Электроника. Экзамен.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7F098FF5-35EB-474C-85C1-E88C8068B618.doc [ 251 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 15.03.2020
Рецензия:Уважаемый ,Вы правильно ответили на вопросы.

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике

Другие работы

Алгебра и геометрия. Экзамен. БИЛЕТ № 16
Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики Дистанционное обучение 1 курс «Алгебра и геометрия». Экзамен БИЛЕТ № 16 1. Линейная зависимость векторов. Базис. 2. Эллипс и его свойства. 3. Исследовать и решить систему: 4. Найти точку пересечения прямой и плоскости и угол между ними 5. Найти уравнения асимптот гиперболы, если её действительная полуось равна 8, а эксцентриситет равен 1,25.
СибГУТИ Алгебра и геометрия Работа Экзаменационная
User Галина7 : 24 сентября 2014
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Высшая математика" (часть 2) Вариант 1
Сдано в 2023 году Проверил: Храмова Т.В. Оценка: Зачёт
Математика СибГУТИ Работа Контрольная
User Baltika : 22 сентября 2025
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Высшая математика" (часть 2) Вариант 1
Экзамен по дисциплине: Программирование. Билет № 4.
Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики Кафедра прикладной информатики и кибернетики 2006 – 2007 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 4 По курсу «Программирование на языках высокого уровня. Язык программирования Си» Для студентов специальности 23010565 «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем» 1. Работа с массивами в языке Си: описание, инициализация, ввод/вывод, обработка массива.
СибГУТИ Программирование Работа Экзаменационная
User студент-сибгути : 26 февраля 2013
49 руб.
Основы визуального программирования. Лабораторная работа №3
Лабораторная работа No 3 Тема: работа с базами данных. ЗАДАНИЕ 1: Создание простейшего приложения базы данных с использованием эксперта форм базы данных (DataBase Form Wizard). 1. Создайте новое приложение. 2. Выполните команду DataBase - Form Wizard (или File - New и на закладке Business выберите элемент DataBase Form Wizard). • В раскрывшемся окне DataBase Form Wizard выберите опции: • Create a simple form; • Create a form using Ttable objects. Нажмите кнопку Next. • В следующем раскрыв
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User mamontynok : 22 января 2014
38 руб.
up Наверх