Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №1

Состав работы

material.view.file_icon 02A88CB2-D0FC-4443-B928-74CC3DD32872.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет 1

1. Для кристаллического состояния вещества характерны:
а) высокая электропроводность;
б) анизотропия свойств;
в) высокая пластичность;
г) коррозионная устойчивость.

2. Твердое тело, представляющее собой совокупность неориентированных относительно друг друга зерен-кристаллитов, представляет собой:
а) текстуру;
б) поликристалл;
в) монокристалл;
г) композицию.

3. Кристалл формируется путем правильного повторения микрочастиц (атомов, ионов, молекул) только по одной координате:
а) верно;
б) верно только для монокристаллов;
в) неверно;
г) верно только для поликристаллов.

4. Для аморфных материалов характерно:
а) наличие фиксированной точки плавления;
б) наличие температурного интервала плавления; 
в) отсутствие способности к расплавлению.

5. Процесс, состоящий в ограниченном смещении или ориентации связанных зарядов в диэлектрике при воздействии на него электрического поля, называется:
а) деформацией;
б) кристаллизацией;
в) поляризацией;
г) пробоем.

6. Электретом называется твёрдый диэлектрик способный за счёт предварительной поляризации или электризации длительно создавать в окружающем пространстве:
а) магнитостатическое поле;
б) переменное магнитное поле;
в) электромагнитное поле;
г) переменное электрическое поле;
д) электростатическое поле.

7. Напряжение теплового пробоя твёрдого диэлектрика с ростом частоты:
а) увеличивается;
б) уменьшается;
в) сначала увеличивается, а потом уменьшается;
г) сначала уменьшается, а потом увеличивается;
д) не изменяется.

8. Электронная поляризация это:
а) перемещение в электрическом поле свободных электронов и накопление их с образованием поляризованных областей;
б) упругое смещение электронных орбит относительно положительно заряженного ядра под действием внешнего электрического поля;
в) смещение и упорядочение электрических зарядов под действием электрического поля;
г) нет правильного ответа.

9. Полупроводник – это:
1) Вещество, являющееся смесью металла с диэлектриком;
2) Вещество, являющееся по своей удельной проводимости промежуточным между проводником и диэлектриком;
3) Металл с большим удельным сопротивлением;
4) Вещество, проводимость которого обусловлена движением ионов.

10. Электропроводность полупроводников обусловлена:
а) только электронами;
б) электронами и дырками;
в) ионами;
г) только атомами;
д) ионами и атомами.

11. В собственном полупроводнике концентрация дырок:
а) равна концентрации акцепторов;
б) больше концентрации электронов;
в) равна концентрации доноров;
г) меньше концентрации;
д) равна концентрации электронов

12. Примесный полупроводник-это:
а) Смесь нескольких различных полупроводников;
б) Сплав германия и кремния;
в) Механическая смесь частиц металла и диэлектрика;
г) Полупроводник, содержащий в небольшой концентрации примесь с валентностью, отличной на единицу от валентности основного вещества.

13. К основным параметрам проводниковых материалов относятся:
а) контактная разность потенциалов, предел прочности, твердость;
б) сила тока, напряжение, сопротивление, термо-ЭДС;
в) пластичность, магнитная проницаемость, свариваемость;
г) удельная электропроводность, температурный коэффициент удельного сопротивления, предел прочности при растяжении.

14. Удельное сопротивление проводниковых материалов определяется следующими факторами:
а) геометрические размеры образца;
б) внутренние кристаллические напряжения;
в) освещенность;
г) химический состав.

15. Ширина запрещённой зоны в проводниках:
а) не более 0,3 эВ;
б) от 0,3 до 1 эВ;
в) от 0,3 до 3 эВ;
г) от 1 до 10 эВ;
д) более 3 эВ.

16. Удельная электрическая проводимость металлических проводников (кроме редкоземельных металлов) с ростом температуры:
а) только возрастает;
б) только убывает;
в) не изменяется;
г) сначала убывает, а потом не меняется;
д) сначала возрастает, а потом убывает

17. Материалы, обладающие большой коэрцитивной силой (больше 4000А/м) и большой остаточной индукцией, называются;
а) магнитомягкими материалами;
б) магнитотвердыми материалами;
в) проводниковыми материалами;
г) диэлектрическими материалами;
д) полупроводниковыми материалами.

18. Если атомные магнитные моменты вещества ориентированы относительно друг друга параллельно и сонаправленно с направлением внешнего поля, то оно является:
а) парамагнетиком;
б) диамагентиком;
в) ферромагнетиком;
г) ферримагнетиком.

19. Магнитомягкие материалы используются для изготовления:
а) магнитопроводов;
б) постоянных магнитов;
в) конструкционных деталей;
г) радиаторов.

20. Небольшим изменением угловой скорости орбитального вращения электрона при внесении атома в магнитное поле характеризуется:
а) диамагнетик;
б) парамагнетик;
в) ферромагнетик
г) антиферромагнетик;
д) ферримагнетик.

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: октябрь 2019 г.
Преподаватель: Фадеева Н.Е.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Материалы и компоненты электронной техники
Материалы и компоненты электронной техники контрольная работа задачи Задача № 3.1.2 Задача № 3.1.4 Задача 3.2.3 Задача № 3.2.4 Задача № 3.3.1 Задача № 3.3.2 Задача № 3.4.2. Задача № 3.4.8 Задача 3.5.88 контрольная работа зачтена.
User s800 : 30 сентября 2025
500 руб.
Материалы и компоненты электронной техники
Материалы и компоненты электронной техники
№ вар 3.1 Проводники 3.2 Полупроводники 3.3 Диэлектрики 3.4 Магнитные материалы 3.5 Радиокомпоненты 13 1.4 1.5 2.3 2.7 3.13 3.27 4.3 4.8 5.13 5.33
User Vladimir54 : 30 мая 2022
350 руб.
Материалы и компоненты электронной техники
Задача No 3.1.1 Пленочный резистор состоит из трех участков, имеющих различные сопротивления квадрата пленки R1=10 Ом; R2=20 Ом; R3=30 Ом. Определить сопротивление резистора. Задача No 3.1.2 Вычислить падение напряжения на полностью включенном реостате, изготовленном из константановой проволоки длиной 10 м, при плотности тока 5 А/мм2. Удельное сопротивление константана принять равным 0,5 мкОм·м. Задача No 3.1.3 Сопротившление вольфрамовой нити электрической лампочки при составляет 35 Ом. Опред
User Bondi : 30 марта 2022
20 руб.
Материалы и компоненты электронной техники
контрольная работа, вариант 38 Задача No 3.1.4 Определить длину нихромовой проволоки диаметром 0,5 мм, используемой для изготовления нагревательного устройства с сопротивлением 20 Ом при температуре 1000 °С, полагая, что при 20°С параметры нихрома: удельное сопротивление 1 мкОм∙м, температурный коэффициент удельного сопротивления 0,00015 К-1, температурный коэффициент линейного расширения 0,000015 К-1. Задача No 3.1.8 Определить длину проволоки из нихрома марки Х20Н80 для намотки проволочного ре
User tatacava1982 : 17 сентября 2020
700 руб.
Материалы и компоненты электронной техники
Зачетная работа по дисциплине: "Материалы и компоненты электронной техники". Вариант общий.
Материалы и компоненты электронной техники Вопрос №1 Какие из факторов приводят к увеличению электропроводности диэлектриков: наличие загрязнений понижение температуры повышение влажности длительная эксплуатация Вопрос №2 Кристалл формируется путем правильного повторения микрочастиц (атомов, ионов, молекул) только по одной координате: верно верно только для монокристаллов неверно верно только для поликристаллов Вопрос №3 Система атомов, определенным образом расположенных в пространст
User teacher-sib : 22 мая 2021
500 руб.
Зачетная работа по дисциплине: "Материалы и компоненты электронной техники". Вариант общий. promo
Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №08
Билет №8 4. Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов? 27. Почему в диэлектриках характер собственной электропроводности ионный, а не электронный?
User hellofromalexey : 7 мая 2020
280 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №08
Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники Билет №5
Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники Билет №5 1. Свойства, зависимые от направления внешнего воздействия сил на кристалл это – : а) полиморфные свойства б) изоморфные свойства в) аллотропные свойства г) изотропные свойства д) анизотропные свойства 2. Система атомов, определенным образом расположенных в пространстве это – : а) параметры решетки б) координационное число в) плоскость симметрии г) кристаллическая решетка д) элементарная ячейка 3. Свойства, н
User dralex : 27 января 2020
180 руб.
Зачетная работа По дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №2.
Билет 2 1. Вещество, состоящее из атомов одного химического элемента, называется: а) химически чистым; б) химически простым; в) химическим соединением. 2. Вещество, состоящее из однородных атомов или молекул, и содержащее некоторое количество другого вещества, не превышающее заданного значения, называется: а) химически чистым; б) химически простым; в) химическим соединением. 3. Укажите виды точечных статических дефектов кристаллической структуры: а) дислокации; б) вакансии; в) фононы; г) межд
User teacher-sib : 15 января 2020
300 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине "Вычислительная техника"
1. Преобразовать восьми- и шестнадцатиричные числа в двоичную систему счисления: 2. Перевести в десятичную систему счисления: 3. Пользуясь дополнительным кодом сложить пары чисел: 4. Пользуясь правилом де Моргана преобразовать выражение и составить структурную схему в базисе И-НЕ:
User ohotnik1986 : 9 марта 2010
80 руб.
Состояние и совершенствование зарубежных связей Москвы с зарубежными странами
СОДЕРЖАНИЕ Введение Глава 1 Научные основы формирования зарубежных связей г. Москвы 1.1 Содержание и правовые основы зарубежных связей г. Москвы 1.2 Роль и значение зарубежных связей Москвы с зарубежными странами Глава 2 Анализ зарубежных связей г. Москвы с зарубежными странами 2.1 Общая характеристика международных связей г. Москвы 2.2 Оценка зарубежных связей г. Москвы в современных условиях Глава 3 Основные направления развития зарубежных связей г. Москвы 3.1 Разработка комплекса мер
User VikkiROY : 9 сентября 2013
15 руб.
Сравнительный анализ самооценки младших школьников и подростков
Введение ГЛАВА 1. Теоретические аспекты исследования самооценки 1.1 Понятие самооценки как психологической категории 1.2 Особенности самооценки у младших школьников 1.3 Особенности самооценки у подростков ГЛАВА 2. Экспериментальное исследование самооценки младших школьников и подростков 2.1 Программа исследования самооценки у младших школьников и подростков 2.2 Интерпретация результатов0 Заключение Список литературы Приложение 1 Приложение 2 Приложение 3 Введение Известно, что личн
User evelin : 13 октября 2013
5 руб.
Структура психических функций и психологической симптоматики в норме и патологии
Содержание I. Теоретическая часть 1.1 Проблема психической нормы и патологии 1.2 Высшие психические функции в норме и при патологии 1.3 Понятие "клинико-психологический синдром" ІІ Практическая часть 2.1 Психокоррекционное занятие Список использованной литературы І. Теоретическая часть 1.1 Проблема психической нормы и патологии Клиническая психология занимается проблемой определения, что же такое психическая норма и патология. В рамках нозологического подхода принято выделять
User alfFRED : 14 октября 2013
10 руб.
up Наверх