Электротехника,электроника и схемотехника (ч. 2-я). Вариант №6

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon контрольная.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1.

По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.

Задача 2.

Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.

Задача 3.

В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.

Дополнительная информация

Года сдачи - 2021. Оценка - Зачет! Борисов Александр Васильевич
Электротехника, электроника и схемотехника часть 1. Вариант №6
Задача 3.1 Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс. 1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1). 2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
User Евгений68 : 2 октября 2014
100 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант: №1
1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерис
User svladislav987 : 10 ноября 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
1. Фазовые корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). L=100 мГн R=1 кОм
User Павел161 : 16 июня 2020
150 руб.
"Электротехника, электроника и схемотехника" Вариант №12
Лабораторная работа №5. Исследование пассивных четырехполюсников. Вариант №6
1. Цель работы Экспериментальное исследование свойств пассивных линейных четырехполюсников. 2. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо усвоить типы четырехполюсников, уравнения передачи в различных формах, параметры-коэффициенты, характеристические параметры, рабочие меры передачи, методы их расчета (глава 12 электронного учебника). Е = 10 В, f = 1 кГц, R1 = 100 Ом, R2 = 200 Ом, R3 = 300 Ом, R4 = 160 Ом
User sunny2212 : 30 января 2015
250 руб.
Лабораторная работа №5. Исследование пассивных четырехполюсников. Вариант №6
Перспективы развития американо-египетских отношений в начале XXI века
Отношения Египта и США всегда были объектом повышенного внимания политиков. Во многом это произошло потому, что обе эти страны всегда имели большое влияние на развитие событий: США – в общемировом масштабе, а Египет – на Арабском Востоке. Особый характер двусторонние отношения между Каиром и Вашингтоном приобрели в 50-е годы XX века, когда молодая египетская республика встала перед выбором: на чьей стороне быть в разгар «холодной войны», разделившей мир. Около двух десятилетий Египет был одним и
User evelin : 12 сентября 2013
5 руб.
Лабораторные работы 1-5 по Дискретной математике
Лабораторная работа № 1 - Множества и операции над ними Лабораторная работа №2 - Отношения и их свойства Лабораторная работа № 3. Генерация перестановок Лабораторная работа № 4. Генерация подмножеств Лабораторная работа № 5. Поиск компонент связности графа
User fominovich : 5 сентября 2015
200 руб.
Зачетная работа по дисциплине "Логика". Билет №9.
Билет 9 1. Определите вид понятия (по содержанию: положительное/отрицательное, конкретное/абстрактное, соотносительное/безотносительное, собирательное/разделительное; по объему: единичное, общее, пустое) Чернота 2. Определить отношения понятий. Изобразить графически. А) логика, риторика, этика; Б) время, секунда, пространство. 3. Провести обобщение понятия (не менее трех уровней). Популярная передача «Серебряный шар» 4. Провести ограничение понятия (не менее трех уровней). Япония 5. Проведите о
User Katrin : 20 февраля 2018
80 руб.
up Наверх