Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 3.doc
material.view.file_icon кр.doc
material.view.file_icon 1.doc
material.view.file_icon 2.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант №10

Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

=============================================

Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора

=============================================


Лабораторная работа N3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

=============================================
=============================================

Контрольная работа
Вариант №10

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.


Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ903A; U_KЭ=20B.


Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 1В.


Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±6В; R_1=1кОм; R_2=10кОм; R_3=0.82кОм; U_вх=100мВ.

=============================================

Дополнительная информация

Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 25.12.2022г.

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
Вариант №10 Лабораторная работа N1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. ============================================= Лабораторная работа N2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора =========
User IT-STUDHELP : 25 декабря 2022
400 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант №10.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50. Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выв
User Bodibilder : 20 мая 2019
40 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов» Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты). Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора. Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
User boeobq : 21 ноября 2021
55 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
ГОСТ 9140-78. Шпоночные фрезы. Технические условия
Настоящий стандарт распространяется на шпоночные фрезы, предназначенные для обработки шпоночных пазов по ГОСТ 23360 в изделиях из стали
User alfFRED : 2 июля 2013
10 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Технологии транспортных сетей. Вариант №07.
Задача Для заданной топологии сети определить в каждом пункте тип мультиплексора, уровень STM и оптический интерфейс на участках сети, если передается следующая информация: Таблица 3.1. Расстояния между пунктами в км. 7 АБ 33 БВ 78 ВГ 23 ГД 44 ДА - Таблица 3.2 Вариант Последняя цифра пароля Направления Е1 Е3 100BaseX (FE) 1000BaseX (GE) Топология сети 7 А-Б 88 1 1 1 Линейная А-В 24 1 3 1 А-Г 13 1 1 - А-Д 32 2 1 -
User teacher-sib : 26 мая 2021
500 руб.
promo
Тиски 62.000
Тиски 62.000 Сборочный чертеж Тиски 62.000 Спецификация Тиски 62.000 3d модель Тиски 62.000 чертежи Губа неподвижная 62.001 Губа подвижная 62.002 Пружина 62.003 Винт ходовой 62.004 Шайба 62.005 Винт нажимной 62.006 Тиски слесарные служат для закрепления деталей при обработке. Обрабатываемая деталь зажимается между подвижной и неподвижной губами. Тиски крепятся к столу неподвижной губой 1 и винтом 5. При ввертывании ходового винта 4 в стойку неподвижной губы перемещаем подвижную губу 2 и зажимае
User bublegum : 7 апреля 2020
600 руб.
Тиски 62.000 promo
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 1 Вариант 14
U-образный ртутный манометр, показание которого hрт, присоединен к сосуду (рис.1), заполненному бензином ρбенз = 700 кг/м³; уровень масла над ртутью hм. Определить показание пружинного манометра (обозначение буквой М), установленного на крышке резервуара и абсолютное давление рабс паров на поверхности бензина, а также возможную высоту уровня бензина в пьезометре hр при условии, что известны: высота h от места установки манометра до свободной поверхности бензина; высота а от места установки ма
User Z24 : 7 марта 2026
200 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 1 Вариант 14
up Наверх