Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 3.doc
material.view.file_icon кр.doc
material.view.file_icon 1.doc
material.view.file_icon 2.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант №10

Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

=============================================

Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора

=============================================


Лабораторная работа N3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

=============================================
=============================================

Контрольная работа
Вариант №10

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.


Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ903A; U_KЭ=20B.


Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 1В.


Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±6В; R_1=1кОм; R_2=10кОм; R_3=0.82кОм; U_вх=100мВ.

=============================================

Дополнительная информация

Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 25.12.2022г.

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
Вариант №10 Лабораторная работа N1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. ============================================= Лабораторная работа N2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора =========
User IT-STUDHELP : 25 декабря 2022
400 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант №10.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50. Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выв
User Bodibilder : 20 мая 2019
40 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов» Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты). Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора. Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
User boeobq : 21 ноября 2021
55 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Лабораторная работа № 5 по дисциплине "Структуры и алгоритмы обработки данных (1 часть)" 2 семестр 6 вариант
Лабораторная работа 5. Хэширование и поиск. Цель работы: Освоить методы построения хэш-таблиц и поиска с помощью хэш-таблиц. Порядок выполнения работы: 1. Построить хэш-таблицу методом линейных проб для слов заданного текста. Текст находится в некотором файле (примерно 200 слов). Экспериментально определить минимально необходимый объем хэш-таблицы и число коллизий при построении. 2. Построить хэш-таблицу методом квадратичных проб для слов заданного текста. Файл с текстом должен б
User mastar : 23 января 2012
120 руб.
Коллективные инвестиции: особенности и перспективы развития в РФ
Введение 1. Теоретические основы коллективных инвестиций 1.1 Понятие и классификация коллективных инвестиций 1.2 Классификация коллективных инвестиций 2. Паевые инвестиционные фонды 2.1 Понятие и сущность ПИФа, виды фондов 2.2 Механизм работы паевого фонда. 2.3 Развитие паевых инвестиционных Фондов в России 3. Другие формы коллективного инвестирования 3.1 Кредитные союзы 3.2 Акционерные инвестиционные фонды 3.3 Негосударственные пенсионные фонды Заключение Список использованных источников Вве
User evelin : 26 октября 2013
5 руб.
Графическая работа 2 (1-ая часть). Вариант 11 - Контур детали
Возможные программы для открытия данных файлов: WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar) КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d Любая программа для ПДФ файлов. Миронов Б.Г. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере. Графическая работа 2 (1-ая часть). Вариант 11 - Контур детали Вычертить контуры деталей, применяя правила деления окружностей на равные части. В состав выполненной работы входят 2 файла: 1. Чертеж, выполненный
50 руб.
Графическая работа 2 (1-ая часть). Вариант 11 - Контур детали
Подсистема Управление доставкой для конфигураций на платформе 1С: Предприятие 8.2
В результате выполнения дипломной работы была разработана подсистема «Управление доставкой» на базе платформы «1С: Предприятие 8.2» с возможностью интеграции в различные конфигурации. Подсистема позволяет автоматически рассчитывать маршруты следования транспортных средств с учетом транспортной сети города и вместимости машин. Результаты работы были представлены на конференциях: Пятьдесят восьмой научно-практическая конференция молодых ученых «Россия молодая» г. Кемерово (диплом за 3 место);
User Aronitue9 : 24 августа 2013
25 руб.
up Наверх