Контрольная работа Вариант 8 "Электротехника, электроника и схемотехника"

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon КР электротехника электроника и схемотехника.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Контрольная работа 1 05.04.2022 06.04.2022 Зачет Уважаемый -----, Борисов Александр Васильевич

Дополнительная информация

Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.

Задача 2.

Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.

Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.

Таблица 1

цифра студенческого пароля

Принципиальная схема элемента

Напряжение питания, В.

Пороговые напряженияМДП

транзисторов VT1 и VT2

Уровень входного напряжения, В.

0

Рис. 1а

9

1

0,5

1

Рис. 16

9

1

1

2

Рис. 1в

9

1

2

3

Рис. 1а

5

2

1

4

Рис. 1в

5

2

3

5

Рис. 16

5

2

4

6

Рис. 1в

12

3

0,5

7

Рис. 1а

12

3

4

8

Рис. 16

12

3

2

9

Рис. 1в

9

2

3

Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.

Рис. 1 – схемы логических элементов

Задача 4.

В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.

Таблица 2

цифра студенческого пароля

Схема устройства

Напряжение питания операционного усилителя, В.

Номиналы резисторов, кОм.

Амплитуда входного напряжения, мВ

R1

R2

R3

0

Рис. 2а

±6

1

10

0,82

100

1

Рис. 26

±9

2

11

1,8

200

2

Рис. 2а

±12

3

33

2,7

150

3

Рис. 26

±15

10

100

9,1

250

4

Рис. 2а

±10

11

330

12

60

5

Рис. 26

±12

4,7

470

4,3

20

6

Рис. 2а

±8

6,8

680

5,1

50

7

Рис. 26

±13

82

820

6,8

300

8

Рис. 2а

±9

10

1000

8,2

10

9

Рис. 26

±7

3,3

47

10

40


Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.

Рис. 2 - Схемы устройств на основе операционного усилителя к задаче 2
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Контрольная работа 1 02.12.2021 08.12.2021 Зачет Уважаемый Игнатьев Даниил Андреевич, Борисов Александр Васильевич Задача 1 Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс. 1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 1) для Вашего варианта (таблица 1). 2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2). 3. Р
User Daniil2001 : 8 декабря 2021
99 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8. Контрольная работа №1
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №8
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Cherebas : 10 июня 2013
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем). Контрольная работа. Вариант №8
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр.
User rt : 14 февраля 2015
180 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3 сем.) Контрольная работа. Вариант №8 и №18
Задача 3.1 Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс. 1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1). 2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2). 3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t: 0-; 0+; Y 4. Рассчитайте классическим методом п
User pupkinlox : 16 августа 2018
99 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора КП307В построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора КТ819А определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока б
User Coder : 27 июня 2018
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Розкриття шахтного поля вертикальними стволами і погоризонтним квершлагом з поглибленням стволів
Розрахунок балансових і промислових запасів Розрахунок потужності і терміну існування шахти Розкриття шахтного поля Розкриття шахтного поля вертикальними стволами і капітальним квершлагом Розкриття шахтного поля вертикальними стволами і погоризонтним квершлагом з поглибленням стволів Підготовка шахтного поля Поверхневий спосіб підготовки Панельний спосіб підготовки Система розробки шахтного поля Стовпова система розробки лава-ярус Стовпова система розробки зі спареними лавами в ярусі
User VikkiROY : 9 июля 2015
40 руб.
Розкриття шахтного поля вертикальними стволами і погоризонтним квершлагом з поглибленням стволів
Организация удаления отходов в лечебно-профилактических учреждениях
Введение. Медико-профилактическое дело является ведущей составной частью деятельности всех звеньев медицинской службы армии и флота при взаимодействии её с экологической службой в процессе обеспечения экологической безопасности деятельности ВС РФ. Экологическая безопасность деятельности военно-медицинской службы довольно специфична. С учетом особенностей экологической безопасности деятельность медицинских частей и учреждений можно их классифицировать следующим образом: 1. ЛПУ (военные госпитали
User Elfa254 : 19 марта 2013
10 руб.
Рынок таймшерных услуг в России
Введение……………………………………………………………………………3 Глава 1. Рынок таймшера как сектор индустрии гостеприимства……………...4 Особенности клубного отдыха на современном этапе…………….4 История и хронология таймшерных услуг…………………………6 Преимущества и недостатки рынка таймшера за тридцатилетний период………………………………………………………………...8 Глава 2. Цивилизованный рынок таймшера в конце XX века………………..12 Условия приобретения таймшера…………………………………12 Особенности работы с клиентами для соблюдения взаимовыгодного сотрудничества…………………
User Lokard : 28 октября 2013
10 руб.
Валютный курс и механизм его формирования
ВВЕДЕНИЕ 1. Развитие теорий валютного курса 1.1 Сущность валютной системы 1.2 Теории валютного курса 2. Механизм формирования валютного курса 2.1 Анализ факторов, воздействующих на валютный курс 2.2 Влияние участников рынка на формирования валютного курса 3. Валютный курс и его формирование в России 4. Валютный рынок: перспективы 2010 ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ Введение Глобализация экономики характеризуется масштабной миграцией капитала между странами, что резко усилило инте
User Elfa254 : 24 октября 2013
10 руб.
up Наверх