Электроника. Экзамен.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7F098FF5-35EB-474C-85C1-E88C8068B618.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 15.03.2020
Рецензия:Уважаемый ,Вы правильно ответили на вопросы.

Игнатов Александр Николаевич
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике
Технологія мурування
План Вступ 1.Тема 1.1.Призначення 1.2.Матеріали 1.3.Інструменти та пристосування 1.4. Технологія робіт 1.5.Організація праці 1.6.Технічні умови 1.7.Техніка безпеки Література
User ostah : 1 ноября 2012
5 руб.
Лабораторная работа №№1,2,3,4,5 по предмету: Волоконно-оптические системы передачи. Вариат № 3
Лабораторная работа №1. Тема: Изучение конструкций, принцип действий и характеристик излучателей ВОСП. Цели и Задачи расчета ресурсов телекоммуникационных сетей. Изучение конструкций, знакомство с принципом действия и исследование характеристик излучателей ВОСП. 6. Ответы на контрольные вопросы. 1)Из каких соображений выбирают материалы для изготовления источников излучения? Лабораторная работа №2. Тема: Изучение характеристик, принципа действия и конструкций фотодетекторов. Цель работы. Цель
User zodiac : 14 июня 2013
200 руб.
Напольский Е. М. Технологическое проектирование АТП и СТО
В учебнике рассмотрены современное состояние производственно-технической базы предприятий автомобильного транспорта и пути ее развития, приведены общий порядок проектирования, методика технологического расчета и планировки автотранспортных предприятий и станций технического обслуживания автомобилей, методика технико-экономической оценки проектов.
User tasha75 : 7 июня 2009
Отчет по практике: Анализ статистических показателей работы Государственного учреждения здравоохранения "Областной противотуберкулезный диспансер № 8"
СОДЕРЖАНИЕ 1. Краткая характеристика Государственного учреждения здравоохранения "Областной противотуберкулёзный диспансер №8" 2. Характеристика и организация работы отделения (кабинета) медицинской статистики 3. Основные нормативные документы, регламентирующие деятельность отделения (кабинета) медицинской статистики 4. Перечень отдельной медицинской учётной документации 5. Медицинская отчётность 6. Статистический анализ основных объёмных (количественных) и качественных показателей работы ЛПУ (з
User evelin : 23 января 2013
10 руб.
up Наверх