Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторные работы 1,2,3 ВАРИАНТ №3

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7C09B7DB-D691-4955-AC78-52D8CC51BC9E.rar [717 KB]
material.view.file_icon ЛР-1.docx [232 KB]
material.view.file_icon ЛР-2.docx [327 KB]
material.view.file_icon ЛР-3.docx [242 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа No 1
Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Принципиальная схема исследуемого каскада.

Исходные данные: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА.
С1 = 2.7 мкФ
С2 =  4.2 мкФ
С3 =  400 пФ
С5 =  500 мкФ

Лабораторная работа No 2

Цель работы
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Принципиальная схема каскада.


Вариант No3
С2, нФ 30
С4, пФ 400
Результаты предварительного расчёта.
Оптимальное значение емкости С6 определяется:
.
Оптимальное значение индуктивности L1опт определяется:

Лабораторная работа No 3

Лабораторная работа No 3
“Исследование интегратора и дифференциатора на основе
операционного усилителя ”
1. Цель работы
Исследовать свойства и характеристики схем интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя (ОУ).
1. Задание к лабораторной работе
1 Исследовать влияние сопротивления обратной связи R2 на амплитудно-частотную характеристику схемы интегратора. Определить рабочую частоту fраб для двух различных значений R2.
2 Исследовать влияние сопротивления обратной связи R2 на переходную характеристику схемы интегратора.
3 Исследовать амплитудно-частотные характеристики схемы дифференциатора с выключенным и включенным резистором R2. Определить рабочую частоту fраб обоих случаев.
4 Исследовать переходные характеристики схемы дифференциатора с выключенным и включенным резистором R2.

Дополнительная информация

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 29.03.2020
Рецензия:Уважаемый
Травин Геннадий Андреевич

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 29.03.2020
Рецензия:Уважаемый
Травин Геннадий Андреевич

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 29.03.2020
Рецензия:Уважаемый

Травин Геннадий Андреевич

Похожие материалы

Лабораторная работа 1 - Схемотехника телекоммуникационных устройств
Лабораторная работа номер 1,по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств.
СибГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Рома11 : 12 августа 2024
1200 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторная работа №1
Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Содержание отчета Принципиальная схема исследуемого каскада. Результаты расчета. Графики амплитудно-частотных характеристик. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений. Выводы по результатам измер
Схемотехника Работа Лабораторная
User Сергейds : 2 августа 2013
59 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторная работа №1.
“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” Цель работы. Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттер ной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб/ /б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User viccing : 28 июня 2013
80 руб.
Лабораторная работа № 1 Схемотехника телекоммуникационных устройств Вариант 3
1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2. Исходные данные Транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rбб = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User lisii : 24 декабря 2018
75 руб.
Лабораторная работа №1 По дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Лабораторная работа №1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” Цель работы: Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Содержание отчета 1. Принципиальная схема исследуемого каскада. 2. Результаты расчета. 3. Графики амплитудно-частотных характеристик. 4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных иск
СибГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User nvm1604 : 5 декабря 2016
50 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств, Лабораторная работа №1,№2
Лабораторная работа № 1 «Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе » 1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2. Исходные данные Транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rбб = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА. Лабораторная работа
******* Не известно Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Александр495 : 15 мая 2016
120 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Лабораторная работа №1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами:h21э=200 ,С=10пФ ,f21э=1,5МГЦ ,r66=120Ом ; напряжение источника питания Е0=15В , ток покоя транзистора iк0=3мА . Содержание отчета 1. Принципиальная схема исследуемого каскада. 2. Результаты расчета. 3. Графики амплитудно-частотных характеристик. 4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных иск
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User bap2 : 11 ноября 2014
45 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: "Схемотехника телекоммуникационных устройств".
Тема: “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” Содержание отчета 1. Принципиальная схема исследуемого каскада. 2. Результаты расчета. 3. Графики амплитудно-частотных характеристик. 4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений. 5. Выводы по результатам измерений, сравнение с результатами расчетов. 1. Принципиальная схема исследуемого каскада.
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User wowan1190 : 24 декабря 2013
75 руб.

Другие работы

Шпаргалка: Сущность политической рекламы и пропагандирования
Политическими технологии - комплекс специфических мер, приёмов и методов, применяемых специалистами по организации участия в выборах («политическими технологами»), направленных на победу в выборах. В качестве «инструментария» в выборных технологиях выступают социология, рекламные технологии и технологии формирования общественного мнения (PR), отдельные методы маркетинга и социальной психологии. Политическая реклама – это форма политической коммуникации в условиях выбора, адресное воздействие на
Маркетинг Шпаргалки
User Lokard : 16 октября 2013
15 руб.
Совершенствование технологии холодного накатывания шлицевых концов карданных валов автомобилей семейства УАЗ в условиях ОАО «АВТОДЕТАЛЬ-СЕРВИС» г. Ульяно
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1 КОНСТРУКЦИИ И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ШЛИЦЕВЫХ СОЕДИНЕИЙ 1.1 Конструкции шлицевых соединений 1.2 Сравнительные характеристики шлицев после резания и пластического деформирования 1.3 Обработка шлицевого профиля методом пластического деформирования 1.3.1 Метод накатывания зубьев вала многороликовой головкой 1.3.2 Формообразование зубьев радиальной штамповкой… 1.3.3 Метод ударного накатывания зубьев на валах вращающимися роликовыми головками 1.3.4 Накатывание зубьев н
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Рики-Тики-Та : 9 января 2013
825 руб.
Отчет по технологической практике МАМИ "Технологический процесс сборки аккумуляторной батареи" (+Технологический маршрут сборки АКБ)
Технологический процесс сборки аккумуляторной батареи 1. История развития предприятия 4 2. Структура аппарата управления предприятием 5 3. Основные функции руководящего состава предприятия 6 4. Номенклатура основных изделий, выпускаемых предприятием 7 5. Структура цеха 8 6. Описание одного из изделий, обслуживаемых предприятием 10 6.1 Общие сведения 10 6.2 Аккумуляторные батареи TITAN Max 13 7. Описание рабочего места 17 8. Предложение по усовершенствованию рабочего места 18 9. Технические услов
Работа Расчетно-графическая Отчеты по производственной практике Дальневосточный ГАУ
User zirfvelfr : 16 октября 2012
300 руб.
Контрольная работа №2 по физике. 1-й семестр
1. По тонкому кольцу радиуса R = 20 см равномерно распределен заряд с линей-ной плотностью = 0,2·10-6 Кл/м. Определить напряженность поля в точке на оси кольца, удаленной на расстоянии 40 см от центра кольца. 2. На двух бесконечных параллельных плоскостях равномерно распределены за-ряды с поверхностным плотностями σ1 = 160 нКл/м2 и σ2 = -80 нКл/м2 Используя теорему Остроградского-Гаусса, найти зависимость напряженности электри-ческого поля от координаты Е(х) для двух областей: I и Ш. Построить
******* Не известно Физика Работа Контрольная
User Amurka : 28 апреля 2016
350 руб.
up Наверх