Электротехника, электроника и схемотехника. Часть 2. Вариант №22
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
22 КП 903А 14 -8
Рисунок П.2.10
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
22 КТ602А 25
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряженияМДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Таблица 2
цифра студенческого пароля Схема устройства Напряжение питания операционного усилителя, В. Номиналы резисторов, кОм. Амплитуда входного напряжения, мВ
R1 R2 R3
2 Рис. 2а ±12 3 33 2,7 150
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
22 КП 903А 14 -8
Рисунок П.2.10
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
22 КТ602А 25
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряженияМДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Таблица 2
цифра студенческого пароля Схема устройства Напряжение питания операционного усилителя, В. Номиналы резисторов, кОм. Амплитуда входного напряжения, мВ
R1 R2 R3
2 Рис. 2а ±12 3 33 2,7 150
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Дополнительная информация
Проверил: Борисов А.В.
2019 г.
2019 г.
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №22
IT-STUDHELP
: 29 декабря 2021
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1. Исследование полупроводниковых диодов при прямом включении
2. Исследование полупроводниковых диодов при обратном включении
3. Исследование стабилитрона
4. Исследование выпрямителя
Отчет по лабораторной работе №2
Исс
450 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
200 руб.
Другие работы
Радиоприемные устройства. Лабораторная работа №5. Вариант 04
MN
: 11 марта 2015
Исследование детекторов частотно-модулированных сигналов
1. Цель работы
Изучение принципов работы и основных характеристик детекторов частотно-модулированных колебаний. Экспериментальное исследование схем частотных детекторов (ЧД) с двумя взаимно расстроенными контурами и автокорреляционного (с элементом задержки).
2. Расчетная часть
Исходные данные для расчета
Средняя частота сигнала f0 = 100 кГц.
Девиация частоты ΔfД = 10кГц.
Обобщенная начальная расстройка контуров .
Коэффициент усиления по
200 руб.
Психологические теории интеллекта
Slolka
: 19 октября 2013
Введение
1. Основные теории интеллекта
1.1 Психометрические теории интеллекта
1.2 Когнитивные теории интеллекта
1.3 Множественные теории интеллекта
2. Теории интеллекта в исследовании М.А. Холодной
2.1 Гештальт-психологическая теория интеллекта
2.2 Этологическая теория интеллекта
2.3 Операциональная теория интеллекта
2.4 Структурно-уровневая теория интеллекта
2.5 Теория функциональной организации познавательных процессов
Заключение
Список использованных источников
Введение
Стату
Розробка конусної інерційної дробарки
SerFACE
: 4 декабря 2014
Конусні дробарки класифікуються по наступним признакам.
По технологічному призначенню :
- дробарки крупного подрібнення ( ККД ) ; максимальний розмір куска,
який поступає в залежності від величини дробарки тримається від 400…1200 мм при ширині вихідного отвору від 75…180 мм ; продуктивність при роботі на вапняку – від 390…2000 т/год ;
- дробарки середнього подрібнення ( КСД ) ; максимальний розмір куска, який поступає в залежності від величини дробарки – від 65…300 мм при ширині вихідного отв
350 руб.
Экзамен. Вариант №18 по дисциплине: Направляющие системы электросвязи
1309nikola
: 28 июня 2017
1. Назначения, классификация и технические требования к оптическим соединителям.
2. Критические параметры WDM систем и методы их измерения.
120 руб.