Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 14351CE5-F1E0-4979-B51C-2DDC564E4A99.doc [ 342 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет №4

1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

=============================================

Дополнительная информация

Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 26.04.2023г.

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
Билет №2 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 29 сентября 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
Билет №3 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передато
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 18 сентября 2023
250 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
Билет №8 1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерист
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 26 апреля 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
Вопросы: 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходны
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 12 ноября 2022
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Билет 1: 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Леший : 18 января 2021
500 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №9
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
Электротехника и электроника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 3 ноября 2019
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.

Другие работы

Политико-административное деление России
1. Государственное устройство России, принципы федерализма России, проблемы национально-административного деления. Суверенные государства имеют различные формы организации хозяйства (правления). Важнейшей из них является государственный строй (формы правления). Принципы государственного, социально-экономического и территориального устройства любой страны закреплены в ее основном законе (конституции). РФ – суверенная демократическая республика (президентская) – имеет федеративную форму государст
Политология Доклад - Выступление
User Elfa254 : 3 сентября 2013
Контрольная работа по дисциплине: Теория сложности вычислительных процессов и структур. Вариант 4
Задание Написать программу, которая оптимальным образом расставляет скобки при перемножении матриц M1M2M3M4M5M6M7M8M9M10M11M12. Матрицы имеют следующие размерности: M1[r0xr1], M2[r1xr2], M3[r2xr3], M4[r3xr4], M5[r4xr5], M6[r5xr6], M7[r6xr7], M8[r7xr8], M9[r8xr9], M10[r0xr10], M11[r10xr11], M12[r11xr12]. Размерности матриц считать из файла. Вывести промежуточные вычисления, результат расстановки скобок и трудоемкость полученной расстановки. Номер варианта выбирается по последней цифре пароля.
ДО СИБГУТИ Теория сложностей вычислительных процессов и структур Работа Контрольная
User Roma967 : 11 января 2025
500 руб.
promo
По двум видам детали выполнить технический рисунок. Вариант 11а.
По двум видам детали выполнить технический рисунок. Вариант 11а. Графическая работа 11 3d модель и чертеж (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
Инженерная и компьютерная графика БГЭУ Работа Контрольная
User lepris : 12 апреля 2022
80 руб.
По двум видам детали выполнить технический рисунок. Вариант 11а.
Пересечение плоскостей по методичке Липовки. Вариант №7.
Всё выполнено в программе Компас 3D v16. В состав работы входит один файл – чертеж: Вариант 7 – Пересечение плоскостей. Работа выполнена по методичке Липовки Е.Р. "Начертательная геометрия", ред. 2012г. ВАЖНО!!! Существует две методички разных годов редакции, координаты в них могут отличаться, но не во всех вариантах. Если хотя бы одна координата не сходится, то это совершенно другая работа и приобретение этой будет на свой страх и риск (координаты редко сверяют при проверке). Чертеж оформле
СФУ Чертежи Начертательная геометрия
User Чертежи : 10 декабря 2020
80 руб.
Пересечение плоскостей по методичке Липовки. Вариант №7.
up Наверх