Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники Билет №5

ID: 206313
Дата закачки: 27 Января 2020
Продавец: dralex (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Зачетная
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники Билет №5

1. Свойства, зависимые от направления внешнего воздействия сил на кристалл это – :
а) полиморфные свойства
б) изоморфные свойства
в) аллотропные свойства
г) изотропные свойства
д) анизотропные свойства

2. Система атомов, определенным образом расположенных в пространстве это – :
а) параметры решетки
б) координационное число
в) плоскость симметрии
г) кристаллическая решетка
д) элементарная ячейка

3. Свойства, не зависимые от направления внешнего воздействия сил на кристалл это –:
а) полиморфные свойства
б) изоморфные свойства
в) аллотропные свойства
г) изотропные свойства
д) анизотропные свойства

4. Кристалл – это часть пространства, заполненного параллельной трансляцией геометрического элемента, называемого,:
а) параметрами решетки;
б) координационным числом;
в) плоскостью симметрии;
г) кристаллической решеткой;
д) элементарной ячейкой;
е) ось симметрии.

5. Удельное электрическое сопротивление диэлектриков с увеличением температуры:
а) сначала убывает, а потом возрастает;
б) не изменяется;
в) сначала возрастает, а потом убывает;
г) только убывает;
д) только возрастает.

6. Ширина запрещённой зоны в диэлектриках:
а) не более 0,3 эВ;
б) от 0,3 до 1 эВ;
в) от 0,3 до 3 эВ;
г) от 1 до 10 эВ;
д) более 3 эВ.

7. С ростом толщины диэлектрика его напряжение пробоя:
а) увеличивается;
б) сначала увеличивается, а потом уменьшается;
в) уменьшается;
г) сначала уменьшается, а потом не изменяется;
д) не изменяется.

8. Сегнетоэлектрики–это:
а) диэлектрики, которые длительное время создают в окружающем пространстве электрическое поле за счет предварительной электризации или поляризации;
б) материалы, которые обладают спонтанной поляризацией в определенном диапазоне температур;
в) диэлектрики, являющиеся аналогами постоянного магнита.

9. Поставьте в соответствие полупроводник и его ширину запрещенной зоны:
А) кремний;   1) 0,67 эВ;
Б) германий;   2) 1,41 эВ;
В) селен;    3) 1,12 эВ;
Г) арсенид галлия.  4) 1,79 эВ.

10. Процесс образования электронно-дырочной пары называется
а) генерацией;
б) рекомбинацией;
в) инжекцией;
г) экстракцией;
д) диффузией.

11. Процесс исчезновения электронно-дырочной пары, т.е., когда электрон занимает вакансию, называется:
а) генерацией;
б) рекомбинацией;
в) инжекцией;
г) экстракцией;
д) диффузией.

12. Ток в полупроводнике, возникающий под действием электрического поля, называется:
а) диффузионным;
б) дрейфовым;
в) дисперсным;
г) рекомбинационным.

13. Проводник, у которого скачком увеличивается проводимость при определенной низкой температуре называется :
а) диэлектриком;
б) криопроводником;
в) полупроводником;
г) сверхпроводником.

14. Проводник, увеличивающий проводимость в определенном интервале низких температур называется:
а) диэлектриком;
б) криопроводником;
в) полупроводником;
г) сверхпроводником.

15. Материалы высокой проводимости используются для:
а) токопроводящих жил проводов, кабелей, тонкопленочных проводников и контактныхплощадок;
б) обкладок конденсаторов, резисторов, тонкопленочных проводников;
в) элементов корпусов, припоев, проводов, шнуров;
г) нагревательных элементов и термопар.

16. Факторы влияющие на свойство сверхпроводимости проводникового материала, это;
а) удельное сопротивление;
б) напряженность электрического поля;
в) критическая магнитная индукция;
г) критическая температура;
д) влажность среды.

17. Установите соответствие:
1) электротехническая сталь; а) алюминий+никель+кобальт
2) альсифер; б) железо+ углерод+ кремний
3) пермаллои; в) железо+ алюминий+ кремний
4) ферриты; г) Fe2O3•MeO
5) Альнико; д) железо+никель

18. Установите соответствие: 1) Чем больше площадь петли а) тоньше штампованные пластины, гистерезиса, тем: из которых собирают магнитопровод;
2) Чем больше удельное б)меньше потери на вихревые токи; электрическое сопротивление в)больше потери на гстерезис; магнитного материала, тем: г)больше частота изменения
3) Потери на гистерезис у переменного поля; магнитопровода из д)больше нагрев магнитного электротехнической стали материала. будут меньше, чем:
4) Потери на вихревые токи становятся больше, чем:
5) Чем больше потери энергии при перемагничивании в переменных полях, тем:

19. Напряженность поля, при которой индукция становится равной нулю, называется;
а) относительной магнитной проницаемостью;
б) абсолютной магнитной проницаемостью;
в) коэрцитивной силой;
г) начальной магнитной проницаемостью;
д) индукцией насыщения;
е) температурным коэффициентом магнитной проницаемости;
ж) удельными потерями на гистерезис.

20. Внешнее магнитное поле вызывает преимущественную ориентацию магнитных моментов атомов в одном направлении в магнитных веществах, называемых;
а) диамагнетиками;
б) парамагнетиками;
в) ферромагнетиками;
г) антиферромагнетиками;
д) ферримагнетиками.

Комментарии: 2019
Рецензия:Уважаемый, у вас зачет
Фадеева Наталья Евгеньевна

Размер файла: 10,3 Кбайт
Фаил: