Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1
Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)?
Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой)
Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одного может управлять током другого (носители заряда, инжектированные через один из p-n-переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток)
Принцип работы заключается в том, что проводимость транзистора идет в двух направлениях, от центрального электрода к боковым (или наоборот), соответственно составляющим его диодам
Принцип работы заключается в том, что p-n-переходы проводят ток попеременно - сначала коллекторный, потом эмиттерный, после чего транзистор закрывается на короткое время, а затем снова открывается
Нет правильного ответа
Вопрос №2
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Вольт-амперная характеристика ППЛ - это...
Зависимость длины волны излучения от приложенной мощности
Зависимость тока накачки от приложенной мощности
Зависимость излучаемой мощности от тока накачки
Зависимость порогового тока от приложенного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №6
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
усиление тока
усиление мощности
усиление напряжения
мощность и ток
усиление тока и напряжения
нет правильного ответа
Вопрос №7
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №8
Чем характеризуется индуктивность катушки индуктивности?
Способностью изменять силу протекающего через катушку тока
Способностью изменять напряжение в цепи
Способностью оставлять неизменным напряжение в цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №9
В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №11
В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока?
Способны распределять в электрической цепи энергию источника
Способны отдавать в электрическую цепь энергию источника без потерь
Способны отдавать в электрическую цепь неограниченную по мощность
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Основной элемент аналоговых микросхем:
тиристор
диод
транзистор
динистор
тринистор
нет правильного ответа
Вопрос №13
Ватт-амперная характеристика светодиода - это зависимость:
Излучаемой мощности от напряжения на входе
Амплитуды напряжения от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №14
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Как связаны между собой активное и реактивное сопротивление в режиме резонанса напряжений?
Равны между собой
Обратно пропорциональны
Прямо пропорциональны
Активное сопротивление в 2 раза больше реактивного
Активное сопротивление в 2 раза меньше реактивного
Нет правильного ответа
Вопрос №16
Для изготовления приемников света используются...
Диэлектрики
Полупроводники
Проводники
Сверхпроводники
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Как называются выводы биполярного транзистора?
База, коллектор, эмиттер
Сетка, катод, анод
Затвор, исток, сток
Затвор, коллектор, эмиттер
База, катод, анод
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Как называют средний слой у биполярных транзисторов?
Сток
Исток
Коллектор
Нет правильного ответа
Вопрос №19
Спектральная характеристика СИД - это зависимость:
Тока накачки от длины волны
Излучаемой мощности от длины волны излучения
Длины волны от мощности излучения
Длины волны от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №20
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
================================================
Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)?
Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой)
Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одного может управлять током другого (носители заряда, инжектированные через один из p-n-переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток)
Принцип работы заключается в том, что проводимость транзистора идет в двух направлениях, от центрального электрода к боковым (или наоборот), соответственно составляющим его диодам
Принцип работы заключается в том, что p-n-переходы проводят ток попеременно - сначала коллекторный, потом эмиттерный, после чего транзистор закрывается на короткое время, а затем снова открывается
Нет правильного ответа
Вопрос №2
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Вольт-амперная характеристика ППЛ - это...
Зависимость длины волны излучения от приложенной мощности
Зависимость тока накачки от приложенной мощности
Зависимость излучаемой мощности от тока накачки
Зависимость порогового тока от приложенного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №6
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
усиление тока
усиление мощности
усиление напряжения
мощность и ток
усиление тока и напряжения
нет правильного ответа
Вопрос №7
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №8
Чем характеризуется индуктивность катушки индуктивности?
Способностью изменять силу протекающего через катушку тока
Способностью изменять напряжение в цепи
Способностью оставлять неизменным напряжение в цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №9
В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №11
В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока?
Способны распределять в электрической цепи энергию источника
Способны отдавать в электрическую цепь энергию источника без потерь
Способны отдавать в электрическую цепь неограниченную по мощность
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Основной элемент аналоговых микросхем:
тиристор
диод
транзистор
динистор
тринистор
нет правильного ответа
Вопрос №13
Ватт-амперная характеристика светодиода - это зависимость:
Излучаемой мощности от напряжения на входе
Амплитуды напряжения от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №14
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Как связаны между собой активное и реактивное сопротивление в режиме резонанса напряжений?
Равны между собой
Обратно пропорциональны
Прямо пропорциональны
Активное сопротивление в 2 раза больше реактивного
Активное сопротивление в 2 раза меньше реактивного
Нет правильного ответа
Вопрос №16
Для изготовления приемников света используются...
Диэлектрики
Полупроводники
Проводники
Сверхпроводники
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Как называются выводы биполярного транзистора?
База, коллектор, эмиттер
Сетка, катод, анод
Затвор, исток, сток
Затвор, коллектор, эмиттер
База, катод, анод
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Как называют средний слой у биполярных транзисторов?
Сток
Исток
Коллектор
Нет правильного ответа
Вопрос №19
Спектральная характеристика СИД - это зависимость:
Тока накачки от длины волны
Излучаемой мощности от длины волны излучения
Длины волны от мощности излучения
Длины волны от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №20
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
================================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 03.12.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 03.12.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопрос №1
Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Длина волны фотонов, излучаемых СИД зависит...
От размеров СИД
От размеров активного слоя СИД
От ширины запрещённой зоны
От тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотнош
480 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
350 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 3
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70
2. ВАХ стабилитрона
2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
200 руб.
Другие работы
Микроэкономика - ВАРИАНТ №6
alexey2021
: 2 ноября 2023
Практическое задание 1
Тема 1. Основы микроэкономики
Выбор варианта практического задания 1 осуществляется по первой букве фамилии студента (таблица 1.1).
Таблица 1.1
Выбор варианта практического задания 1
Первая буква фамилии Вариант
1000 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод СамГУПС Задача 9 Вариант 8
Z24
: 22 октября 2025
На рис. 8 дана схема гидропривода, применяемого в скреперах. Гидропривод состоит из масляного бака 1, насоса 2, обратного клапана 3, распределителя 4, гидроцилиндров 5, трубопроводов 6, предохранительного клапана 7, фильтра 8.
300 руб.
Дипломный проект. Арочный мост через реку.
edvard
: 15 ноября 2009
Чертежи арочного моста под совмещенную езду (ж.д.+а.д.).
Включает в себя полный комплект для диплома (всего 12 чертежей).
Разработка механического участка обработки фланца. Чертеж шпинделя
wolfire
: 15 мая 2012
Разработка механического участка обработки фланца. Чертеж шпинделя