Физические основы электроники. Вариант №8
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
23.06.2021
-
Размер:
185 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Jerryamantipe03
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР ФОЭ.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАНИЕ
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Похожие материалы
Курсовой проект Физические основы электроники Вариант 8
Lezvix
: 20 апреля 2021
1. Цель работы
1. Произвести выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
2. Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
2. Подготовка к работе
При подготовке к работе проработать вопросы курса , указанные в разделе 2 лабораторной работы No1.
2.1.1. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3. Вольтамперн
Lezvix
: 20 апреля 2021
100 руб.
Физические основы электроники. Работа контрольная. Вариант №8.
SemenovSam
: 11 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжени
SemenovSam
: 11 мая 2016
150 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
Другие работы
Теплотехника Задача 10.66 Вариант 17
Z24
: 8 февраля 2026
Газ массой М имеет начальные параметры — давление р1 и температуру t1. После политропного изменения состояния объем газа стал V2, а давление р2пол, . Определить характер процесса (расширение или сжатие газа), показатель политропы n, конечную температуру t2, теплоемкость политропного процесса спол, работу L и теплоту Q в процессе, а также изменение внутренней энергии и энтропии газа.
Определите эти же величины и конечное давление р2, если изменение состояния газа до того же объема V2 происходи
Z24
: 8 февраля 2026
300 руб.
Электроника. Экзамен. Билет № 20
rmn77
: 23 февраля 2019
Экзаменационная работа. Электроника (Билет № 20)
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-
rmn77
: 23 февраля 2019
200 руб.
Розробка технологічного процесу виготовлення підставки
SerFACE
: 9 октября 2014
Зміст
Вступ.
1. Технологічний розділ.
1.1. Технологічний контроль якості креслення.
1.2. Аналіз службового призначення деталі та умов її роботи у вузлі.
1.3. Визначення типу і форми організації виробництва.
1.4. Опрацювання конструкції деталі на технологічність.
1.5. Вибір заготовки і її техніко–економічне обґрунтування.
1.6. Вибір технологічного обладнання.
1.7. Розробка технологічних операцій.
1.8. Розробка операційного технологічного процесу.
1.8.1. Визначення припусків на механічну обробку.
SerFACE
: 9 октября 2014
60 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 3.5 Вариант 9
Z24
: 4 января 2026
Бак разделен на два отсека тонкой перегородкой. Из отсека 1 вода через отверстие в перегородке диаметром d1, расположенном на высоте h1 от дна, поступает в отсек 2, а из отсека 2 через внешний цилиндрический насадок диаметром d2 выливается наружу. Высота расположения насадка над дном — h2. Уровень воды над центром отверстия в отсеке 1 равен Н, (рис. 2.5, а, 6). Движение установившееся.
Требуется определить:
1. Расход Q.
2. Перепад уровней воды в отсеках h.
Z24
: 4 января 2026
160 руб.
