел снижения частоты двойных ходов станка качалки UP12T Сборочный чертеж: Вал, корпус с опорами, Корпус верхний, Спецификация-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.se92@mail.ru
: 22 мая 2018
553 руб.
Ответы к экзамену по дисциплине "Моделирование систем" в МИРЭА
rsp6m2
: 23 сентября 2014
Ответы на вопросы к экзамену по дисциплине "Моделирование систем", преподаваемой в МИРЭА в рамках специальности "Информационные системы и технологии".
Ответы приведены в Word-файле.
В списке вопросов 40 позиций, есть ответ на каждый.
Информация собиралась с различных пособий, лекций и из Интернета.
Ответы были сделаны в 2014 году (зимняя сессия).
Список вопросов можно посмотреть на приложенном скрине.
rsp6m2
: 23 сентября 2014
75 руб.
Воздействие радиационного излучения на операционные усилители
alfFRED
: 13 ноября 2012
Обзор по теме
“Воздействие ионизирующего излучения на ИОУ. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости ИОУ при воздействии импульсного ионизирующего излучения ”
2006
СОДЕРЖАНИЕ
1.Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем.
1.1. Классификация радиационных эффектов.
1.2. Действие облучения на биполярные транзисторы
1.3. Действие облучения на униполярные транзисторы
1.4. Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС
3
2.
alfFRED
: 13 ноября 2012
10 руб.
