Онлайн тест по предмету: Элементная база телекоммуникационных систем
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №2
Вольт-амперная характеристика ППЛ - это...
Зависимость длины волны излучения от приложенной мощности
Зависимость тока накачки от приложенной мощности
Зависимость излучаемой мощности от тока накачки
Зависимость порогового тока от приложенного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Как связаны между собой добротность и полоса пропускания резонансного контура?
Прямо пропорциональны
Обратно пропорциональны
Не связаны между собой
Квадратичная зависимость добротности от полосы пропускания
Нет правильного ответа
Вопрос №4
Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
Повышение надежности
Снижение потребления мощности
Миниатюризация
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа
Вопрос №6
В каких случаях в схемах выпрямителей используется параллельное включение диодов?
При отсутствии конденсатора
При отсутствии катушки
При отсутствии резисторов
При отсутствии трёхфазного трансформатора
Нет правильного ответа
Вопрос №7
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №8
Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-l-п фотодиода наличием...
Сильно легированной п- области
Сильно легированной р- области
Слабо легированной п- области
Слабо легированной р- области
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
Дырками
Протонами
Нейтронами
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Имеется ли в полевых транзисторах диффузионная емкость и почему?
Да, поскольку имеется обеднённый слой на месте контакта двух проводников, который создаёт внутреннее поле
Да, поскольку в полевых транзисторах имеется инжекция, обусловленная изменением приложенного напряжения
Нет, поскольку в полевых транзисторах не наблюдается концентрация инжектированных носителей вблизи границ p-n-перехода
Нет, поскольку в полевых транзисторах отсутствует инжекция
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Максимальную энергию имеют электроны, находящиеся на энергетических уровнях...
Валентной зоны
Доноров
Запрещенной зоны
Зоны проводимости
Нет правильного ответа
Вопрос №12
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Как связаны между собой активное и реактивное сопротивление в режиме резонанса напряжений?
Равны между собой
Обратно пропорциональны
Прямо пропорциональны
Активное сопротивление в 2 раза больше реактивного
Активное сопротивление в 2 раза меньше реактивного
Нет правильного ответа
Вопрос №14
Что такое инжекция и экстракция?
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Как называются выводы биполярного транзистора?
База, коллектор, эмиттер
Сетка, катод, анод
Затвор, исток, сток
Затвор, коллектор, эмиттер
База, катод, анод
Нет правильного ответа
Вопрос №16
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Устройство, преобразующее оптическую энергию в электрическую называют...
Передатчиком света
Приемником света
Регенератором света
Усилителем света
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Чем характеризуется индуктивность катушки индуктивности?
Способностью изменять силу протекающего через катушку тока
Способностью изменять напряжение в цепи
Способностью оставлять неизменным напряжение в цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №19
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Ватт-амперная характеристика ППЛ - это зависимость:
Амплитуды от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №2
Вольт-амперная характеристика ППЛ - это...
Зависимость длины волны излучения от приложенной мощности
Зависимость тока накачки от приложенной мощности
Зависимость излучаемой мощности от тока накачки
Зависимость порогового тока от приложенного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Как связаны между собой добротность и полоса пропускания резонансного контура?
Прямо пропорциональны
Обратно пропорциональны
Не связаны между собой
Квадратичная зависимость добротности от полосы пропускания
Нет правильного ответа
Вопрос №4
Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
Повышение надежности
Снижение потребления мощности
Миниатюризация
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа
Вопрос №6
В каких случаях в схемах выпрямителей используется параллельное включение диодов?
При отсутствии конденсатора
При отсутствии катушки
При отсутствии резисторов
При отсутствии трёхфазного трансформатора
Нет правильного ответа
Вопрос №7
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №8
Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-l-п фотодиода наличием...
Сильно легированной п- области
Сильно легированной р- области
Слабо легированной п- области
Слабо легированной р- области
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
Дырками
Протонами
Нейтронами
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Имеется ли в полевых транзисторах диффузионная емкость и почему?
Да, поскольку имеется обеднённый слой на месте контакта двух проводников, который создаёт внутреннее поле
Да, поскольку в полевых транзисторах имеется инжекция, обусловленная изменением приложенного напряжения
Нет, поскольку в полевых транзисторах не наблюдается концентрация инжектированных носителей вблизи границ p-n-перехода
Нет, поскольку в полевых транзисторах отсутствует инжекция
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Максимальную энергию имеют электроны, находящиеся на энергетических уровнях...
Валентной зоны
Доноров
Запрещенной зоны
Зоны проводимости
Нет правильного ответа
Вопрос №12
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Как связаны между собой активное и реактивное сопротивление в режиме резонанса напряжений?
Равны между собой
Обратно пропорциональны
Прямо пропорциональны
Активное сопротивление в 2 раза больше реактивного
Активное сопротивление в 2 раза меньше реактивного
Нет правильного ответа
Вопрос №14
Что такое инжекция и экстракция?
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Как называются выводы биполярного транзистора?
База, коллектор, эмиттер
Сетка, катод, анод
Затвор, исток, сток
Затвор, коллектор, эмиттер
База, катод, анод
Нет правильного ответа
Вопрос №16
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Устройство, преобразующее оптическую энергию в электрическую называют...
Передатчиком света
Приемником света
Регенератором света
Усилителем света
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Чем характеризуется индуктивность катушки индуктивности?
Способностью изменять силу протекающего через катушку тока
Способностью изменять напряжение в цепи
Способностью оставлять неизменным напряжение в цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №19
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Ватт-амперная характеристика ППЛ - это зависимость:
Амплитуды от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Дополнительная информация
100%
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 3
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70
2. ВАХ стабилитрона
2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа
2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
200 руб.
Другие работы
Контрольные работы по метрологи №№1 и 2. Вариант №2
Liya38
: 6 марта 2015
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No1
ПОГРЕШНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ
Задача No 1.
При измерении напряжения между двумя точками электрической схемы было произведено 10 равноточных измерений цифровым вольтметром класса точности 0,05/0,02 на пределе 10 В. Показания прибора приведены в табл. 4. Запишите результат эксперимента в виде доверительного интервала для двух значений доверительной вероятности = 0,95 и = 0,99. Оцените неисключенную систематическую погрешность результата эксперимента.
Задача No 3
Производится экс
60 руб.
Способы эксплуатации нефтяных и газовых скважин в Украине
DocentMark
: 27 октября 2012
План
1. Вступ
2. Технологічні особливості
3. Експлуатація нафтових свердловин
3.1 Фонтанна експлуатація нафтових свердловин
3.2 Компресорна експлуатація нафтових свердловин
3.3 Насосна експлуатація нафтових свердловин
3.3.1 За допомогою штангових свердловинних насосних установок
3.3.2 За допомогою занурених відцентрових насосів
Експлуатація газових свердловин
1.Вступ
Забезпеченість України паливно-енергетичними ресурсами одне з найголов
Расчет сварного шва
GnobYTEL
: 17 сентября 2012
Расчет сварного соединения с угловыми швами на действие момента в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения шва.
Исходные данные. Консоль двутаврового профиля прикрепляется угловым швом путем обварки по периметру профиля. Размеры поперечного сечения показаны на рис. 10.
Изгибающий момент М=80 кНм. Материал консоли листовая сталь марки 15ХСНД, (Rуп=345 МПа, Rип=490 МПа). Сварка выполняется полуавтоматом в углекислом газе проволокой диаметром 2 мм марки Св - 08Г2С в нижнем положении (Rf.
20 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Управление качеством в телекоммуникациях. Вариант 03
xtrail
: 25 июля 2024
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Сообщение №1
0000: 00 00 93 90 03 20 00 00 e2 e8 03 8e 08 00 45 60
0010: 01 1a 0b 25 00 00 20 11 00 09 c0 62 95 cb c7 45
0020: 9f 67 c0 7c 00 a1 01 06 4a 51 30 81 fb 02 01 00
0030: 04 06 64 65 73 2d 30 33 a0 81 ed 02 04 35 97 ac
0040: 55 02 01 00 02 01 00 30 81 de 30 0c 06 08 2b 06
0050: 01 02 01 01 03 00 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02
0060: 01 02 02 01 05 01 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02
0070: 01 02 02 01 08 01 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02
008
600 руб.