Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 6
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
12.11.2022
-
Размер:
776 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
D69DCC79-538F-4C63-8B9C-80CEF3C87570.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дано:
Транзистор: КП303В, UСИ0=5 В, UЗИ0=-3,2 В. Выходные характеристики:
-------------------------------------------
Задача №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Дано:
Транзистор: КТ815А, UКЭ=3 В, характеристики:
-------------------------------------------
Задача №3
Вариант выбран в соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля 0
Дано: принципиальная схема логического элемента:
Параметры:
Напряжение питания: UПИТ=9 В
Пороговые напряжения МДП-транзисторов VT1 и VT2: UПОР=1 В
Уровень входного напряжения: UВХ=0,5 В
-----------------------------------------------
Задача №4
Дана принципиальная схема устройства на основе идеального операционного усилителя:
Напряжение питания ОУ UПИТ=±8 В
Амплитуда входного напряжения: UВХ=50 мВ
Номиналы резисторов: R1=6,8 Ом, R2=680 Ом, R3=5,1 Ом.
-----------------------------------------------
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дано:
Транзистор: КП303В, UСИ0=5 В, UЗИ0=-3,2 В. Выходные характеристики:
-------------------------------------------
Задача №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Дано:
Транзистор: КТ815А, UКЭ=3 В, характеристики:
-------------------------------------------
Задача №3
Вариант выбран в соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля 0
Дано: принципиальная схема логического элемента:
Параметры:
Напряжение питания: UПИТ=9 В
Пороговые напряжения МДП-транзисторов VT1 и VT2: UПОР=1 В
Уровень входного напряжения: UВХ=0,5 В
-----------------------------------------------
Задача №4
Дана принципиальная схема устройства на основе идеального операционного усилителя:
Напряжение питания ОУ UПИТ=±8 В
Амплитуда входного напряжения: UВХ=50 мВ
Номиналы резисторов: R1=6,8 Ом, R2=680 Ом, R3=5,1 Ом.
-----------------------------------------------
Дополнительная информация
Оценка: Зачет
Дата оценки: 12.11.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Дата оценки: 12.11.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 14
Roma967
: 14 октября 2024
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные.
№ варианта: 14
Тип ПТ: КП302А
Uси0, В: 6
Uзи0, В: -2,5
Задача 2
Используя характеристики заданного биполя
Roma967
: 14 октября 2024
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №30
IT-STUDHELP
: 4 октября 2023
Вариант №30
Задание №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Исходные данные:
U_СИ0=9 В;
U_ЗИ0=-3,2 В;
Строим характеристику прямо
IT-STUDHELP
: 4 октября 2023
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 31
SibGOODy
: 10 июля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 31
Тип ПТ: КП307Ж
UСИ0, В: 9
UЗИ0, В: -4
Задача 2
Используя характеристики задан
SibGOODy
: 10 июля 2023
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 11
SibGOODy
: 10 июля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 11
Тип ПТ: КП903Б
UСИ0, В: 5
UЗИ0, В: -4
Задача 2
Используя характеристики задан
SibGOODy
: 10 июля 2023
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04
IT-STUDHELP
: 3 июля 2023
Контрольная работа
Вариант №04
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 2.
Используя
IT-STUDHELP
: 3 июля 2023
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №19
IT-STUDHELP
: 29 апреля 2023
Вариант №19
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Полевой транзистор КП307Ж,
UСИ0, В = 7,
UЗИ0, В = - 4
---------
IT-STUDHELP
: 29 апреля 2023
400 руб.
Другие работы
Теплотехника ИрГАУ Задача 5 Вариант 12
Z24
: 22 февраля 2026
Определить количество удаленной влаги W, потребное количество воздуха L и расход теплоты на сушку Q для конвективной зерносушилки производительностью G1, если начальное значение относительной влажности зерна ω1 и конечное ω2, влагосодержание d1 и температура воздуха t1 на входе в сушилку, влагосодержание d2 и температура воздуха t2 на выходе из сушилки, температура наружного воздуха t0=15 ºC (табл. 6).
Изобразить процесс сушки в h-d диаграмме влажного воздуха.
Z24
: 22 февраля 2026
150 руб.
Схемотехника. Экзамен. Билет №4
MN
: 21 мая 2015
Билет № 4
Дисциплина «Основы схемотехники».
1. Влияние обратной связи на сквозной коэффициент усиления усилительной цепи.
2. Входные и выходные показатели усилительной цепи.
3. Схема разностного усилителя на базе ОУ.
MN
: 21 мая 2015
150 руб.
База данных. 1 курс. 2 семестр. Практические задания + выполнение в аксесс.
ДО Сибгути
: 24 сентября 2013
Задание№1
По заданной ЕR-диаграмме:
1. Постройте таблицы (атрибуты сущностей выберите произвольно);
2. Выявите аномалии, удалите их;
3. Создайте схему данных.
Задание№2
Для предметной области «Расписание»: ФИО преподавателя, должность, ставка, ученая степень, кафедра, телефон кафедры, факультет, курс, день недели, номер пары, предмет, вид занятий, аудитория.
1. Построить ER-модель (указать сущности и их атрибуты);
2. Описать порядок перехода от ER-модели к отношениям;
3. Построить логическу
ДО Сибгути
: 24 сентября 2013
30 руб.
АРМ Амбулаторно-поликлинический учет
GnobYTEL
: 24 августа 2012
Содержание
1. НАИМЕНОВАНИЕ АСУ 3
2. ОСНОВАНИЕ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ 3
3. НАЗНАЧЕНИЕ И ЦЕЛЬ 3
4. ТРЕБОВАНИЯ К АСУ 5
4.1. Требования к системе в целом 5
4.1.1. Требования к структуре 5
4.1.2. Требования к функциям 10
4.1.2.1. Перечень функций и задач 10
4.1.2.2. Требования к качеству выполнения функций 13
4.1.2.3. Требования к совместимости со смежными системами 13
4.1.2.4. Требования к информационному взаимодействию и информационным взаимосвязям 13
4.1.2.5. Требования к диагностике функционирова
GnobYTEL
: 24 августа 2012
20 руб.
