Лабораторные работі №№1-3, Электротехника,электроника и схемотехника (ч.2-я)

Цена:
123 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 280D1F2D-68FC-4A41-88D9-AB30F4EA4C2A.zip [ 2 MB ]
material.view.file_icon лабораторная 1.doc [ 289 KB ]
material.view.file_icon лабораторная 2.doc [ 616 KB ]
material.view.file_icon лабораторная 3.doc [ 1 MB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1 . Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа №2

Исследование статических характеристик биполярного транзистора

1. Цель работы

Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).


Лабораторная работа №3

Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов

1. Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Год сдачи 2021. Оценка - Зачет! Борисов Александр Васильевич

Похожие материалы

Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерис
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User svladislav987 : 10 ноября 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). L=100 мГн R=1 кОм
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Зачетная
User Павел161 : 16 июня 2020
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Задача 3.1 Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс. 1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1). 2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2). 3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo. 4. Рассчитайте классическим мет
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Павел161 : 9 июня 2020
450 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9

Другие работы

Зачет по химии. Вариант №11.
Химическая термодинамика. Расчет энергии Гиббса химической реакции. Приведите примеры. Внутренняя энергия, теплота, работа. Энтальпия. Термохимия. Закон Гесса. Следствия из закона Гесса: Движущие силы самопроизвольно протекающих химических реакций. Энтропия. Энергия Гиббса – критерий самопроизвольного протекания химических процессов. Расчет энергии Гиббса химической реакции.
ДО СИБГУТИ Химия Работа Зачетная
User ivi : 9 июня 2016
300 руб.
Гидравлика Задача 3.402
В плоской вертикальной стенке имеется прямоугольное отверстие высотою «а» и шириною «b«, закрытое щитком А, который может вращаться вокруг горизонтальной оси О (рис. 16.1). Определить силу давления Р на эту ось и её положение, при котором клапан удерживается в закрытом состоянии минимальным по величине моментом, если с левой стороны от стенки высота уровня свободной поверхности воды над верхней кромкой отверстия Н, а с правой – h (Н = 1,5h).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 9 марта 2026
200 руб.
Гидравлика Задача 3.402
Схема керування та характеристики асинхронного двигуна приводу вантажного ліфту
Схема керування та характеристики асинхронного двигуна приводу вантажного ліфту чертеж А1
Электропривод Работа
User SerFACE : 30 апреля 2015
15 руб.
Схема керування та характеристики асинхронного двигуна приводу вантажного ліфту
Английский язык (часть 2-я) Билет №1.
Задание 1.Выберите правильную форму глагола. 1.No city has cables laid directly. Задание 2. Прочтите текст и выполните задания к тексту MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) 1. Interest in creating MEMS grew in the 1980s ЗАДАНИЕ N 1 Are the following statement true, false or no information about it:
Английский язык СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Alexey8 : 27 мая 2015
120 руб.
up Наверх