Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 3.doc
material.view.file_icon кр.doc
material.view.file_icon 1.doc
material.view.file_icon 2.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант №10

Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

=============================================

Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора

=============================================


Лабораторная работа N3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

=============================================
=============================================

Контрольная работа
Вариант №10

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.


Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ903A; U_KЭ=20B.


Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 1В.


Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±6В; R_1=1кОм; R_2=10кОм; R_3=0.82кОм; U_вх=100мВ.

=============================================

Дополнительная информация

Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 25.12.2022г.

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
Вариант №10 Лабораторная работа N1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. ============================================= Лабораторная работа N2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора =========
User IT-STUDHELP : 25 декабря 2022
400 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант №10.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50. Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выв
User Bodibilder : 20 мая 2019
40 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов» Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты). Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора. Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
User boeobq : 21 ноября 2021
55 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Оптические интерфейсы. Контрольная работа. В-11
Содержание Задача 1 3 Задача 2 7 Задача 3 11 Задача 4 13 Задача 5 14 1 Контрольные вопросы к разделу 1 16 2 Контрольные вопросы к разделу 2 22 3 Контрольные вопросы к разделу 3 26 4 Контрольные вопросы к разделу 4 37 5 Контрольные вопросы к разделу 5 40 Список использованных источников 43 Задача 1 Используя данные реальных модулей SFP/XFP, приведённые в табл.2.1, оценить возможность их применения на волоконно-оптических линиях различной протяженности (табл. 2.2), представляющих собой волокна ст
User banderas0876 : 3 мая 2021
300 руб.
Оптические интерфейсы. Контрольная работа. В-11
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-1 Вариант 89
V1, м³ газа с начальным давлением р1 и начальной температурой t1 сжимается до изменения объема в ε раз (ε=V1/V2). Сжатие происходит по изотерме, адиабате и политропе с показателем политропы n. Определить массу газа, конечный объем, температуру, работу сжатия, количество отведенной теплоты, изменение внутренней энергии и энтропии газа для каждого из процессов. Изобразить процессы сжатия в p,υ и T,s — диаграммах.
User Z24 : 18 января 2026
250 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-1 Вариант 89
Современное состояние психолого-педагогической антропологии как отрасли человековедения
ИСТОРИЯ ПРОИСХОЖДЕНИЯ ПСИХОЛОГО-ПЕДАГОГИЧЕСКОЙ АНТРОПОЛОГИИ Чтобы понять, что есть «педагогическая антропология», начнем с термина «антропология». Он расшифровывается как «знание о человеке», «наука о человеке» и возник в конце XVIII в. Этот термин был предложен И.Кантом (1724—1804) для обозначения особой автономной области знаний, новой науки — науки о человеке, которой до того времени не было. Антропология — это специальная наука о человеке как сложном и чрезвычайно значительном феномене. С
User Qiwir : 13 октября 2013
Технологический процесс изготовления детали "Втулка"
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ В работе разработан технологический процесс механической обработки детали втулка, выполнен рабочий чертеж детали, схема наладки. В курсовой работе представлены: - анализ требований к точности и шероховатости обрабатываемых поверхностей - описание технологического процесса обработки детали - выбор табличных припусков на обрабатываемые поверхности - разработку операционного описания - оформление маршрутной карты и карты эскизов н
User Folko : 1 июня 2008
up Наверх