Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №1
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
09.11.2021
-
Размер:
174 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
svladislav987
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лаб раб 1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы.
Объем отчета составляет 2
boeobq
: 21 ноября 2021
55 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 1. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Лабораторная работа 1
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.
Таблица П.1.
6
D14A
D226D
KT315V
KP303D
nik200511
: 28 февраля 2023
160 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Леший
: 18 января 2021
Лабораторная работа 1
Тема работы
Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
==============================
Лабораторная работа 2
Тема работы
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора
==============================
Лабораторная работа 3
Тема работы
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов
Леший
: 18 января 2021
50 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Курсовая и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Теория связи. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 19 июня 2023
Курсовая работа
Вариант No3
Задача No1
Вольтамперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением
i={(S(u-u_0 ),&u≥u_0@0,&u<u_0 ),
где i_k – ток коллектора транзистора;
u_б – напряжение на базе транзистора;
S – крутизна вольт-амперной характеристики;
u_0 – напряжение отсечки ВАХ.
Требуется:
1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принц
IT-STUDHELP
: 19 июня 2023
1800 руб.
Первая помощь при укусах гадюки
evelin
: 16 марта 2014
Гадюка - ядовитая змея, но отличается миролюбием, боится человека и при встрече с ним всегда старается уползти и спрятаться. Кусает она лишь случайно или в безвыходном положении, защищаясь, например, если на нее наступят ногой или неосторожно схватят руками, приняв за ужа.
Укус гадюки довольно болезнен, но, как правило, не смертелен, и больные обычно выздоравливают через 3-4 дня. За многие десятилетия в нашей стране известно всего несколько случаев гибели людей (в основном детей), укушенных гад
evelin
: 16 марта 2014
5 руб.
«Oценка экономической эффективности инвестиционных проектов на основе динамического подхода»
vovan1441
: 21 ноября 2018
Содержание
Введение 3
1. Исходные данные: 4
2. Расчет динамических показателей экономической эффективности 4
Вывод 12
Введение
Для оценки экономической эффективности инвестиционного проекта существует множество методик, один из них – метод, основанный на динамическом подходе, который использует динамические показатели оценки эффективности инвестиционных проектов, основанных на операции дисконтирования денежных потоков.
vovan1441
: 21 ноября 2018
100 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-2 Вариант 77
Z24
: 10 февраля 2026
Рабочее тело – водяной пар, имеющий в начальном состоянии давление p1 и температуру t1 адиабатно расширяется до давления p2 .
Построить процесс адиабатного расширения водяного пара в h,s-диаграмме.
Определить:
1) параметры пара в начальном состоянии (υ1, h1, s1);
2) параметры пара в конечном состоянии (υ2, h2, s2);
3)значения внутренней энергии пара до и после процесса расширения;
4) работу расширения и количество отводимой теплоты.
К решению задачи приложить схему построен
Z24
: 10 февраля 2026
200 руб.
