Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 26.04.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 26.04.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
aikys
: 18 июня 2016
1. Статические характеристики полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные ха
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Билет №2
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
Билет №3
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передато
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №8
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерист
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопросы:
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходны
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Леший
: 18 января 2021
Билет 1:
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
500 руб.
Другие работы
Економічні засади удосконалення організації роботи ТОВ ТК "Термінал"
Qiwir
: 8 ноября 2013
Предмет дослідження - організація виробничої діяльності ТОВ ТК «Термінал».
Мета дипломної роботи - розробка шляхів покращення організаційно-економічної роботи підприємства.
Для досягнення цієї мети в роботі вирішені такі задачі:
- розкриті теоретичні основи економічних засад удосконалення роботи підприємства;
- досліджено об’єми продажу авіаперевезень та туристичних путівок, популярність країн відпочинку;
- введено нові туристичні маршрути, та впроваджено внутрішній туризм для основної діял
10 руб.
Финансы. Вариант № 2
тантал
: 18 августа 2013
Темы и методические указания для выполнения экзаменационной работы
1. Темы и методические указания для выполнения первого вопроса экзаменационной работы
Первый вопрос экзаменационного задания предполагает изложение основных положений одной из тем дисциплины. Изложение осуществляется в два этапа: на первом этапе составляется подробный план ответа, а на втором этапе – формируются выводы по каждому пункту плана и общий вывод по рассматриваемой теме. и также приводится перечень источников, которые б
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант 01
Учеба "Под ключ"
: 7 сентября 2017
Содержание
Задание 3
1. Обоснование выбора типа усилительных элементов 4
1.1 Расчет рабочих частот усилителя 4
1.2 Выбор и обоснование схемы выходного каскада усилителя (ВКУ) 4
1.3 Выбор транзистора 5
1.4 Выбор режима работы транзистора ВКУ 7
1.5 Расчет стабилизации режима работы транзистора ВКУ 9
1.6 Расчет выходного каскада усиления по переменному току 11
1.7 Построение сквозной динамической характеристики и оценка нелинейных искажений в ВКУ 12
1.8 Выбор операционного усилителя и расч
1200 руб.
Муфта фрикционная 25.000
coolns
: 27 января 2020
Муфта фрикционная 25.000 сборочный чертеж
Муфта фрикционная 25.000 спецификация
Полумуфта 25.001
Гайка 25.002
Кожух 25.003
Пружина 25.004
Шайба 25.006
Диск ведомый 25.007
Диск ведущий 25.008
Гайка упорная 25.009
Полумуфта 25.010
Фрикционная муфта применяется в приводных установках и служит для ограничения передаваемого крутящего момента. В случае превышения крутящего момента в передаваемой цепи происходит прокручивание в дисках, что приводит к остановке одной из полумуфт, а следовательно, к пре
350 руб.