Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 6 (2022 год)

«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»

1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).

2. Принципиальная схема исследуемого каскада
Принципиальная схема резисторного каскада приведена на рисунке 1.

3. Предварительный расчет
Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА.

Таблица 1 – Варианты значений емкостей
No варианта: 6
C1, мкФ: 3,8
C2, мкФ: 3,2
C3, пФ: 300
C5, мкФ: 200

Перед выполнением работы требуется рассчитать следующие параметры усилителя:
- коэффициент усиления и сквозной коэффициент усиления по напряжению в области средних частот (без ООС по переменному току);
- входное сопротивление транзистора, включенного с ОЭ;
- общий коэффициент частотных искажений на нижней частоте (fн = 40 Гц) при заданных значениях емкостей Ср1, Ср2 и Сэ;
- общий коэффициент частотных искажений на верхней частоте (fв = 100 кГц) при заданных значениях входной динамической емкости транзистора Сбэ дин и емкости нагрузки Сн;
- относительный спад плоской вершины импульса большой длительности (tимп = 2мс) за счет разделительных емкостей dобщ;
- время установления фронта импульса малой длительности (tимп = 5 мкс) tуст за счет влияния емкости нагрузки.

4. Схема исследования в среде моделирование Electronics Workbench
5. Исследование амплитудно-частотных (ЛАЧХ) характеристик усилителя с целью исследования влияния реактивных элементов
6. Исследование переходной характеристики каскада в области малых времен (tи = 5 мкс)
7. Исследование переходной характеристики каскада в области больших времен (tи = 2 мс = 2000 мкс)
8. Выводы по работе

9. Контрольные вопросы
1) Изобразить упрощенную эквивалентную схему транзистора для широкой полосы частот в системе физических параметров. Объяснить частотные свойства транзистора.
2) Изобразить эквивалентные схемы входной и выходной цепи резисторного каскада усиления для широкой полосы частот. Преобразовать схему для области нижних, средних и верхних частот.
3) По эквивалентной схеме выходной цепи резисторного каскада усиления для области нижних частот объяснить причины частотных и переходных искажений.
4) По эквивалентной схеме выходной цепи резисторного каскада усиления для области верхних частот объяснить причины частотных и переходных искажений.
5) Изобразить переходные характеристики резисторного каскада усиления в области больших и малых времен. Объяснить причины переходных искажений. Какими параметрами они оцениваются?
6) Объяснить действие большой емкости в цепи эмиттера на частотную характеристику.
7) Объяснить действие большой емкости в цепи эмиттера на переходную характеристику.
8) Объяснить действие эмиттерной высокочастотной коррекции с помощью малой емкости в цепи эмиттера на частотную характеристику.
9) Объяснить действие эмиттерной высокочастотной коррекции с помощью малой емкости в цепи эмиттера на переходную характеристику.

Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2022 г.
Преподаватель: Архипов С.Н.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru