Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.

Цена:
480 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 93A3699C-09A6-45AB-84F4-2784FE8A3A86.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)?
Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой)
Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одного может управлять током другого (носители заряда, инжектированные через один из p-n-переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток)
Принцип работы заключается в том, что проводимость транзистора идет в двух направлениях, от центрального электрода к боковым (или наоборот), соответственно составляющим его диодам
Принцип работы заключается в том, что p-n-переходы проводят ток попеременно - сначала коллекторный, потом эмиттерный, после чего транзистор закрывается на короткое время, а затем снова открывается
Нет правильного ответа

Вопрос №2
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

Вопрос №3
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе

Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

Вопрос №5
Вольт-амперная характеристика ППЛ - это...
Зависимость длины волны излучения от приложенной мощности
Зависимость тока накачки от приложенной мощности
Зависимость излучаемой мощности от тока накачки
Зависимость порогового тока от приложенного напряжения
Нет правильного ответа

Вопрос №6
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
усиление тока
усиление мощности
усиление напряжения
мощность и ток
усиление тока и напряжения
нет правильного ответа

Вопрос №7
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

Вопрос №8
Чем характеризуется индуктивность катушки индуктивности?
Способностью изменять силу протекающего через катушку тока
Способностью изменять напряжение в цепи
Способностью оставлять неизменным напряжение в цепи
Нет правильного ответа

Вопрос №9
В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
Нет правильного ответа

Вопрос №10
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

Вопрос №11
В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока?
Способны распределять в электрической цепи энергию источника
Способны отдавать в электрическую цепь энергию источника без потерь
Способны отдавать в электрическую цепь неограниченную по мощность
Нет правильного ответа

Вопрос №12
Основной элемент аналоговых микросхем:
тиристор
диод
транзистор
динистор
тринистор
нет правильного ответа

Вопрос №13
Ватт-амперная характеристика светодиода - это зависимость:
Излучаемой мощности от напряжения на входе
Амплитуды напряжения от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №14
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа

Вопрос №15
Как связаны между собой активное и реактивное сопротивление в режиме резонанса напряжений?
Равны между собой
Обратно пропорциональны
Прямо пропорциональны
Активное сопротивление в 2 раза больше реактивного
Активное сопротивление в 2 раза меньше реактивного
Нет правильного ответа

Вопрос №16
Для изготовления приемников света используются...
Диэлектрики
Полупроводники
Проводники
Сверхпроводники
Нет правильного ответа

Вопрос №17
Как называются выводы биполярного транзистора?
База, коллектор, эмиттер
Сетка, катод, анод
Затвор, исток, сток
Затвор, коллектор, эмиттер
База, катод, анод
Нет правильного ответа

Вопрос №18
Как называют средний слой у биполярных транзисторов?
Сток
Исток
Коллектор
Нет правильного ответа

Вопрос №19
Спектральная характеристика СИД - это зависимость:
Тока накачки от длины волны
Излучаемой мощности от длины волны излучения
Длины волны от мощности излучения
Длины волны от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №20
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
================================================

Дополнительная информация

Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 03.12.2022

Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
Вопрос №1 Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал? Схема с общей базой Схема с общим эмиттером Схема с общим коллектором Нет правильного ответа Вопрос №2 Длина волны фотонов, излучаемых СИД зависит... От размеров СИД От размеров активного слоя СИД От ширины запрещённой зоны От тока накачки Нет правильного ответа Вопрос №3 Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора? Нет правильного ответа Как соотнош
User IT-STUDHELP : 12 ноября 2022
480 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
1. Транзистор с управляющим p-n переходом 2.Транзистор с индуцированным каналом
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» «Разработка интегрального цифрового устройства» Вариант - 7 Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) Задание : вариант уравнение мощность/ток время 7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3 Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅ Цель пер
User antoxa231 : 15 марта 2025
350 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). ЗАДАЧА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необ
User ScienceMonkey : 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). № ВАРИАНТА Предпоследняя цифра 2 Последняя цифра 9 400 360 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилит
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). No ВАРИАНТА Последняя цифра 3 Предпоследняя цифра 0 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода 1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода 1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70 2. ВАХ стабилитрона 2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона 2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Микроэкономика - ВАРИАНТ №6
Практическое задание 1 Тема 1. Основы микроэкономики Выбор варианта практического задания 1 осуществляется по первой букве фамилии студента (таблица 1.1). Таблица 1.1 Выбор варианта практического задания 1 Первая буква фамилии Вариант
User alexey2021 : 2 ноября 2023
1000 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод СамГУПС Задача 9 Вариант 8
На рис. 8 дана схема гидропривода, применяемого в скреперах. Гидропривод состоит из масляного бака 1, насоса 2, обратного клапана 3, распределителя 4, гидроцилиндров 5, трубопроводов 6, предохранительного клапана 7, фильтра 8.
User Z24 : 22 октября 2025
300 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод СамГУПС Задача 9 Вариант 8
Дипломный проект. Арочный мост через реку.
Чертежи арочного моста под совмещенную езду (ж.д.+а.д.). Включает в себя полный комплект для диплома (всего 12 чертежей).
User edvard : 15 ноября 2009
Разработка механического участка обработки фланца. Чертеж шпинделя
Разработка механического участка обработки фланца. Чертеж шпинделя
User wolfire : 15 мая 2012
up Наверх