Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 15
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Работа Контрольная
-
Добавлен:
03.01.2023
-
Размер:
49 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Roma967
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
DB83599C-1888-4B54-8C3F-F3C763D355D9.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2–1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Таблица 1.1 ‒ Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 15
Тип наноизделия: Intel Core 2 Duo E6400
Тип транзистора: КТ382АМ
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASVL
2. Задания к практическим занятиям
2.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2–1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Таблица 1.1 ‒ Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 15
Тип наноизделия: Intel Core 2 Duo E6400
Тип транзистора: КТ382АМ
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASVL
2. Задания к практическим занятиям
2.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2022 г.
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Год сдачи: 2022 г.
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Виктория30
: 30 ноября 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
№ ВАРИАНТА Последняя
цифра
8
Предпослед няя
цифра
5
Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный
выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА № 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
Виктория30
: 30 ноября 2022
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Oksgus
: 13 июля 2022
1. Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса
Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем.
Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений.
3. Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
Oksgus
: 13 июля 2022
450 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
radist2020
: 30 января 2022
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
IT-STUDHELP
: 15 мая 2026
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствую
IT-STUDHELP
: 15 мая 2026
700 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 6
Учеба "Под ключ"
: 22 ноября 2025
«ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ»
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем.
ЗАДАНИЕ
В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выпо
Учеба "Под ключ"
: 22 ноября 2025
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 12
xtrail
: 25 августа 2025
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 12
Тип наноизделия: Intel Core 2 Extreme X 6800
Тип транзистора: KT306AM
Тип ЭВП: 6С65Н
Тип БИС: ATF2500BQL
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов,
xtrail
: 25 августа 2025
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем
ЗАДАНИЕ
В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего э
Roma967
: 21 мая 2025
900 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №07.
teacher-sib
: 28 февраля 2025
Контрольная работа
По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
«ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ»
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем
ЗАДАНИЕ
В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
teacher-sib
: 28 февраля 2025
500 руб.
Другие работы
Лідерство і керівництво в малих групах
Aronitue9
: 1 января 2011
1. Поняття про лідерство та керівництво в малих групах
2. Теорії походження лідерства і керівництва.
3. Стилі лідерства і керівництва.
Даючи визначення поняттю малої групи, треба розглядати її як еле-ментарну ланку структури соціальних відносин, функціональну одиницю у системі суспільного поділу праці. Г. Андреєва визначає малу групу як утворення, в якому суспільні відносини виступають як безпосередні особисті контакт. Це реально існуюча «контактна» група, де реалізуються певні суспільні зв'язки
Aronitue9
: 1 января 2011
10 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 4 Вариант 99
Z24
: 9 марта 2026
При ламинарном режиме движения жидкости по горизонтальному трубопроводу диаметром d расход жидкости равен Q (рис. 4). Падение пьезометрической высоты на участке трубопровода длиной l составляет h. Определить кинематическую ν и динамическую μ вязкости жидкости.
Z24
: 9 марта 2026
200 руб.
ГОСТ 22396-77. Двигатели ракетные жидкостные малой тяги. Термины и определения
alfFRED
: 28 июня 2013
Государственный стандарт Союза ССР. Официальное издание.
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области жидкостных ракетных двигателей малой тяги
Термины, установленные настоящим стандартом обязательны для применения для документации всех типов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе.
alfFRED
: 28 июня 2013
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 1 Вариант 53
Z24
: 11 января 2026
Плоская стальная стенка толщиной δ1 (λ1=40 Вт/(м·К)) с одной стороны омывается газами; при этом коэффициент теплоотдачи равен α1. С другой стороны стенка изолирована от окружающего воздуха плотно прилегающей к ней пластиной толщиной δ2 (λ2=0,40 Вт/(м·К). Коэффициент теплоотдачи от пластины к воздуху равен α2. Определить тепловой поток ql, Вт/м² и температуры t1, t2 и t3 поверхностей стенок, если температура продуктов сгорания tг, а воздуха — tв.
Z24
: 11 января 2026
120 руб.
