Электротехника,электроника и схемотехника (ч. 2-я). Вариант №6
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
15.11.2021
-
Размер:
342 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
najdac
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Дополнительная информация
Года сдачи - 2021. Оценка - Зачет! Борисов Александр Васильевич
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника часть 1. Вариант №6
Евгений68
: 2 октября 2014
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
Евгений68
: 2 октября 2014
100 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
svladislav987
: 10 ноября 2021
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерис
svladislav987
: 10 ноября 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
Павел161
: 16 июня 2020
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
L=100 мГн
R=1 кОм
Павел161
: 16 июня 2020
150 руб.
Другие работы
Мотивация в системе стратегического менеджмента
GnobYTEL
: 22 марта 2014
Содержание
Введение 3
Теоретические подходы к изучению стратегии мотивации труда 5
Понятие мотивации, механизм мотивации, основные теории 5
Понятие стратегии, стратегического управления, подходы к выработке стратегии 7
Организационно-экономическая характеристика «Михайловского муниципального автотранспортного предприятия» 16
Краткая характеристика объекта исследования 16
Анализ основных экономических и трудовых показателей 18
Процесс осуществления мотивационной деятельности в «Михайловско
GnobYTEL
: 22 марта 2014
15 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах. Вариант №5
IT-STUDHELP
: 24 декабря 2022
Вариант No5
Лабораторная работа 1
по дисциплине:
«Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах»
Цель работы.
Изучить:
1. Теоретические основы метода обратного рассеяния;
Особенности измерений по методу обратного рассеяния.
2. Получить практические навыки идентификации параметров оптических кабелей по рефлектограммам.
N=int[05/10]+1=1
M=int[(5+0)/2]+1=3
1. Выполнение работы.
Задача No1
Исходные данные:
табл.1
N 1
Cx 5,0
Cy 5
Сх – цена деления по оси абсцисс, м/дел.
Су – цена
IT-STUDHELP
: 24 декабря 2022
600 руб.
Цилиндр. Вариант 10 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 13 марта 2026
Цилиндр. Вариант 10 ЧЕРТЕЖ
Графическая работа 6 часть 1
Построить три проекции цилиндра, усеченного плоскостью Р, натуральную величину сечения, развертку и изометрию.
a = 38 град
А = 55 мм
Чертеж выполнен на формате А3 +3d модель + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в
coolns
: 13 марта 2026
200 руб.
ИГ.06.17.02 - Пирамида с вырезами
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 6 августа 2023
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Вариант 17
ИГ.06.17.02 - Пирамида с вырезами
1. По двум видам построить вид слева, горизонтальный, фронтальный и профильный разрезы.
2. Нанести размеры.
3. Построить прямоугольную изометрическую проекцию с четвертью выреза. Отверстия сквозные.
В состав работы входят 4 файла:
- 3D модель данной детали, разрешение файла *.m3d;
- ассоциативный чертеж формата А3 в трёх видах с выполненными горизонтальным, фронтальным и профильным разрезами с совмещением пол
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 6 августа 2023
100 руб.
