Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 42DAB638-27A3-4F97-9436-FF6648B5460E.rar [ 143 KB ]
material.view.file_icon Электротехника и электроника
material.view.file_icon Электротехника и электроника.doc [ 191 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка: Хорошо
Дата оценки: 24.11.2017
Рецензия: Уважаемый

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User nik200511 : 20 января 2024
83 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №5. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Пр
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User 321 : 19 октября 2019
300 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Cole82 : 5 июня 2015
21 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.

Другие работы

Метрология. Задачи. Вариант №4
Задача 1. Для схем, изображенных на рис. 21. а, б рассчитать методические и предельные инструментальные погрешности при измерении напряжения и тока при аддитивном нормировании погрешностей измерительных приборов. Задача 2. Определить погрешность измерения частот двумя методами: непосредственное измерение и измерение периода, сравнить результаты и сделать вывод. Период измерения может иметь следующие значения .
Задачи ******* Не известно Метрология и стандартизация
User anderwerty : 15 января 2016
70 руб.
Метрология. Задачи. Вариант №4
Дискретная математика. Контрольная работа. Вариант 6.
1.Задано универсальное множество U и множества A,B,C,D.Найти результаты действий а)-д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна. 2.Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение. «Если студент подготовился к экзамену плохо, то он не решает задачи и не отвечает на вопросы экзаменатора» 3. Для булевой функции f(x,y,z) найти методом преобразования минимальную ДНФ. По таблице истинности построить СКНФ. По минимальной ДНФ
Математика СибГУТИ Работа Контрольная
User Studen2341 : 31 августа 2011
130 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 3 Вариант 60
Определить удельный лучистый тепловой поток q (в ваттах на квадратный метр) между двумя параллельно расположенными плоскими стенками, имеющими температуру t1 и t2 и степени (коэффициенты) черноты ε1 и ε2, если между ними нет экрана. Определить q при наличии экрана со степенью (коэффициентом) черноты εэ (с обеих сторон).
Задачи Теплотехника
User Z24 : 12 января 2026
200 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 3 Вариант 60
Контрольная работа по дисциплине: Основы телекоммуникаций. Общий вариант
Задача №1 1. Самостоятельно сформировать рисунок, состоящий из цветных точек (не менее 600) четырех (или более) цветов. 2. Определить алфавит дискретного источника 3. Определить количество информации, приходящееся на одну точку каждого цвета. 4. Определить общее количество объективной информации в рисунке. 5. Определить среднее количество информации, приходящееся на одну точку в рисунке. 6. Закодировать рисунок равномерным двоичным кодом. Определить количество затраченных двоичных элементов. Оп
Основы телекоммуникаций ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User xtrail : 28 июля 2024
500 руб.
promo
up Наверх