Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
200 Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4ID: 205932Дата закачки: 11 Января 2020 Продавец: SibGUTI (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант №4 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” 1.1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и пере-ходные характеристики). 1.2. Подготовка к работе 1.2.1. Изучить следующие вопросы курса: - цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления; - свойства и особенности каскадов предварительного усиления; - назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада; - амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) резисторного каскада; - переходные характеристики резисторного каскада; - эквивалентные схемы и линейные искажения в резисторном каскаде; расчетные соотношения для резисторного каскада. 1.2.2. Для заданной схемы, в соответствии с исходными данными, указанными в таблице 1, рассчитать следующие параметры усилителя: - коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиле-ния каскада; - коэффициент частотных искажений каскада на частоте 100Гц, обуслов-ленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопро-тивления в цепи коллектора R4; - коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100кГц, обусловлен-ной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. - время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада: - относительный спад плоской вершины прямоугольного импульса боль-шой длительности (tи = 5000мкс) вследствие влияния разделительных емкостей. Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА. Варианты значений входной (С1) и выходной (С2) разделительной емко-сти, а также емкости нагрузки С3, указанные в таблице 1, выбираются по по-следней цифре пароля. Таблица 1 – Варианты значений емкостей № 4 С1, мкФ 3 С2, мкФ 4.0 С3, пФ 500 С5, мкФ 400 1.4 Задание для исследования Для данного усилительного каскада представляет интерес решение трех основных задач: 1. Исследование амплитудно-частотных (ЛАЧХ) характеристик усилителя с целю исследования влияния реактивных элементов: - без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (при включении большой емкости в цепь эмиттера) при номинальных значениях компонентов; - без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току при уменьшении Ср2 и увеличении Сн (примерно в 2 раза); - с частотно-независимой обратной связью (без подключения емко-стей в цепи эмиттера транзистора); - с частотно-зависимой обратной связью (при включении малой емкости эмиттера, на несколько порядков меньше номинальной (например, Сэ = 4нФ), являющейся элементом высокочастотной коррекции). В отчете необходимо привести (либо качественно, либо с применением программ компьютерного моделирования) все четыре АЧХ, изображенные для сравнения на одном графике. Отметить, как изменился коэффициент усиления на средних частотах К(fср) и как изменились граничные частоты при допустимых частотных искажениях Мн = Мв = 1,41. Объяснить результаты экспериментов. 2. Исследовать переходную характеристику каскада в области малых времен (tи = 5 мкс). Объяснить причины и механизм возникновения переходных искажений импульсов малой длительности. Какие элементы схемы вносят эти иска-жения? В отчете необходимо привести (либо качественно, либо с применением программ компьютерного моделирования) переходные характеристики для следующих вариантов: - без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (при включении большой емкости в цепь эмиттера) при номинальных значениях элементов схемы (указанных в таблице 1); - без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току при увеличении Сн (примерно в 2 раза); - с частотно-зависимой обратной связью (при включении малой ем-кости эмиттера, на несколько порядков меньше номинальной (например, Сэ = 4нФ), являющейся элементом высокочастотной коррекции) при номинальных значениях элементов схемы (указанных в таблице 1).. Все три переходные характеристики необходимо для сравнения изобразить на одном графике. Отметить, как изменилась амплитуда импульса и показать, как изменилось время установления импульса. Объяснить результаты экспериментов. Под временем установления (tуст), характеризующего длительность (кру-тизну) переднего фронта, понимается интервал времени, за напряжение возрастет от уровня 0.1Uуст, до на уровня 0.9Uуст, где Uуст – установившееся значение, под которым понимается значение напряжения в конце импульса. 3. Исследовать переходную характеристику каскада в области больших времен (tи = 2 мс = 2000 мкс). Объяснить причины и механизм возникновения переходных искажений импульсов малой длительности. Какие элементы схемы вносят эти иска-жения? В отчете необходимо изобразить (либо качественно, либо с применением программ компьютерного моделирования) переходные характеристики для следующих вариантов: - без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (при включении большой емкости в цепь эмиттера) при номи-нальных значениях компонентов; - без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току при уменьшении Ср2 (примерно в 2 раза); - при частотно-независимой обратной связи (при отключении Сэ) при номинальных значениях элементов схемы (указанных в таблице 1).. Все три переходные характеристики необходимо для сравнения изобразить на одном графике. Отметить, как изменилась амплитуда импульса и показать, как изменился относительный спад вершины импульса. Объяснить результаты экспериментов. Под относительным спадом понимается отношение изменения напряжения за время длительности импульса к начальному размаху напряжения. Комментарии: Уважаемый студент дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1) Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка: Зачет Дата оценки: 11.01.2020 Рецензия: Уважаемый ......................................., Архипов Сергей Николаевич Размер файла: 290,5 Кбайт Фаил: ![]() ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 2 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать!
2020 г. Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторные работы №1-3. Вариант 2
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). Вариант общий Лабораторные работы №№1-2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант №1 Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Вариант №2 Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Тема: «Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе». Вариант №8 Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант 0 Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №1 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Схемотехника / Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4