Лабораторные работі №№1-3, Электротехника,электроника и схемотехника (ч.2-я)

Цена:
123 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 280D1F2D-68FC-4A41-88D9-AB30F4EA4C2A.zip [ 2 MB ]
material.view.file_icon лабораторная 1.doc [ 289 KB ]
material.view.file_icon лабораторная 2.doc [ 616 KB ]
material.view.file_icon лабораторная 3.doc [ 1 MB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1 . Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа №2

Исследование статических характеристик биполярного транзистора

1. Цель работы

Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).


Лабораторная работа №3

Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов

1. Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Год сдачи 2021. Оценка - Зачет! Борисов Александр Васильевич

Похожие материалы

Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерис
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User svladislav987 : 10 ноября 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). L=100 мГн R=1 кОм
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Зачетная
User Павел161 : 16 июня 2020
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Задача 3.1 Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс. 1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1). 2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2). 3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo. 4. Рассчитайте классическим мет
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Павел161 : 9 июня 2020
450 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9

Другие работы

Отчет по практике на сельхозпредприятии
отчет по преддипломной практике для сельскохозяйственных ВУЗов Содержание 1. Введение 2. Характеристика предприятия. 2.1. Характеристика трудовых ресурсов 2.2. Характеристика машино-тракторного парка 3. Практика по эксплуатации подвижного состава 4. Практика по ремонту подвижного состава 5. Заключение
ЧГСХА Отчеты по производственной практике Практические занятия и отчеты
User su200945 : 5 сентября 2012
100 руб.
Отчет по практике на сельхозпредприятии
Философия бизнеса. Тест
Модуль 1 • Оценка специалиста на соответствие его индивидуальных особенностей основным чертам профессии руководителя (бизнесмена). • Оценка способностей специалиста для занятия бизнесом. • Оценка потенциальных возможностей специалистов-предпринимателей Модуль 2 • Подбор кандидатур на места руководителей организаций и их структурных подразделений • Оценка уровня организованности управленческого труда в структурных подразделениях • Оценка руководителя, бизнесмена на деловую хватку • Оценка руковод
Философия бизнеса СибГУТИ Работа Контрольная
User karinjan : 28 сентября 2014
50 руб.
Изображение резьбовых соединений. 14 вариант.
Задание: 1. Вид спереди заменить соединением половины вида разреза. 2. Изобразить крепление линзы резьбовым кольцом в оправе. Работа выполнена в компасе 3Д V20. Архив содержит: 1. Модель детали "Кольцо резьбовое" 2. Модель детали "Пластина плоскопараллельная" 3. Модель детали "Оправа" 4. Модель сборка "Линза" 5. Чертеж с выполненным заданием 6. Сборочный Чертеж линзы со спецификацией.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ Работа Лабораторная Инженерная графика
User Елизавета91 : 12 апреля 2022
50 руб.
Изображение резьбовых соединений. 14 вариант.
Гидравлика Задача 1.145
Разность скоростей между двумя соседними слоями жидкости толщиной ðn=0,02 мм равна ðu=0,0072 м/ч. Рассматриваемая жидкость имеет коэффициент динамической вязкости μ=13,04·10-4 Н·с/м². Определить тангенциальное напряжение и силу трения на 1 м² поверхности между слоями жидкости (рис. 1).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 1 декабря 2025
120 руб.
Гидравлика Задача 1.145
up Наверх