Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №5. Экзамен.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Экзаменационная работа.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.

2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 04.03.2017
Рецензия:Уважаемый ,Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока
User nik200511 : 20 января 2024
83 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
User Cole82 : 5 июня 2015
21 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.
Лабораторная работа №№1-3 по дисциплине: Основы администрирования сетевых устройств. Цифры 12
Лабораторная работа 1 3.2 Построение простейшей сети Цель работы: Изучение процесса настроек сетевых интерфейсов при построении простейшей компьютерной сети. Известно, что компьютерная сеть – это несколько компьютеров, объединенных в сеть, поэтому для построения одного из вариантов простой сети достаточно использовать 2 компьютера и, например, коммутатор в качестве устройства объединения. Для создания такой сети в среде моделирования нужно выполнить несколько действий: 1. Убедиться, что задейс
User IT-STUDHELP : 3 декабря 2021
600 руб.
promo
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 9.19
Насос (рис. 9.12) подаёт воду в водонапорную башню по трубопроводу длиной l=30 м, диаметром d=5 см. Манометрическое давление, которое создает насос, р=5,2 бар. Вода движется по трубопроводу со скоростью υ=2,6 м/c. Определить, на какую высоту поднимется жидкость, если коэффициент гидравлического трения λ=0,038. Местными потерями напора пренебречь.
User Z24 : 17 октября 2025
150 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 9.19
Устойчивое инновационное региональное развитие как экологический императив
В данном докладе обобщен опыт, накопленный за три года в Международном университете природы, общества и человека "Дубна" при анализе ситуации в регионах России и реализации ряда проектов в сфере устойчивого инновационного развития. В результате сформировалась точка зрения, что синтез экономических и экологических критериев приводит к тому, что одним из важнейших экологических императивов является устойчивое инновационное региональное развитие, формируемое на основе колец трансфера знаний. В отн
User alfFRED : 2 сентября 2013
10 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 3 Вариант 77
Стальной трубопровод диаметром d1/d2=100 мм/110 мм с коэффициентом теплопроводности λ1 покрыт изоляцией в 2 слоя одинаковой толщины δ2=δ3=50 мм, причем первый слой имеет коэффициент теплопроводности λ2, второй λ3. Определить потери теплоты через изоляцию с 1 м трубы, если температура внутренней поверхности t1, а наружной поверхности изоляции t4. Определить температуру на границе соприкосновения слоев t3. Как изменится величина тепловых потерь с 1 м трубопровода, если слой изоляции поменять ме
User Z24 : 12 января 2026
200 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 3 Вариант 77
up Наверх