Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
25.12.2022
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
3.doc
|
|
кр.doc
|
|
1.doc
|
|
2.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=============================================
Лабораторная работа N3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
=============================================
=============================================
Контрольная работа
Вариант №10
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ903A; U_KЭ=20B.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 1В.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±6В; R_1=1кОм; R_2=10кОм; R_3=0.82кОм; U_вх=100мВ.
=============================================
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=============================================
Лабораторная работа N3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
=============================================
=============================================
Контрольная работа
Вариант №10
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ903A; U_KЭ=20B.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 1В.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±6В; R_1=1кОм; R_2=10кОм; R_3=0.82кОм; U_вх=100мВ.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 25.12.2022г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 25.12.2022г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=========
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
400 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант №10.
Bodibilder
: 20 мая 2019
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выв
Bodibilder
: 20 мая 2019
40 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты).
Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора.
Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
boeobq
: 21 ноября 2021
55 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Иновационные процессы. Статьи для дисертации
oleg778
: 29 мая 2013
01- Инвестиционные риски и рекомендации
02 - Опыт венчурного инвестирования
03 - Совершенствование системы
04 - Механизмы повышения уровня
05 - Стадии инновационного процесса
oleg778
: 29 мая 2013
500 руб.
Лабораторная работа № 3.4. Измерение напряжения электрических сигналов. Вариант №25
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2014
1. Цель работы
1.1. Изучить:
1.1.1 параметры переменных напряжений и токов;
1.1.2 методы измерения параметров переменных напряжений и токов;
1.1.3 принцип действия, устройство и метрологические характеристики электронных вольтметров;
1.1.4 особенности измерения напряжения электронными вольтметрами переменного тока;
1.1.5 источники погрешности при измерении электронными вольтметрами;
1.1.6 оценка погрешности измерений напряжений вольтметрами;
1.2 получить навыки работы с измерительными приборам
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2014
350 руб.
Практический путь развития души в учении киников
alfFRED
: 17 октября 2013
Школа Киников – последователи сократической философской школы, основанная учениками Сократа.
Первоначально основатель школы киников – Антисфен Афинский. Изначально ученик софиста Георгия, который повлиял на философию Анистфена. Затем философ учится у Сократа, становится его последователем и, опираясь на его учения организовывает свою школу киников.
Анистфен называл себя аппокион(от гр. Истинный пес). Но эта первая версия, другая же заключается в названии места, в котором Философ проводил бесед
alfFRED
: 17 октября 2013
5 руб.
Контрольная работа "Методы принятия управленческих решений"
love14
: 10 февраля 2014
Задание:
Предприятие специализируется на выпуске фотоаппаратов, кинокамер и высокоточных оптических приборов. В последние годы им освоен выпуск видеокамер. Продукция предприятия имеет потребителей в России, ближнем зарубежье, развивающихся странах, а также в странах Западной Европы. Основными потребителями оптических приборов являются предприятия оборонной промышленности и медицины. В таблице 1 содержится характеристика продуктового портфеля.
Таблица 1. Исходные данные для построения матрицы BC
love14
: 10 февраля 2014
220 руб.
