Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14

Контрольная работа


ЗАДАЧА No 1

ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).

Таблица 1 – Варианты задания
No ВАРИАНТА Последняя цифра     4     
Предпоследняя цифра           
1
 Rн, Ом     500     
 U2, В     110     
 Тип выпрямителя     Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой     


ЗАДАЧА 2

ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ


Задание:
1.Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.Осуществить проверку схемы по алгоритму, приведенному ниже.

Таблица 2 - Варианты задания
No ВАРИАНТЫ Последняя цифра     4     
Предпоследняя цифра           
1 К-т передачи стабилизатора nст     1,7     
 ΔUвх , % Uвх     12     
 Iн, мА     150     
 Δ Iн, мА
     15     



ЗАДАЧА 3

АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА

По заданным характеристикам, приведенным в таблице 3.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необходимо пройти по ссылке: https://alltransistors.com/ru/) и найти типы транзисторов, удовлетворяющих заданным условиям.
Таблица 3.1 – Исходные данные для поиска транзистора

Варианты Транзисторы
 Последняя цифра номера
     4     
Предпоследняя цифра номера 1     Uds =
30В
Id =
3,4 А
Ugs =
20В     









Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

1. ВАХ диода

Вариант 14, диод Zelex FMMD914

1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода

Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 225 Кремниевый, планарный, высокоскоростной переключающий
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75 

Лабораторная работа No2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ


Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов

Расчетная часть

 Транзистор с управляющим p-n переходом

Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) MMBF4393
Параметры  I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 30 30 -3 -1,9 


Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax, B U_си= 0.5U_cиmax,
B
    0.3 B 15 В
    I_с, mA I_с, mA
1. -0.19 0.95U_(зи отс) -1.805 -0,274 0,075
2.  0.75U_(зи отс) -1.425 1,620 1,875
3.  0.5U_(зи отс) -0.95 3,989 7,5
4.  0.25U_(зи отс) -0.475 6,357 16,875
5.  0 0 8,726 30
Привести формулы для расчета I_с, mA.



Лабораторная работа No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАН-ЗИСТОРАХ



Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.

Расчет и испытание транзисторного ключа

1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе

Расчетная часть

Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование  
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора 2N2219 
IБ УПР Номиналы резисторов
     UКЭ max IК max  RК Rб
Единицы измерения A B B  B A A Ом Ом
Параметр  0,1 20 4,2 100 30 0,8 0,01 200 350

ПО ПАРАМЕТРАМ ПОДХОДИТ ТРАНЗИСТОР 2N2219:
〖U" В В" 〗_(КЭ MAX)
〖I" " "А" _КОМ " А" 〗_(К MAX)
H_21Э=100.
I_(Б,ТР)=(10⋅I_КОМ)/H_21ОЭ =(10⋅0.1)/100=0.01" А"
R_K≈E2/I_КОМ =20/0.1=200" ОМ"
R_Б≈E_1MAX/(I_(Б,ТР) (4.2-0.7)/0.01 " ОМ" )

Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.04.2022

Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru