Лабораторные работі №№1-3, Электротехника,электроника и схемотехника (ч.2-я)
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа №3
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа №3
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Год сдачи 2021. Оценка - Зачет! Борисов Александр Васильевич
Похожие материалы
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
svladislav987
: 10 ноября 2021
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерис
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
Павел161
: 16 июня 2020
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
L=100 мГн
R=1 кОм
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №9
Павел161
: 9 июня 2020
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа K, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рисунок 1.1) для Вашего варианта (таблица 1.1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 1.2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на C или L в три момента времени:t-, t+, oo.
4. Рассчитайте классическим мет
450 руб.
Другие работы
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-6 Вариант 92
Z24
: 16 января 2026
Определить холодильный коэффициент ε парокомпрессионной аммиачной холодильной установки (с дросселем), массовый расход аммиака m, кг/c и теоретическую мощность привода компрессора Nкомпр по заданным значениям температуры влажного насыщенного пара NH3 на входе в компрессор t1 и температуре сухого насыщенного пара за компрессором t2 и холодопроизводительности установки Q.
Изобразить схему установки и цикл на Ts — диаграмме.
200 руб.
Задание 59. Вариант 28 - 2 модели
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 7 апреля 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007.
Задание 59. Вариант 28 - 2 модели
По аксонометрической проекции модели построить в трех проекциях ее чертеж.
Задача 1 - с применением фронтального разреза.
Задача 2 - с применением горизонтального разреза.
В состав выполненной работы в
150 руб.
Теория менеджмента. Курсовая работа. 2 семестр
izyumka
: 24 января 2014
Курсовая работа
По дисциплине: Теория менеджмента
Тема: Исследование внешней и внутренней среды организации. Оценка конкурентной позиции.
Ключевые компетенции менеджера по работе с клиентами.
Оценка: ЗАЧЕТ.
300 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.2 Вариант 84
Z24
: 8 января 2026
Определить необходимую толщину слоя теплоизоляции δиз наружной стены холодильной камеры (рис. 3), если:
толщина стены δст;
коэффициенты теплопроводности соответственно материала стены и теплоизоляции λст и λиз;
температура наружного воздуха и воздуха в холодильной камере tв1 и tв2;
коэффициенты теплоотдачи от наружного воздуха к стене α1 и от поверхности теплоизоляции к воздуху в холодильной камере α2;
заданная плотность теплового потока q.Оценить также температуры поверхностей tc1, tc2 и
150 руб.