Лабораторная работа №2 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Тема работы: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые характеристики, сделаны выводы.
Объем отчета составляет 22 страницы формата А4.
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые характеристики, сделаны выводы.
Объем отчета составляет 22 страницы формата А4.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2019
Преподаватель: Борисов А.В.
Работа зачтена без замечаний.
Рекомендую использовать представленные материалы в качестве методической помощи для выполнения своих работ.
Преподаватель: Борисов А.В.
Работа зачтена без замечаний.
Рекомендую использовать представленные материалы в качестве методической помощи для выполнения своих работ.
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
200 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
boeobq
: 21 ноября 2021
Вопросы билета.
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
135 руб.
Другие работы
Экзамен работа по предмету: Электропитание устройств и систем телекоммуникаций, 9 билет
Andreas74
: 7 октября 2020
ВАРИАНТ 9
1. Зависимость тока короткого замыкания трансформатора Ik от напряжения короткого замыкания Uk на рисунке приведена под номером...
2. Для обмоток трансформаторов используют такие марки медных проводов
1) ПЭТВ
2) ПЭЛШКО
3) ШРА
4) АВВГ
5) ПЭВ-2
3. К паспортным параметрам силового трансформатора относятся:
1) мощность
2) внутреннее сопротивление
3) напряжение короткого замыкания
4) коэффициент мощности
5) коэффициент прямоугольности
6) линейные токи
4. Внешняя характерис
130 руб.
Контрольная работа Иностранный язык (английский) (часть 2)
Ne_dasha
: 19 июня 2023
Перепишите и письменно переведите на русский язык следующие предложения. Помните, что объектный и субъектный инфинитивные обороты соответствуют придаточным предложениям.
1. Some liquids are known to conduct current without any changes to themselves.
2. Samples of semiconductors with improved properties are reported, to be obtained, on a new installation.
3. Scientific discoveries to be practically applied in industry and agriculture are paid special attention to.
Перепишите и письменно п
150 руб.
Человеко-машинное взаимодействие. Лабораторная работа №2. Вариант 10 (0).
nik200511
: 11 апреля 2016
Лабораторная работа №2
2.1. Изучить работу программы, заданной по вариантам, дать ее краткое описание. Провести CWT-анализ интерфейса программы, рассмотрев все репрезентативные задачи (если задач больше 3-х, то рассмотреть только 3). Отчёт об анализе должен содержать формулировку репрезентативных задач, описание последовательности действий, анализ этих действий и список проблем и путей их устранения.
39 руб.
Организация производства и планирование основных технико-экономических показателей ЗАО Белцемент
evelin
: 9 ноября 2013
Основанием выбранной технологической схемы производства цемента на БЦЗ является то, что сырьё непосредственно находится вблизи завода.
По приказу МПСМ СССР №10 от 18 апреля 1946 г. было намечено строительство завода проектной мощности в 300 т. тонн в год.
Первая технологическая линия была пущена в эксплуатацию 1 января 1950 года, а весь завод - 20 апреля 1951 года. Мощность по клинкеру составил 385 т. тонн и по цементу - 485 т. тонн.
В настоящее время на заводе эксплуатируются 7 вращающихся п
10 руб.