Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 42DAB638-27A3-4F97-9436-FF6648B5460E.rar [ 143 KB ]
material.view.file_icon Электротехника и электроника
material.view.file_icon Электротехника и электроника.doc [ 191 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка: Хорошо
Дата оценки: 24.11.2017
Рецензия: Уважаемый

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User nik200511 : 20 января 2024
83 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №5. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Пр
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User 321 : 19 октября 2019
300 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Cole82 : 5 июня 2015
21 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.

Другие работы

Основы российской государственности.фю_БАК .Верные ответы на тест Синергия МОИ МТИ МосАП
Основы российской государственности.фю_БАК 1. Занятие 1 2. Занятие 2 3. Занятие 3 4. Литература В каком субъекте РФ наибольшее количество национальностей и языков? Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов • Дагестан • Чечня • Татарстан • Удмуртия Во времена правления Ивана Грозного в состав Российского государства вошли… Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов • Татары •
Синергия МОИ МТИ МосАП Основы российской государственности Тесты
User alehaivanov : 23 марта 2025
195 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Теория телетрафика и анализ систем беспроводной связи. Билет №8
Билет 8 1) Каких из приведённых ниже сетей массового обслуживания не существует? 1. Замкнутые 2. Марковские 3. Однородные 4. Фрактальные 2) В выражении P(k1, K2, ..., Kn)=1/G(K,N) П xi^(ki)/(bi(ki)) для нахождения стационарной вероятности состояния СеМО G(K,N) – это… 1. вероятность отказа 2. коэффициент загрузки 3. вероятность нахождения в системе K заявок 4. нормализующая константа 3) Какое из приведённых ниже понятий не относится к теории телетрафика? 1. диаграмма Ганта 2. интенсивность наг
Теория телетрафика и анализ систем беспроводной связи ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Roma967 : 16 марта 2023
500 руб.
promo
Терморегулятор с трехфазным питанием
ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1 Описание устройства 2. Микроконтроллер, используемый в устройстве 3 Язык программирования устройства. Реализация операторов выбора (if) и циклов (for, while) в программе устройства 4. Блок-схема программы устройства. Использованные элементы и их описание ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ПРИЛОЖЕНИЯ Блок-схема алгоритма работы программы
Термодинамика КГУ (Курган) Работа Курсовая
User Den45 : 20 июня 2019
1000 руб.
Терморегулятор с трехфазным питанием
Чертежи-Графическая часть-Курсовая работа-Схема штанговой скважинной насосной установки, Патентно информационный обзор, Балансирный станок качалка, Деталировка
Подавляющее большинство ШСНУ приводится в действие балансирными приводами с грузовым, роторным или комбинированным уравновешиванием. В настоящее время балансирные станки-качалки выпускаются по ГОСТ 5866 - 76. В зависимости от параметров приводов уравновешивающие грузы устанавливаются либо на балансире, либо на кривошипе редуктора, либо и тут и там. Соответственно способ уравновешивания называют балансирным, роторным или комбинированным В состав станка-качалки входят следующие основные узлы:
Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи
User https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27 : 6 мая 2016
696 руб.
Чертежи-Графическая часть-Курсовая работа-Схема штанговой скважинной насосной установки, Патентно информационный обзор, Балансирный станок качалка, Деталировка
up Наверх