Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 7
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Элементная база электронной техники , Работа Контрольная
-
Добавлен:
25.03.2023
-
Размер:
61 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Roma967
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
41AB23B0-AC34-4304-B972-81F4BBBBD997.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
"Анализ технико-экономической эффективности внедрения наноэлектронных изделий"
1. Задание контрольной работы
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2. Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Таблица 2.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 7
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5110
Тип транзистора: КТ368Б
Тип ЭВП: 6Э13Н
Тип БИС: ATF1504AS
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
3. Определение выигрыша во времени безотказной работы
4. Определение выигрыша по занимаемому объему
5. Определение выигрыша в массе
6. Определение выигрыша по потребляемой мощности
7. Определение выигрыша в стоимости
Вывод
1. Задание контрольной работы
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2. Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Таблица 2.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 7
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5110
Тип транзистора: КТ368Б
Тип ЭВП: 6Э13Н
Тип БИС: ATF1504AS
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
3. Определение выигрыша во времени безотказной работы
4. Определение выигрыша по занимаемому объему
5. Определение выигрыша в массе
6. Определение выигрыша по потребляемой мощности
7. Определение выигрыша в стоимости
Вывод
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №19
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Контрольная работа
Вариант No19
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Оп
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база электронной техники". Вариант 02
apexgen
: 22 мая 2023
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
2 Intel Core 2 Duo E6600 KT316A 6С53Н ATF2500B
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые испол
apexgen
: 22 мая 2023
720 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 17
Roma967
: 26 января 2023
Задача №1
Выбор типа диодов для выпрямителей
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Вариант задания
№ варианта: 17
Rн,Ом: 200
U2,В: 220
Ток выпрямителя: Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
Задача №2
Выбор стабилитронов для вторичных источников питания
Задание:
1. Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.
Roma967
: 26 января 2023
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №5
IT-STUDHELP
: 16 ноября 2022
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
--------------------------------------------------------------
Задание:
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому о
IT-STUDHELP
: 16 ноября 2022
950 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 12
Учеба "Под ключ"
: 7 ноября 2022
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 6
3. Расчёты 7
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 7
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 11
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 12
3.5. Определение выигрыша в стоимости 13
Список использованных источников 15
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффек
Учеба "Под ключ"
: 7 ноября 2022
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 07
Учеба "Под ключ"
: 8 августа 2022
Задача №1
Выбор типа диодов для выпрямителей
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Вариант задания
№ варианта: 07
Rн,Ом: 200
U2,В: 220
Ток выпрямителя: Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
Задача №2
Выбор стабилитронов для вторичных источников питания
Задание:
1. Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.
Учеба "Под ключ"
: 8 августа 2022
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 01
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Контрольная работа
Задание No1
1 Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2 Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
No Варианта Последняя цифра 1
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 200
U2, В 220
Тип выпрямителя Двухполупериодный
Задание 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
1.Осуществить выбор стабилитрон
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
580 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. ВАРИАНТ 01
KVASROGOV
: 27 сентября 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Элементная база электронной техники
ВАРИАНТ 01
KVASROGOV
: 27 сентября 2020
200 руб.
Другие работы
Культиватор КШП-8 (чертеж общего вида)
kreuzberg
: 11 июня 2018
Культиватор КШП-8 предназначен для предпосевной подготовки почвы. Посредством культиватора измельчаются комья на поверхности пахотной почвы, выравнивается поверхность.
Культиватор можно агрегировать с бороной.
Рабочие узлы культиватора: выравнивающая доска, пружинные стойки, катки-уплотнители. Расположенная спереди выравнивающая доска выравнивает поверхность почвы.
Выравнивающая доска прижимается к поверхности почвы посредством пружин. Пружинные стойки, расположенные за выравнивающей до
kreuzberg
: 11 июня 2018
390 руб.
Лабораторная работа №3. Исследование ключевых схем на биполярных транзисторах
autotransport
: 24 августа 2020
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы
autotransport
: 24 августа 2020
200 руб.
Спарник траверсы станка качалки СКБ 6-2,5-2800-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 7 июня 2016
Спарник траверсы станка качалки СКБ 6-2,5-2800-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 7 июня 2016
200 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
sanco25
: 16 февраля 2014
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные
sanco25
: 16 февраля 2014
59 руб.
