Лабораторная работа №2 по дисциплине Схемотехника телекоммуникационных устройств. На тему Исследование свойств усилителя с ООС. МТУСИ

Лабораторная работа №2 по дисциплине Схемотехника телекоммуникационных устройств. На тему Исследование свойств усилителя с ООС.


Цель работы

Исследование влияния отрицательной обратной связи на основные показатели усилителя при различных видах обратной связи.
Изучение работы программы схемотехнического моделирования MicroCap.


Параметры транзисторов:
rбб =66.7 Ом, объемное сопротивление базы – параметр, который определяется материалом базы (удельное сопротивление) и толщиной базы
Ск=3 пФ, емкость коллекторного перехода - емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи
h21э = 75, статический коэффициент усиления по току - отношение изменения тока коллектора к вызвавшему его изменению тока базы
h22э = 20 мкСм, выходная проводимость транзистора - проводимость транзистора между коллектором и эмиттером, 1/R
Iк0=1 мА, постоянный ток - ток, протекающий из коллектора в базу при разомкнутой эмиттерной цепи
fT =150 МГц, частота единичного усиления – частота, на которой коэффициент усиления равен единице


Выводы:
1) Последовательная ООС по напряжению ухудшает усиление, но расширяет полосу пропускания усилителя
2) В заданном усилителе параллельная ООС по току не улучшила параметры усилителя
3) Изменения сопротивления нагрузки значительнее всего влияет на ОСЧ, т.е. на коэф усиления
4) Фазочастотные искажения не зависят от типа ООС, максимальное искажение составило 6.5 градусов