Физические основы электроники.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
22.10.2019
-
Размер:
123 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
opa154
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЛР№3.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лаб раб №3
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Порядок проведения лабораторной работы.
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604
IС,мА 0,64 0,54 0,42 0,30 0,20 0,10 0,05 0,03 0,02 0,01 0,01
По графику передаточной характеристики определяем значение напряжения отсечки UЗИ0=-0,457В (значение напряжения на затворе, при котором ток стока IC снизился до 0,1мкА)
Снятая с осциллографа передаточная вольтамперная характеристика представлена на рисунке 3.2.
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Порядок проведения лабораторной работы.
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604
IС,мА 0,64 0,54 0,42 0,30 0,20 0,10 0,05 0,03 0,02 0,01 0,01
По графику передаточной характеристики определяем значение напряжения отсечки UЗИ0=-0,457В (значение напряжения на затворе, при котором ток стока IC снизился до 0,1мкА)
Снятая с осциллографа передаточная вольтамперная характеристика представлена на рисунке 3.2.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.06.2019
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.06.2019
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
kombatowoz
: 7 декабря 2019
200 руб.
Другие работы
Актуальные вопросы уголовного преследования по экономическим преступлениям и его оперативного сопровождения.Тест Синергия 2022г (92 балла)
annaserg
: 3 октября 2022
Сдано на 92 балла в 2022г.! Верно 23 из 25.Скриншот с отметкой прилагается к работе. Ответы выделены цветом.
После покупки Вы получите файл с ответами на вопросы которые указаны ниже:
1. В зависимости от возможности достижения цели расследования следственные ситуации бывают:
реальные и условные
первоначальные и конечные
благоприятные и неблагоприятные
конфликтные и бесконфликтные
2. Перетаскивая элементы мышью, сгруппируйте их в пары так, чтобы левый элемент в каждой паре соответствовал право
annaserg
: 3 октября 2022
250 руб.
Насильство й жорстокість як категорії етики
Elfa254
: 27 сентября 2013
1. Яке місце займає проблема насильства в моралі
Якби можна було виразити сутність моралі одним словом, то це слово - ненасильство. Відношення до насильства є тією критичною крапкою, по якій можна випробувати мораль. Через відношення до насильства перевіряється дієвість моралі.
Не випадково самою древньою забороною, що ознаменувала виникнення моральності, була заборона вбивства як крайньої форми насильства.
2. Чому моральні вимоги звичайно мають форму заборон
Мораль припускає індивідуальну в
Elfa254
: 27 сентября 2013
Формирование персонала и эффективность его использования
Qiwir
: 23 октября 2013
В настоящие время потенциальное предложение рабочий силы имеет слабовыраженную тенденцию к увеличению. В России, как и в других в новых независимых государствах, после распада СССР, потери занятости были также ощутимы, как и спад производства.
Являясь главными определяющими элементами системы управления, трудовые ресурсы оказывают решающие влияние на ее формирование и совершенствования.
Сущность управления трудовых ресурсов раскрывается с пом
Qiwir
: 23 октября 2013
10 руб.
Лабораторная работа №4. Семестр 1-й. Вариант №7. Программирование на языках: Pascal
kiana
: 31 января 2014
Задание
Написать программу, которая выводит на экран изображение заданного графического объекта (с соблюдением заданной цветовой гаммы).
kiana
: 31 января 2014
50 руб.
