Физические основы электроники
-
Категории:
******* Не известно, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
07.12.2019
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
kombatowoz
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
ЛР№1.doc
|
|
ЛР№2.doc
|
|
ЛР№3.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3 Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3 Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники.
opa154
: 22 октября 2019
Лаб раб №3
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Порядок проведения лабораторной работы.
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604
IС,мА 0,64 0,54 0,
opa154
: 22 октября 2019
120 руб.
Другие работы
Лабораторная работа № 1, 2, 3 Защита информации Все варианты
SibSUTTI
: 29 августа 2023
2022 год
СибГУТИ
Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
Мерзлякова Екатерина Юрьевна
Тема: Шифры с открытым ключом
Задание
Лабораторная работа №1
Тема: Шифры с открытым ключом (Глава 2)
Задание:
1.Написать и отладить набор подпрограмм (функций), реализующих алгоритмы возведения в степень по модулю, вычисление наибольшего общего делителя, вычисление инверсии по модулю.
2. Используя написанные подпрограммы, реализовать систему Диффи-Хеллмана, шифры Шамира, Эль-Гама
SibSUTTI
: 29 августа 2023
38 руб.
Макроэкономика и её особенности в условиях формирования социально ориентированной рыночной экономики
alfFRED
: 18 ноября 2013
Республика Беларусь и другие постсоциалистические страны в ходе экономических реформ переходят от административно-командной системы к современной рыночной экономике. Вначале преобладала точка зрения (причем и среди отечественных, и среди иностранных экономистов), что этот переход займет годы. Теперь становится ясно, что этот переход растянется на десятилетия. В постсоциалистических странах еще долгое время будет существовать своеобразная, так называемая переходная экономическая система, или экон
alfFRED
: 18 ноября 2013
10 руб.
Курсач по отц
FOXятина
: 2 июня 2009
АНАЛИЗ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ Вариант 15
курсовая работа по ОТЦ 1 курс(выполнена на 5)
FOXятина
: 2 июня 2009
Основы схемотехники
glec
: 26 января 2013
семестр 3 Билет 1 – 9
Билет 1 – 9
1. Привести схему балансного дифференциального каскада на биполярных транзисторах с эмиттерной стабилизацией в каскадах. Рассчитать сопротивление резистора в цепи эмиттеров, если известно, что i КО1 = i КО2 = 4 мА, h21Э1 = h21Э2 = 20, а падение напряжения на этом резисторе равно 1,5 В
2. Чему равен сквозной коэффициент усиления по напряжению операционного усилителя, если выход соединен с инвертирующим входом резистором 200 кОм. Усиление усилителя по напряжению р
glec
: 26 января 2013
70 руб.
