Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=============================================
Лабораторная работа N3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
=============================================
=============================================
Контрольная работа
Вариант №10
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ903A; U_KЭ=20B.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 1В.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±6В; R_1=1кОм; R_2=10кОм; R_3=0.82кОм; U_вх=100мВ.
=============================================
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=============================================
Лабораторная работа N3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
=============================================
=============================================
Контрольная работа
Вариант №10
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ903A; U_KЭ=20B.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 1В.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±6В; R_1=1кОм; R_2=10кОм; R_3=0.82кОм; U_вх=100мВ.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 25.12.2022г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 25.12.2022г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=========
400 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант №10.
Bodibilder
: 20 мая 2019
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выв
40 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты).
Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора.
Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
55 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Другие работы
Экзамен по истории
Дарья31
: 10 сентября 2014
Советский Союз во Второй мировой и Великой Отечественной войне.
Причинами второй мировой войны фактически явились те же противоречия между ведущими державами мира, которые породили первую мировую войну. Версальско-Вашингтонская система (1919–1922 гг.) не смогла устранить захватнических устремлений Германии, Японии и пришедших к власти в 1922 г. фашистов Италии. К противоречиям внутри капиталистического мира добавилось появление на мировой арене социалистического государства – СССР.
Вторая миров
150 руб.
Модернізація РО одноковшового екскаватора
evelin
: 18 октября 2012
Механічне руйнування здійснюється, як правило, зосередженою силовою дією робочого інструменту на ґрунтовий масив. Шматки або шари ґрунту відділяються від масиву частіше за все інструментом клиноподібної форми (різання ґрунту), що рухається щодо ґрунтового масиву. Енергоємність розробки піщаних і глинистих ґрунтів способом механічного руйнування залежно від міцності ґрунту, розмірів і конструкції робочого органа складає від 0,05 до 0,3 кВтгод./м3.
Гідравлічне руйнування проводять розмивом ґрунту
1450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Отказоустойчивые вычислительные системы. Вариант №1
IT-STUDHELP
: 6 декабря 2019
(Вариант 1)
1. Критерии оценки производительности многопроцессорных вычислительных систем.
11. В чем отличие кластерных вычислительных систем от "мэйнфреймов"?
21. Этапы разработки параллельных алгоритмов.
31. Как определить минимально возможное время параллельного решения задачи по графу «операнды–операции»?
41. Какие основные методы применяются при маршрутизации передаваемых данных по сети?
51. Какие подходы используются для разработки параллельных программ?
61. Какой минимальный набор
850 руб.
Предложения по борьбе с механическими примесями в работе УЭЦН
Laguz
: 16 марта 2025
Разработка методов устранения осложнений при эксплуатации ЭЦН
Плакат в компасе 21 + дополнительно сохранён в компас 11, джпг
Файлы компаса можно просматривать и сохранять в нужный формат бесплатной программой КОМПАС-3D Viewer.
100 руб.