Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №1

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лаб раб 1.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

Дополнительная информация

зачет
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы. Объем отчета составляет 2
User boeobq : 21 ноября 2021
55 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 1. Вариант 16.
Лабораторная работа 1 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля. Таблица П.1. 6 D14A D226D KT315V KP303D
User nik200511 : 28 февраля 2023
160 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Лабораторная работа 1 Тема работы Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов ============================== Лабораторная работа 2 Тема работы Исследование статических характеристик биполярного транзистора ============================== Лабораторная работа 3 Тема работы Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
User Леший : 18 января 2021
150 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Операционные системы. Вариант 21
Вариант 21 Теоретический вопрос: 1. Маршрутизация, настройка таблицы маршрутизации в Unix. Основные сетевые команды. Задание: 1. Создать файл, содержащий размер и список каталогов домашней директории, в имени которых есть буква а. 2. Написать скрипт, который добавляет к именам всех файлов каталога, заданного в первом параметре, расширения, заданные во втором параметре. 3. Укажите параметры команд route и iptables для: a. настройки таблицы маршрутизации 192.168.30.0, подсеть на 16 адресов
User SibGOODy : 10 июля 2023
800 руб.
promo
Физика. Задача 1.3.
Задача 1.3. Заданы значения тока насыщения перехода =0,02мкА и полного тока через переход =0,08мА при температуре T=300K. Вычислить дифференциальное сопротивление перехода. Задача 2.3. Каков физический смысл температуры истощения примеси в полупроводнике n – типа ?
User anderwerty : 11 января 2015
5 руб.
Особенности инфляционных процессов в РФ
Введение……………………………………………………..…………………….3 Глава 1. Инфляция как социально-экономическое явление в рыночной экономике…………………………………………………………….……………4 1.1 Сущность и классификация инфляции………………………………………4 1.2 Марксистская и Кейнсианская теории инфляций…………………………..8 Глава 2. Инфляция в Российской Федерации………………………………….12 2.1 История инфляции в России. …………………………………..………….12 2.2 Причины кризиса 17 августа 1998 г………………………………………..16 2.3 Особенности инфляционного процесса в РФ……………………………..19 2.4 Борьба г
User hawk : 24 мая 2014
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Волоконно-оптические системы передачи» вариант 09
Вариант № 09 1. Какие диапазоны длин волн (частоты электромагнитных колебаний) применяются в системах передачи атмосферной и волоконно-оптической связи? 2. Чем характеризуется распространение оптических электромагнитных волн в атмосфере? 3. Чем отличается распространение света в стекловолокне от распространения в атмосфере? 4. По каким причинам происходит ослабление и искажение оптических сигналов в атмосфере и в волоконном световоде? 5. Какие материалы применяют для изготовления источников и пр
User gudrich : 8 октября 2011
300 руб.
up Наверх