Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

Цена:
350 руб.

Состав работы

material.view.file_icon C198E320-2917-4B84-B0A6-7D38D9CA67D1.zip [848 KB]
material.view.file_icon Кон раб часть электротехника.doc [18 стр., 2 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3. В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4. В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.

Дополнительная информация

2021 г. Зачет Борисов А.В работа выполнена в ворд обьемом 18 страниц

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Вопросы билета. 1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User boeobq : 21 ноября 2021
135 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №18
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные: Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполяр
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 18 ноября 2021
400 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №18 promo

Другие работы

Профессионально-прикладная физическая подготовка студента-эколога
1. Профессионально-прикладная физической подготовка органично связана с последующей практической трудовой деятельностью выпускника-специалиста. В качестве своеобразной разновидности физического воспитания, профессионально-прикладная физическая подготовка – это педагогически направленный процесс специализированной физической подготовки студента к избранной специальности, то есть процесс обучения, обогащающий человека двигательными умениями, навыками, физическими способностями, от которых прямо ил
Рефераты Экология и защита окружающей среды
User alfFRED : 3 сентября 2013
5 руб.
Расчетная часть-Расчет винтового забойного двигателя ВЗД1-240: Определение оптимального давления закачиваемого в шланги, Определение момента для поворота вала ротора, Расчёт на прочность, Оценка технологичности, Оценка ресурса модернизированной конструкци
Расчетная часть-Расчет винтового забойного двигателя ВЗД1-240: Определение оптимального давления закачиваемого в шланги, Определение момента для поворота вала ротора, Расчёт на прочность, Оценка технологичности, Оценка ресурса модернизированной конструкции-Курсовая работа-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин
Нефтяная промышленность Диплом и связанное с ним ИНиГ
User lesha.nakonechnyy.92@mail.ru : 14 августа 2016
553 руб.
Расчетная часть-Расчет винтового забойного двигателя ВЗД1-240: Определение оптимального давления закачиваемого в шланги, Определение момента для поворота вала ротора, Расчёт на прочность, Оценка технологичности, Оценка ресурса модернизированной конструкци
Компьютерные технологии в науке и производстве. Лабораторная работа №8
Лабораторная работа № 8 «Установка программного обеспечения и знакомство с интегрированной средой исполнения системы инженерных расчётов Matlab» Цель работы: Изучение процедуры установки в операционной системе Windows программного обеспечения Matlab для выполнения инженерных и математических расчётов. Порядок выполнения работы: 1. Выбран каталог для размещения программного обеспечения Matlab
СибГУТИ Работа Лабораторная Компьютерные технологии в науке и производстве
User holm4enko87 : 21 октября 2017
150 руб.
Радиационная безопасность понятие и сущность
Содержание Глава 1. Определение понятия…………………………………………3 Глава 2. Влияние ионизирующего излучения на человека…………..5 Глава 3. Способы защиты от ионизирующего излучения……………7 Глава 4. Действия при возникновении радиационной опасности…...8 Литература……………………………………………………….………9 Глава 1. Определение понятия. Радиационная безопасность — состояние защищенности настоящего и будущего поколений людей от вредного для их здоровья воздействия ионизирующего излучения. Ионизирующее излучение - излучение, ко
Безопасность жизнедеятельности (БЖД) Работа
User Lokard : 15 марта 2014
19 руб.
up Наверх