:Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №18

Цена:
500 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3AAAAEBA-4C7F-458A-82DC-5962F0D666EE.docx [ 295 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототиристор


Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .

Задано:

Таблица 2
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 




Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.


Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Таблица 4

Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления, Ом
АЛ316А 9 680

Дополнительная информация

Оценка: Зачет
Дата оценки: 14.02.2022

Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru

Похожие материалы

Оптоэлектроника и нанофотоника
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить ... Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Задача No3: Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов д
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User lyolya : 28 июня 2022
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
Оптоэлектроника и нанофотоника
Вариант 16 (6) Решение задач Задача 2 и задача 4
Задачи СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника
User novikova9409 : 25 февраля 2019
100 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
******* Не известно Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Оптоэлектроника и нанофотоника Вариант 16
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля Тип фотоприемника (ФП) 6 Составной фототранзистор Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. Предпоследняя цифра пароля Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 1 Si
Основы оптической связи ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Евга : 17 марта 2023
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника Вариант 16
Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №77
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фототранзистор Задача No2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задано: Таблица 2 Вар
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 14 февраля 2022
500 руб.
promo
Курсовая работа по дисциплине «Оптоэлектроника и нанофотоника»
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник. Таблица 1 – Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Фотодиод на основе р-n перехода Фотодиод со структурой р-i-n Фотодиод с барьером Шоттки Фотодиод с гетероструктурой Лавинный фотодиод Фотодиод - транзистор Составной фототранз
ДО СИБГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Курсовая
User Severniolen : 11 апреля 2022
200 руб.
Экзаменационный тест по предмету "оптоэлектроника и нанофотоника"
Ответы на все вопросы из учебника. Это процентов 90% вопросов из итогового экзаменационного тестирования.
ДО СИБГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Тесты
User Hermes : 17 апреля 2021
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника. Номер зачётки 17
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего студенческого билета, номер варианта при решении второй и четвёртой задач должен соответствовать предпоследней цифре Вашего студенческого билета. Таким образом Задача 1 – вариант 7 Задача 2 – вариант 1 Задача 3 – вариант 7 Задача 4 – вариант 1
******* Не известно Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Курсовая
User tatacava1982 : 1 марта 2021
500 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника. Номер зачётки 17

Другие работы

Экономико-статистический анализ себестоимости продукции на ООО "Кирилловлес"
Содержание Введение 1. Сущность и значение показателя себестоимости продукции 2. Характеристика продукции, выпускаемой ООО «Кирилловлес» 3. Анализ структуры себестоимости продукции 4. Оценка выполнения плана и динамики себестоимости продукции индексным методом 5. Анализ себестоимости продукции в динамике 5.1 Характеристика вариации себестоимости продукции 5.2 Показатели динамики себестоимости продукции 5.3 Выявление основной тенденции ряда динамики себестоимости продукции 6. Исследование влияния
Работа Курсовая Экономика
User evelin : 12 ноября 2012
19 руб.
Математический анализ. Экзаменационная работа. Билет №10
1. Первый замечательный предел и следствия из него. 2. Теорема Роля и теорема Лагранжа в дифференциальном исчислении. 3 Вычислить предел . 5. Найти интеграл 6. Вычислить интеграл По формуле Ньютона-Лейбница: 8 Найти площадь фигуры, ограниченной линиями Нет 4 и 7 задачи, экзамен сдан на 4 в 2012 Билет 10
Математический анализ СибГУТИ Работа
User lev12345678 : 7 января 2013
Математический анализ. Экзаменационная работа. Билет №10
Проекционная задача НГТУ. Вариант 9
Задача 1. По предложенным изображениям построить три вида детали, выполнить необходимые разрезы (ГОСТ2.305), проставить размеры (ГОСТ2.307). Выполнить аксонометрическое изображение детали с четвертным вырезом. Вариант 9 чертеж и 3д модель компасе 21 + дополнительно сохранены в компас 11 и в джпг Файлы компаса можно просматривать и сохранять в нужный формат бесплатной программой КОМПАС-3D Viewer.
НГТУ Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User Laguz : 6 марта 2025
160 руб.
Проекционная задача НГТУ. Вариант 9
Алгоритмы поиска кратчайших покрытий булевых матриц
Микроэлектроника является одним из наиболее быстро и эффективно развивающихся направлений науки и техники. Однако вместе с развитием схемотехники увеличивается и сложность разрабатываемых схем. Существуют элементы схемы, логической моделью которых является матрица, в частности, булева. Площадь микросхемы и ее быстродействие во многом зависят от параметров матрицы. Поэтому приоритетной задачей является уменьшение размеров элемента, например, путем нахождения кратчайшего покрытия булевых матриц. Ц
Информатика Работа
User Qiwir : 6 октября 2013
10 руб.
up Наверх